一种低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路
本专利技术属于模拟集成电路
，尤其涉及一种低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路。
技术介绍
当今集成电路技术中，启动电路和欠压锁定电路都是不可或缺的模块。启动电路是在电源上电时，迅速启动电路，使得电路的启动与上电过程不相关，从而让其工作状态更加稳定。欠压锁定电路更多的是在电源供电不足或是电源发生故障时，即电源电压小于系统所设定的最小工作电源阈值，来关断电路。从而达到保护电池，减小不必要的功耗并且避免误操作。两者均是保证系统稳定的必要条件。如今，有些集成电路采用两个电路分别实现上述两个功能。有些采用一个电路实现两个功能。但大多数都是功耗和速度之间的折中，尤其是在高电压时功耗很大。如图3是传统的欠压锁定电路，该电路便不适合高压，响应速度一般，同时功耗很大，尤其是在采样端的电压比较高的情况下。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种低功耗的带有欠压锁定功能的高压启动电路。为了解决上述问题，本专利技术提供的低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路，包含：使能/欠压锁定电路、耐高压PTAT电流产生电路、次电源电压产生电路。所述使...
【技术保护点】
一种低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路，其特征在于，包含：使能/欠压锁定电路、耐高压PTAT电流产生电路、次电源电压产生电路；所述使能/欠压锁定电路包括输入电压转换模块，耐高压的自带基准比较器，交叉耦合MOS和二极管连接MOS并联的有源负载，产生迟滞的基准偏置电流源；所述耐高压PTAT电流产生电路包括欠压锁定逻辑输入，PTAT电流产生电路，电流镜电路；最终的电流通过NPN管输出，目的是可以与后续电路起到很好的兼容效果；所述次电源电压产生电路由耐高压PTAT电流产生电路进行偏置，第一支路在MOS管16的栅端上产生偏置电压，并偏置第二支路的，即输出电压所在支路，目的是使得输出...
【技术特征摘要】
1.一种低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路，其特征在于，包含：使能/欠压锁定电路、耐高压PTAT电流产生电路、次电源电压产生电路；所述使能/欠压锁定电路包括输入电压转换模块，耐高压的自带基准比较器，交叉耦合MOS和二极管连接MOS并联的有源负载，产生迟滞的基准偏置电流源；所述耐高压PTAT电流产生电路包括欠压锁定逻辑输入，PTAT电流产生电路，电流镜电路；最终的电流通过NPN管输出，目的是可以与后续电路起到很好的兼容效果；所述次电源电压产生电路由耐高压PTAT电流产生电路进行偏置，第一支路在MOS管16的栅端上产生偏置电压，并偏置第二支路的，即输出电压所在支路，目的是使得输出电压所在支路电流不会随电源电压改变；最终输出电压是由一稳压二极管的稳定电压和双极性晶体管基极-发射级电压组成。2.根据权利要求1所述的低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路，其特征在于，所述使能/欠压锁定电路包含五个电阻，四个NPN，六个耐压PNP，两个PMOS，三个耗尽型NMOS，一个NJFET；电阻3一端连接输入端EN，另一端连接NJEFT漏；NJFET的栅连接地，源连接PMOS管27的漏；PMOS管27和PMOS管28呈二极管连接方式，并且两者的体连接PMOS管27的源；PMOS管27的漏连接PMOS管28的源，PMOS管28的漏连接地；电阻26第一端连接PMOS管27的漏，第二端连接NPN32基极；NPN32发射级连接电阻31第一端，集电极连接耗尽型NMOS管34的源；电阻31第二端连接电阻30第一端，电阻30第二端连接地；PNP29发射级连接电阻30第一端，集电极连接地，基极连接NPN32基极；NPN33基极连接NPN32基极，发射级连接电阻30第一端，集电极连接耗尽型NMOS管35的源；耗尽型NMOS管34，35体都连接各自的源，两者的栅端都连接NJFET的源，两者的漏分别连接在节点6B和6A；PNP36、37、38和39的发射级都连接电源；PNP36，37集电极和PNP36，38的基极都连在节点6B，PNP38，39集电极和PNP37，39的基极都连在节点6A；PNP40的基极连接节点6B，发射级连接电源，集电极连接电阻21的第一端；电阻21的第二端连接NPN22的集电极；NPN22呈二极管连接方式，其发射级连接地；NPN24基极连接NPN22的基极，发射极连接地，集电极连接耗尽型NMOS管23的源；耗尽型NMOS管23的体连接其源，栅连接NJFET的源，漏连接NJFET的漏。3.根据权利要求2所述的低功耗兼有欠压锁定功能的高压启动电路，其特...
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