晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具技术

本发明专利技术提供了晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具，其方法包括：测量步骤：A个探针组与一晶圆的至少一测量区域内的若干晶粒接触，每个探针组包括至少一个探针，探针组电连接一晶粒，探针组分次测量测量区域内每个晶粒的电气信号参数；判断步骤：依据每个探针组与其他探针组的测量误差百分比E超出预设标准范围的超标次数F，判断探针组数量A的设备差异度百分比值G是否大于等于预设百分比阈值H，设备差异度百分比值G大于等于预设百分比阈值H的探针组不合格。本发明专利技术的晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具能够在生产中可持续对探针组的状态进行监测，排除了因人为因素的干扰，并且减少因线路异常生产停滞。

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具
本专利技术涉及晶体测试领域，尤其涉及晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具。
技术介绍
现在有许多产品需要准确的电压来符合应用，目前大多使用破坏电性方式来校正生产晶圆时的差异。图1为现有技术的晶圆测试制具测试晶圆的示意图。现有的一种晶圆测试制具包括一晶圆测试制具20’，晶圆测试制具20’具有第一探针组21’、第二探针组22’、第三探针组23’和第四探针组24’。晶圆测试制具20’的四个探针组对晶圆1’的测量区域10’中的晶粒进行测试。在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，在探针组装上以金线制成多根细如毛发之探针(probe)，与每一颗晶粒上的多个焊垫(pad)同时接触。每个晶粒测试所需要的探针是根据晶粒上有多少焊垫(pad)决定。测试仪将电流或电压通过探针组输入被测器件，然后测试该芯片对于此输入信号的响应，得到电性能参数。测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制。晶圆测试制具20’形状根据测试机台(tester)不同而不同，探针组的摆放方式也根据待测晶圆位置与测试需求设计会不一样；现有的测试机台(tester)目前最大可到144探针组(同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：测量步骤：A个探针组与一晶圆的至少一测量区域内的若干晶粒接触，每个所述探针组包括至少一个探针，所述探针组电连接一所述晶粒，所述探针组分次测量所述测量区域内每个所述晶粒的电气信号参数；判断步骤：依据每个所述探针组与其他所述探针组的测量误差百分比E超出预设标准范围的超标次数F，判断探针组数量A的设备差异度百分比值G是否大于等于预设百分比阈值H，设备差异度百分比值G大于等于预设百分比阈值H的所述探针组不合格。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：测量步骤：A个探针组与一晶圆的至少一测量区域内的若干晶粒接触，每个所述探针组包括至少一个探针，所述探针组电连接一所述晶粒，所述探针组分次测量所述测量区域内每个所述晶粒的电气信号参数；判断步骤：依据每个所述探针组与其他所述探针组的测量误差百分比E超出预设标准范围的超标次数F，判断探针组数量A的设备差异度百分比值G是否大于等于预设百分比阈值H，设备差异度百分比值G大于等于预设百分比阈值H的所述探针组不合格。2.如权利要求1所述的晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，所述测量步骤中所述探针组与一晶圆的至少两个不相邻的测量区域内的晶粒分别接触。3.如权利要求1所述的晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，所述电气信号参数是电压。4.如权利要求1所述的晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，所述电气信号参数是频率。5.如权利要求1所述的晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，A大于等于3。6.如权利要求1至5中任意一项所述的晶圆测试时自我检测的方法，其特征在于，所述判断步骤包括：获得每个所述探针组所有效测量到的有效电气信号参数总和B和有效测量总次数C；获得每个所述探针组所有效测量到有效电气信号参数的平均值D；获得每个所述探针组分别与其他所述探针组的测量误差百分比E；获得每个所述探针组分别与其他所述探针组的测量误差百分比...

【专利技术属性】
技术研发人员：范智翔，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31