一种高纯铟的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯铟的制备方法，属于冶金技术领域。本发明专利技术将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/2+1，x为奇数，a为（x+1）/2，高纯铟中铟的质量百分数含量不小于99.999%；本发明专利技术方法，能充分的除去多种杂质元素得到高纯铟，具有工艺流程简单，效率高，对环境无污染的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铟的制备方法
本专利技术涉及一种高纯铟的制备方法，属于冶金

技术介绍
铟是价格比较昂贵的稀散金属，金属铟呈现银白色光泽，具有熔点高沸点低的特点，而且金属铟具有良好的延展性，低电阻，可塑性强等优点，具有良好的光渗透性和导电性，因此被广泛应用于国防科技、无线通讯，航天航空、高新技术等领域。目前，高纯铟的制备方法主要以电解精炼、真空精炼、区域熔炼、化学除杂等几种工艺相结合的工艺。专利ZL201310038246.3公布了“一种高纯铟的制备方法”，其特点在超净条件下采用两次电解然后经过真空蒸馏电解铟的方法获得5N～7N高纯铟。硫酸铟电解液的组成包括铟40～90g/L，氯化钠40～90g/L，明胶0.2～0.4g/L，pH值1.0～3.0；将经过两次电解后的电解铟再经过真空蒸馏，真空度为10Pa，蒸馏温度分别为750℃、950℃、1050℃三个温度，蒸馏时间在三个温度下分别保持1～5小时，最后获得质量含量为5N～7N的高纯铟。专利ZL201410478356.6公布了“一种从粗铟中提纯出OLED用高纯铟的方法”，该方法的特点在于，真空度为3～10Pa的真空条件下，对粗铟依次进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯铟的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/2+1，x为奇数，a为（x+1）/2。

【技术特征摘要】
1.一种高纯铟的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，邓勇，田阳，熊恒，雷浩成，张丁川，徐宝强，刘大春，郁青春，王飞，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53