IGBT动态有源钳位保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种IGBT动态有源钳位保护电路，包括IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的集电极和栅极之间依次连接若干瞬态电压抑制二极管组群、二极管D3、限流电阻R1和吸收电容C1，所述瞬态电压抑制二极管组群包括若干瞬态电压抑制二极管TVS，从IGBT器件的集电极方向的第n个瞬态电压抑制二极管TVS两端并联有n个可控开关，n为正整数；所述可控开关的控制端均与用于控制所述可控开关导通状态的开关驱动电路连接，所述开关驱动电路与信号处理控制电路连接，所述信号处理控制电路与用于检测直流母线电压的电压检测电路连接。本发明专利技术电路结构简单，易于实现，安全可靠，能有效保护IGBT驱动及本身。

IGBT dynamic active clamp protection circuit

The present invention relates to a IGBT dynamic active clamp protection circuit, including IGBT devices, and is characterized in that the IGBT between the collector and the gate device are connected to several transient voltage suppression diode group, diode D3, a current limiting resistor R1 and capacitor C1 absorption, the transient electric diode group comprises a plurality of depression transient voltage suppression diode TVS, n controllable switch n from the Transient Voltage Collector IGBT devices for suppression of the diode is connected in parallel with TVS, n is a positive integer; the control end of the controllable switch are used to control the controllable switches conducting state connected to the drive circuit, the switch drive circuit signal processing and control circuit is connected, and the signal processing control circuit for detecting voltage of DC bus voltage detection circuit is connected. The circuit structure of the invention is simple, easy to implement, safe and reliable, and can effectively protect the IGBT drive and itself.

【技术实现步骤摘要】
IGBT动态有源钳位保护电路
本专利技术涉及一种驱动电路，尤其是一种IGBT动态有源钳位保护电路，属于IGBT驱动

技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既具有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点，又具有双极达林顿功率管GTO饱和电压低、电流容量大、耐压高的优点，能正常工作于几十千赫兹频率范围内，故在较高频率的大、中功率设备（如变频器、UPS电源、光伏逆变器、高频焊机等）应用中占据了主导地位。IGBT应用的关键技术之一是过电压抑制。过电压抑制不仅关系到IGBT本身的工作特性和运行安全，还会影响到整个系统的性能和安全。由于电路中杂散电感的存在，IGBT在正常情况关断时会产生一定电压尖峰，但是数值不会太高，但在变流器过载或者桥臂发生短路的情况下，关断IGBT时集电极会产生非常高的尖峰电压，过高的尖峰电压很容易使IGBT受到损坏。有源钳位电路的目标是钳住IGBT的集电极电位，使其不要到达太高的水平，如果关断时产生的电压尖峰太高，或者太陡，都会使IGBT受到威胁。所以有源钳位电路通常在故障状态下才会动作，正常时不工作。目前，IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT动态有源钳位保护电路，包括IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的集电极和栅极之间依次连接若干瞬态电压抑制二极管组群、二极管D3、限流电阻R1和吸收电容C1，所述瞬态电压抑制二极管组群包括若干瞬态电压抑制二极管TVS，从IGBT器件的集电极方向的第n个瞬态电压抑制二极管TVS两端并联有n个可控开关，n为正整数；所述可控开关的控制端均与用于控制所述可控开关导通状态的开关驱动电路连接，所述开关驱动电路与信号处理控制电路连接，所述信号处理控制电路与用于检测直流母线电压的电压检测电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT动态有源钳位保护电路，包括IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的集电极和栅极之间依次连接若干瞬态电压抑制二极管组群、二极管D3、限流电阻R1和吸收电容C1，所述瞬态电压抑制二极管组群包括若干瞬态电压抑制二极管TVS，从IGBT器件的集电极方向的第n个瞬态电压抑制二极管TVS两端并联有n个可控开关，n为正整数；所述可控开关的控制端均与用于控制所述可控开关导通状态的开关驱动电路连接，所述开关驱动电路与信号处理控制电路连接，所述信号处理控制电路与用于检测直流母线...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，李洲，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32