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本发明涉及一种高纯铟的制备方法，属于冶金技术领域。本发明将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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