【技术实现步骤摘要】
形成内存设备结构的方法及内存设备结构
本
技术实现思路
大体有关于形成内存设备结构的方法及内存设备结构,且更特别的是,有关于以例如超越40纳米的先进技术尺度形成包括磁性随机存取内存技术的内存设备结构。
技术介绍
目前,半导体及磁性储存技术为最常用数据储存技术中的一些。半导体内存使用基于半导体的电路组件,例如晶体管或电容器,来储存信息,而常见半导体内存芯片可能包含数百万个此类电路组件。半导体内存存在挥发性及非挥发性两种形式。在现代计算机中,主要储存器(primarystorage)几乎只由动态挥发性半导体内存或动态随机存取内存(DRAM)组成。在本世纪初以来,一种习称闪存的非挥发性半导体内存已稳定地得到作为用于家庭计算机的脱机储存器的份额。非挥发性半导体内存也使用于在各种先进电子设备及专用计算机中的辅助储存器。在磁性内存中,信息的储存是利用磁性层、膜或表面的不同磁化模式。与DRAM相反,磁性储存器为非挥发性,并且磁性储存器的较早实作利用可能含有一或更多记录传感器(recordingtransducer)用于存取存入镀磁表面的信息的一或更多读写头,在此读写头只覆盖该表面的一部分,使得该头或媒体或两者相对移动,以便存取数据。可视为联合DRAM与磁性内存技术的概念为所谓的磁电阻随机存取内存(MRAM)。MRAM类型的内存单元(memorycell)在设计上类似DRAM类型的内存单元,但是不同点在于MRAM使用磁性储存组件来储存信息,而不是如同DRAM单元以电容器上的电荷来储存信息。因此,不像DRAM会随着时间而失去电荷,MRAM为非挥发性内存设备,它不必如同DRAM技 ...
【技术保护点】
一种形成内存设备结构的方法,该方法包含下列步骤:提供形成于一晶圆基板上面的一介电层;在该介电层中形成至少两个沟槽,所述至少两个沟槽沿着与该晶圆基板的一上表面实质垂直的一第一方向完全穿过该介电层;形成一非磁性薄层于所述至少两个沟槽的侧壁上;形成一第一磁性层于位在所述侧壁上的该非磁性薄层上;相对于该非磁性薄层及该第一磁性层选择性地移除该介电层,其中在移除该介电层时形成至少4个第一垂直堆栈,各个堆栈由沿着与该第一方向垂直的一第二方向堆栈的该非磁性薄层与该第一磁性层形成;形成一第二磁性层于所述第一垂直堆栈的侧壁上,其中形成数个第二垂直堆栈,各个垂直堆栈包含插在该第一磁性层与该第二磁性层之间的该非磁性薄层;以及形成电性耦合至该第一磁性层的一第一电性接触以及电性耦合至该第二磁性层的一第二电性接触。
【技术特征摘要】
2015.10.21 US 14/918,7361.一种形成内存设备结构的方法,该方法包含下列步骤:提供形成于一晶圆基板上面的一介电层;在该介电层中形成至少两个沟槽,所述至少两个沟槽沿着与该晶圆基板的一上表面实质垂直的一第一方向完全穿过该介电层;形成一非磁性薄层于所述至少两个沟槽的侧壁上;形成一第一磁性层于位在所述侧壁上的该非磁性薄层上;相对于该非磁性薄层及该第一磁性层选择性地移除该介电层,其中在移除该介电层时形成至少4个第一垂直堆栈,各个堆栈由沿着与该第一方向垂直的一第二方向堆栈的该非磁性薄层与该第一磁性层形成;形成一第二磁性层于所述第一垂直堆栈的侧壁上,其中形成数个第二垂直堆栈,各个垂直堆栈包含插在该第一磁性层与该第二磁性层之间的该非磁性薄层;以及形成电性耦合至该第一磁性层的一第一电性接触以及电性耦合至该第二磁性层的一第二电性接触。2.如权利要求1所述的方法,其中形成该非磁性薄层的步骤包含:共形沉积一非磁性材料于该介电层上面以及于所述沟槽内,以及随后进行一各向异性蚀刻制程,该各向异性蚀刻制程从与该晶圆基板的该上表面平行的任何表面除去该非磁性材料。3.如权利要求1所述的方法,其中形成该第一磁性层的步骤包含:共形沉积一第一磁性材料于该介电层上面以及于在所述沟槽内的该非磁性薄层上,以及随后进行一各向异性蚀刻制程,该各向异性蚀刻制程从与该晶圆基板的该上表面平行的任何表面除去该第一磁性材料。4.如权利要求1所述的方法,其中形成该第二磁性层的步骤包含:共形沉积一第二磁性材料于该第一垂直堆栈上,以及随后进行一各向异性蚀刻制程,该各向异性蚀刻制程从与该晶圆基板的该上表面平行的任何表面除去该第二磁性材料。5.如权利要求1所述的方法,其中该第一及该第二磁性层由有不同磁矫顽性的铁磁材料形成。6.如权利要求1所述的方法,其中该第二磁性层与在该第二磁性层中诱发一交换偏置的一反铁磁材料耦合。7.如权利要求1所述的方法,其中该第一磁性层的厚度小于该第二磁性层的厚度。8.如权利要求7所述的方法,其中该第一磁性层有大于该第二磁性层的磁矫顽性。9.如权利要求1所述的方法,其中该非磁性薄层的厚度在约2至50埃之间。10.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:瑞夫·理查,蒋育德,拉恩·亚恩,
申请(专利权)人:格罗方德半导体公司,
类型:发明
国别省市:开曼群岛,KY
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