铁皮石斛的种植方法技术

本发明专利技术公开了一种铁皮石斛的种植方法，包括：步骤一、提供温室大棚环境，进行铁皮石斛的种植，温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于升降机构顶端的罩体，罩体采用不透光材料，罩体在升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、取原料制成铁皮石斛的培养基质；步骤三、首先于温室大棚内铺设培养基质，将铁皮石斛种子播种于培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于温室大棚内铺设培养基质，之后将铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的培养基质中，培养1～2年，得到铁皮石斛。

Method for planting Dendrobium officinale

The invention discloses a method for planting, Dendrobium, comprises the steps of: providing greenhouse environment of Dendrobium cultivation in greenhouse is divided into multiple planting areas, each planting area is provided with a cover part, a cover part comprises a cover body lifting mechanism arranged on the ground and set on the upper end of the lifting mechanism, the mask body is made of opaque materials, driven by the hood covering the growing region in the lifting mechanism of medium body; step two, the raw materials are made of Dendrobium candidum; step three, the first in the greenhouse in laying medium and will Dendrobium seeds were sowed in the culture medium, to light temperature 22 to 28 DEG C, the dark temperature 20 to 22 DEG C, photoperiod 8 ~ 16 hours / day, light intensity of 800 ~ 2000lx and 50 ~ 70% humidity cultivation under the condition of 1 years, from Dendrobium seedlings; step In four, the laying of greenhouse cultivation matrix after transplanting seedling of Dendrobium to the 30 ~ 40cm culture medium, cultured for 1 ~ 2 years, from Dendrobium candidum.

