光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法技术

本发明专利技术提供一种光栅，其是用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化的光栅，其可以包含光栅基板、形成在光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜以及通过ALD法形成在第1铝金属膜上的第1保护膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法
本专利技术涉及光栅、光栅的制造方法和光栅的再生方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的微细化、高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨力的提高。下文中将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此进行了由曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中，使用了气体激光装置来替换现有的汞灯。目前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。作为目前的曝光技术，液浸曝光已经实用化。液浸曝光是通过将曝光装置侧的投影透镜与晶片间的间隙充满液体，改变该间隙的折射率，而使曝光用光源的表观波长短波长化。将ArF准分子激光装置用作曝光用光源进行液浸曝光的情况下，在水中对晶片照射波长134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸平版印刷。KrF、ArF准分子激光装置自然振荡时的光谱线宽约为350pm～400pm，线宽较宽，因而通过曝光装置侧的投影透镜而被缩小投影在晶片上的激光(紫外光)产生色差，分辨力降低。因此，需要将由气体激光装置输出的激光的光谱线宽窄频带化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光栅，其用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化，该光栅包含：光栅基板，形成在所述光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜，以及通过ALD法形成在所述第1铝金属膜上的第1保护膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光栅，其用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化，该光栅包含：光栅基板，形成在所述光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜，以及通过ALD法形成在所述第1铝金属膜上的第1保护膜。2.如权利要求1所述的光栅，其中，进一步包含形成在所述光栅基板与所述第1铝金属膜之间的槽形成部件。3.如权利要求1所述的光栅，其中，所述第1保护膜包含MgF2、SiO2和Al2O3中的至少1种。4.如权利要求1所述的光栅，其中，进一步包含形成在所述第1铝金属膜与所述第1保护膜之间的蒸镀膜。5.如权利要求4所述的光栅，其中，所述蒸镀膜包含MgF2。6.一种光栅，其用于使以真空紫外区的波长从激光装置输出的激光窄频带化，该光栅包含：光栅基板，形成在所述光栅基板上且表面具有槽状的第1铝金属膜，形成在所述第1铝金属膜上的第1保护膜，形成在所述第1保护膜上的第2铝金属膜，以及形成在所述第2铝金属膜上的第2保护膜。7.一种光栅的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本浩孝，若林理，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP