【技术实现步骤摘要】
带电粒子束诱导刻蚀
本专利技术涉及带电粒子束处理,并且特别涉及化学辅助、射束诱导刻蚀工艺。
技术介绍
可通过朝向工件引导诸如离子束、电子束、激光束、分子束、团簇束(clusterbeam)或原子束的射束来执行显微机械加工。例如,聚焦离子束系统被用于形成、成形或改变诸如电子电路组件和微机电系统(MEMS)结构的微观结构。聚焦离子束可在工件上聚焦成非常小的点且随后以期望的图案在表面上进行扫描以去除材料。当离子撞击在工件表面上时,通过被称为“溅射”的工艺转移离子的动量,导致一个或多个表面原子的去除。通过选择给定的整体形状的图案,例如水平光栅图案,可去除表面材料的相应成形的区域。通常在给定区域中去除半导体器件的几个连续层,以便达到并可能割断下面的层。因为离子束可被精细聚焦,所以它可以产生精细结构。可通过引入刻蚀前驱气体增强上文描述的物理溅射工艺。在离子到达之前气体吸附在工件表面上,并且在离子束存在的情况下气体与表面材料发生化学反应,以促进溅射并降低溅射材料的再沉积。离子束可诱导前驱气体分解成反应产物,反应产物中的一些与工件材料反应。前驱气体发生化学反应以形成挥发性化合物, ...
【技术保护点】
一种用射束刻蚀工件的方法,包括:将工件表面暴露于前驱气体,所述前驱气体包括选自由草酰卤化物和乙酰卤化物构成的组的至少一种化合物;以及在所述前驱气体存在的情况下用射束照射工件表面,所述前驱气体在所述射束存在的情况下发生反应以从工件表面去除材料。
【技术特征摘要】
2016.01.12 US 14/9936651.一种用射束刻蚀工件的方法,包括:将工件表面暴露于前驱气体,所述前驱气体包括选自由草酰卤化物和乙酰卤化物构成的组的至少一种化合物;以及在所述前驱气体存在的情况下用射束照射工件表面,所述前驱气体在所述射束存在的情况下发生反应以从工件表面去除材料。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述前驱气体包括选自由草酰氯和草酰溴构成的组的至少一种草酰卤化物。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述前驱气体包括选自由乙酰氯和乙酰溴构成的组的至少一种乙酰卤化物。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中:工件位于真空室中;以及用射束照射工件表面包括用聚焦离子束照射工件表面。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中用射束照射工件表面包括用激光束照射工件表面。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,还包括冷却工件到低于室温。7.根据权利要求6所述的方法,其中冷却工件到低于室温包括冷却工件到低于或等于零下10℃的温度。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法,其中前驱气体还包括气体的混合物。9.根据权利要求8所述的方法,其中气体的混合物包括氨气。10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法,其中:工件包括包含铟或镓的III-V化合物;以及前驱气体包括防止铟晶体或镓液滴形成的前驱气体。11.一种带电粒子束系统,包括:样品室;工作台,被配置成支撑样品室内部的工件;带电粒子源;带电粒子束镜筒,被配...
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