【技术实现步骤摘要】
铁皮石斛的种植方法
本专利技术属于栽培
，涉及一种铁皮石斛的种植方法。
技术介绍
铁皮石斛是一种名贵的中药材，是多年生草本植物，茎丛生，圆柱型，高10-30厘米，粗3-8毫米，在民间，被誉为“救命仙草”药界的“大熊猫”。铁皮石斛加工后干品称铁皮枫斗，其药效成分主要是石斛多糖、石斛碱和总氨基酸等。能提高人体免疫能力，增强记忆力，补五脏虚劳，抗衰老，抑制肿瘤，改善糖尿病症状，抗缺氧，对放化疗以及夜生活、烟酒过度者有显著效果。近年来，由于人们对铁皮石斛药效作用的认识加深，对铁皮石斛的需求量越来越高，因此，开始大面积广泛地种植铁皮石斛，然而，一般种植出的铁皮石斛与野生铁皮石斛相比，其药效成分大大降低，如何种植出一种药效成分与野生铁皮石斛药效成分相当的铁皮石斛，是目前正在探索的一个问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种铁皮石斛的种植方法。为此，本专利技术提供的技术方案为：一种铁皮石斛的种植方法，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体，所述罩体采用不透光材料，所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土40～60份、松树皮15～25份、马铃薯3～10份、砂石5～10份、花生壳10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠粪3～20份，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10～20cm的所述培养基质，并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于所述温室大棚内铺设30～40cm的所述培养基质，之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的所述培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温度15～18℃，光周期10～12小时/日，光照度1800～2000lx和湿度40～60％条件下培养1～2年年，得到铁皮石斛。优选的是，所述的铁皮石斛的种植方法中，所述步骤二中，取黑土50份、松树皮20份、马铃薯7份、砂石8份、花生壳15份、大蒜7份和蝙蝠粪12份，于温度121℃下灭菌25min，之后发酵15天，然后加入蛭石45份，混匀，得到所述培养基质。优选的是，所述的铁皮石斛的种植方法中，所述步骤三中，铺设的所述培养基质的厚度为15cm。优选的是，所述的铁皮石斛的种植方法中，所述步骤三中，于光照温度25℃、黑暗温度21℃，光周期12小时/日，光照度1400lx和湿度60％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗。优选的是，所述的铁皮石斛的种植方法中，所述步骤四中，于所述温室大棚内铺设35cm的所述培养基质。优选的是，所述的铁皮石斛的种植方法中，所述步骤四中，将所述铁皮石斛小苗移栽至该35cm的所述培养基质中，于温度21℃、黑暗温度16℃，光周期11小时/日，光照度1900lx和湿度50％条件下培养1.5年，得到铁皮石斛。本专利技术至少包括以下有益效果：本专利技术的种植方法，将铁皮石斛种植于大棚内，培养条件易于控制，本专利技术将温室大棚内分为多个种植区域，当某一种植区域出现病虫害或者其他灾害时，可通过将罩体放下将其放下，以将该种植区域与其他种植区域隔开，防止疾病的蔓延，做到有效快速地隔离，提高铁皮石斛的生产率。同时，本专利技术的铁皮石斛小苗和铁皮石斛产品的培养均使用相同的培养基质和相同的大环境下，这样，在移栽过程中，铁皮石斛小苗易于快速适应环境，且也减少了炼苗的时间。同时，提高了铁皮石斛的栽培成活率、其生长速度款，且铁皮石斛的产量好。再有，本专利技术的培养基质中含有大量的蛭石，使得培养基质的透水、透气和蓄肥效果明显，并且，培养基质的质地疏松，便于移栽，大大改善了铁皮石斛原有的生产环境，使其产量和有效成分均大大提高。由于铁皮石斛适应环境良好，因此，其中的有效成分含量比传统方法增加2～7倍，能够与野生铁皮石斛的有效成分含量相当，能够满足市场需求。本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。具体实施方式下面对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。本专利技术提供一种铁皮石斛的种植方法，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体，所述罩体采用不透光材料，所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土40～60份、松树皮15～25份、马铃薯3～10份、砂石5～10份、花生壳10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠粪3～20份，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10～20cm的所述培养基质，并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于所述温室大棚内铺设30～40cm的所述培养基质，之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的所述培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温度15～18℃，光周期10～12小时/日，光照度1800～2000lx和湿度40～60％条件下培养1～2年年，得到铁皮石斛。在本专利技术的其中一个实施例中，作为优选，所述步骤二中，取黑土50份、松树皮20份、马铃薯7份、砂石8份、花生壳15份、大蒜7份和蝙蝠粪12份，于温度121℃下灭菌25min，之后发酵15天，然后加入蛭石45份，混匀，得到所述培养基质。在本专利技术的其中一个实施例中，作为优选，所述步骤三中，铺设的所述培养基质的厚度为15cm。在本专利技术的其中一个实施例中，作为优选，所述步骤三中，于光照温度25℃、黑暗温度21℃，光周期12小时/日，光照度1400lx和湿度60％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗。在本专利技术的其中一个实施例中，作为优选，所述步骤四中，于所述温室大棚内铺设35cm的所述培养基质。在本专利技术的其中一个实施例中，作为优选，所述步骤四中，将所述铁皮石斛小苗移栽至该35cm的所述培养基质中，于温度21℃、黑暗温度16℃，光周期11小时/日，光照度1900lx和湿度50％条件下培养1.5年，得到铁皮石斛。实施例1一种铁皮石斛的种植方法，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铁皮石斛的种植方法，其特征在于，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体，所述罩体采用不透光材料，所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土40～60份、松树皮15～25份、马铃薯3～10份、砂石5～10份、花生壳10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠粪3～20份，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10～20cm的所述培养基质，并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于所述温室大棚内铺设30～40cm的所述培养基质，之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的所述培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温度15～18℃，光周期10～12小时/日，光照度1800～2000lx和湿度40～60％条件下培养1～2年年，得到铁皮石斛。...

【技术特征摘要】
1.一种铁皮石斛的种植方法，其特征在于，包括：步骤一、提供一温室大棚环境，于温室大棚内进行铁皮石斛的种植，所述温室大棚内被划分为多个种植区域，每个种植区域内均设置有一罩部，所述罩部包括一设置于地面上的升降机构和设置于所述升降机构顶端的罩体，所述罩体采用不透光材料，所述罩体在所述升降机构的驱动下罩住其所在的种植区域；步骤二、按照如下重量份数取原料制成铁皮石斛的培养基质，取黑土40～60份、松树皮15～25份、马铃薯3～10份、砂石5～10份、花生壳10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠粪3～20份，于温度120～125℃下灭菌20～30min，之后发酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混匀，得到培养基质；步骤三、首先于所述温室大棚内铺设10～20cm的所述培养基质，并将铁皮石斛种子播种于所述培养基质中，于光照温度22～28℃、黑暗温度20～22℃，光周期8～16小时/日，光照度800～2000lx和湿度50～70％条件下培养1年，得到铁皮石斛小苗；步骤四、于所述温室大棚内铺设30～40cm的所述培养基质，之后将所述铁皮石斛小苗移栽至该30～40cm的所述培养基质中，于温度18～24℃、黑暗温...

【专利技术属性】
技术研发人员：农凯峰，
申请(专利权)人：农凯峰，
类型：发明
国别省市：广西,45