一种漏电流检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种漏电流检测方法及装置，其中方法包括：对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流；将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流；将所述采样电流与预设电流值进行比对，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。本发明专利技术实施例解决了同时对多个待检测设备自动进行漏电流检测的问题，提高了漏电流检测的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种漏电流检测方法及装置
本专利技术实施例涉及电气检测技术，尤其涉及一种漏电流检测方法及装置。
技术介绍
目前，许多设备需要进行漏电流检测，例如时钟锁等。时钟锁保持时钟功能的装置中涉及mA级电池，为了减少时钟锁漏电流过大，需定期对时钟锁进行漏电流检测。目前的漏电流检测一般是通过uA级漏电流测试仪和uA级万用表对每个时钟锁进行逐一检测。上述漏电流检测方法的测试设备成本高，耗费时间长，效率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种漏电流检测方法及装置，以实现快速进行漏电流检测，提高了检测效率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种漏电流检测方法，该方法包括：对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流；将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流；将所述采样电流与预设电流值进行比对，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。进一步的，所述将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容包括：当主控制器MCU处于休眠状态时，将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；相应的，所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：当所述主控制器MCU处于唤醒状态时，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。进一步的，所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：获取MCU存储单元的偏置电压值，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压，将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流，所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。进一步的，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：获取MCU的参考源通道数值，将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述MCU的供电电压；获取采样通道的模数转换器ADC的转换值，将所述MCU的供电电压与所述模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压；将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。进一步的，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的检测结果包括：依据比对情况，通过LED灯显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果，其中，若所述采样电流大于预设电流值，则第一LED灯点亮，若所述采样电流小于或等于所述预设电流值，则第二LED灯点亮。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种漏电流检测装置，该装置包括：差分放大器，用于对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流；储能电容，用于存储所述第一电流转换的电压信号；模数转换器ADC，用于采集所述储能电容的电压值；主控制器MCU，用于将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流，将所述采样电流与预设电流值进行比对，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。进一步的，所述装置还包括：计数器，用于确定主控制器MCU的休眠时间；所述储能电容具体用于：当主控制器MCU处于休眠状态时，将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；相应的，所述模数转换器ADC具体用于：当所述主控制器MCU处于唤醒状态时，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。进一步的，所述主控制器MCU包括：存储单元，用于存储所述MCU的偏置电压值；相应的，所述主控制器MCU具体用于：通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压，将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流，所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。进一步的，所述主控制器MCU具体用于：获取主控制器MCU的参考源通道数值，将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述主控制器MCU的供电电压；获取采样通道的模数转换器ADC的转换值，将所述主控制器MCU的供电电压与所述模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压；将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。进一步的，所述装置还包括：LED灯，用于依据比对情况，显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果，其中，若所述采样电流大于预设电流值，则第一LED灯点亮，若所述采样电流小于或等于所述预设电流值，则第二LED灯点亮。本专利技术实施例通过将至少两个待检测设备的漏电流进行差分放大，以电压形式存储于储能电容中，通过模拟数字转换器ADC采集储能电容，确定采样电流，通过与预设电流值的比对，确定待检测设备的漏电流情况，代替了现有技术中通过uA级漏电流测试仪和uA级万用表通过检测人员手动对待检测设备逐一检测的方法，解决了同时对多个待检测设备自动进行漏电流检测的问题，提高了漏电流检测的效率。附图说明图1A是本专利技术实施例一提供的漏电流检测方法的流程图；图1B是本专利技术实施例一提供的漏电流检测示意图；图2是本专利技术实施例二提供的漏电流检测方法的流程图；图3是本专利技术实施例三提供的漏电流检测方法的流程图；图4是本专利技术实施例四提供的漏电流检测方法的流程图；图5是本专利技术实施例五提供的漏电流检测装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1A为本专利技术实施例一提供的漏电流检测方法的流程图，本实施例可适用于同时检测至少两个待检测设备的漏电流的情况，该方法可以由本专利技术实施例提供的漏电流检测装置来执行，具体包括如下步骤：S110、对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流。其中，漏电流包括半导体漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流。其中，半导体漏电流指的是PN结在截止时流过的很微小的电流；电源漏电流指的是开关电源中的EMI(Electro-MagneticInterference，电磁干扰)滤波器电路使得在开关电源在接上市电后对地有一个微小的电流；电容漏电流指的是由于电容介质并不是绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容会有极小漏电流产生。滤波器漏电流指的是在额定交流电压下滤波器外壳到交流进线任意端的电流。漏电流一般十分微小，电流等级一般为uA级，将漏电流进行差分放大，便于对漏电流的检测，其中，对漏电流的差分放大可通过差分放大器实现。需要说明的是，本实施例中，可同时对至少两个待检测设备进行漏电流检测，示例性的，当待检测设备是时钟锁时，可同时对30块时钟锁进行漏电流检测，提高了漏电流检测效率。S120、将第一电流转换为电压信号，并将电压信号存储至储能电容。其中，储能电容具有良好的脉冲电容充放电性能和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漏电流检测方法，其特征在于，包括：对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流；将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流；将所述采样电流与预设电流值进行比对，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。

【技术特征摘要】
1.一种漏电流检测方法，其特征在于，包括：对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大，得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流；将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流；将所述采样电流与预设电流值进行比对，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容包括：当主控制器MCU处于休眠状态时，将所述第一电流转换为电压信号，并将所述电压信号存储至储能电容；相应的，所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：当所述主控制器MCU处于唤醒状态时，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：获取MCU存储单元的偏置电压值，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压，将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流，所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值，将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括：获取MCU的参考源通道数值，将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述MCU的供电电压；获取采样通道的ADC的转换值，将所述MCU的供电电压与所述ADC的转换值的积确定为采样电压；将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的检测结果包括：依据比对情况，通过LED灯显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果，其中，若所述采样电流大于预设电流值，则第一LED灯...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙吉平，张秀成，
申请(专利权)人：北京深思数盾科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11