一种测量微量物质的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量微量物质的方法，属于纳米半导体材料领域。其工艺流程为：首先利用水热法制备ZnO纳米棒阵列样品，然后利用化学气相沉积法在ZnO纳米棒表面生长薄层MoS2材料，最终形成ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2材料，利用薄层MoS2的两个拉曼振动峰E

【技术实现步骤摘要】
一种测量微量物质的方法
本专利技术属于纳米半导体材料领域，具体涉及一种测量微量物质的方法。
技术介绍
微量物质检测技术对工程装备、环境安全、反恐活动及科学研究等十分重要。例如，在高功率固体激光装置中，微量的有机污染物就能严重影响光学元件性能，甚至引发光学元件的激光损伤，因此需要在线监测纳克量级的污染物；环境安全和反恐活动往往需要现场、实时、快速地检测有毒、易燃、易爆等危险的微量物质，以便进行数据的精确分析、预先采取预防措施，防患于未然。随着检测技术和设备的进步，检测的精度和灵敏度得到很大的提升，例如，利用高分辨透射电子显微镜，已能够检测原子大小的物质。然而，这些设备费用极其昂贵，结构非常复杂，工作环境要求苛刻，又需要专业的技术人员才能操作和分析，因此在一定程度上限制了其使用。研发一种价格相对便宜、结构较为简单的微量物质检测技术，是长期孜孜以求的目标。薄层二硫化钼MoS2材料是一种新型的功能材料，具有层状结构，单层MoS2分子的厚度仅为0.7nm左右，其层与层之间通过较弱的范德华力结合。研究发现，薄层MoS2材料的层数对其拉曼光谱有明显影响，例如，单层MoS2拉曼光谱的E12g和A1g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量微量物质的方法，包括以下步骤：步骤1.清洗基片；步骤2.生长ZnO种子层；步骤3.生长ZnO纳米棒阵列；步骤4.生长MoS2辅助层；步骤5.在ZnO纳米棒上生长薄层MoS2；步骤6.测量ZnO纳米棒支撑薄层MoS2样品的拉曼光谱；利用拉曼光谱仪测量样品的拉曼光谱，获得MoS2的E

【技术特征摘要】
1.一种测量微量物质的方法，包括以下步骤：步骤1.清洗基片；步骤2.生长ZnO种子层；步骤3.生长ZnO纳米棒阵列；步骤4.生长MoS2辅助层；步骤5.在ZnO纳米棒上生长薄层MoS2；步骤6.测量ZnO纳米棒支撑薄层MoS2样品的拉曼光谱；利用拉曼光谱仪测量样品的拉曼光谱，获得MoS2的E12g与A1g振动模式的位置及其之间的频率差值，以δ1表示；步骤7.测量标准曲线；根据待测物质种类，配置不同浓度(σ)的该物质溶液；将ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2样品浸泡在不同浓度的溶液中，使待测物质吸附在ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2上；利用拉曼光谱仪测量经不同浓度的溶液处理后ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2样品的拉曼光谱，获得MoS2的E12g与A1g振动模式的位置及其之间的频率差值，以δ2表示，由φ＝δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化，做出σ与φ的标准曲线；根据具体测试要求，设定线性拟合的相关系数阈值R0及相对误差Δ0，其中R0≤1，选取所述标准曲线上满足测试要求的一段曲线，对该段曲线做线性拟合，其线性相关系数R1不小于R0，相对误差Δ1应不大于Δ0；对所选取的该段曲线进行线性拟合得σ与φ的线性函数关系：σ＝kφ其中k是与待测物质有关的比例系数；步骤8.测量待测物质；将待测物质溶解成溶液，将ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2样品浸泡在该溶液中，使待测物质吸附在ZnO纳米棒支撑的薄层MoS2样品上，然后利用拉曼光谱仪测量MoS2的E12g与A1g振动模式的位置及其之间的频率差值δ2，由φ＝δ2-δ1获得吸附待测物质前后频率差值的变化，根据σ＝kφ求出待测物质浓度。2.如权利要求1所述的一种测量微量物质的方法，其特征在于：所述步骤2生长ZnO种子层具体包括：配置浓度为5-25mmol...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春明，雷梦亚，余欢，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51