半导体晶片、用于保持其的基座和在其上沉积层的方法技术

一种用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片的基座；所述基座包括：放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；放置表面的台阶形外定界；和放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，其中基座被在方法中被使用。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片、用于保持其的基座和在其上沉积层的方法
本专利技术的主题是基座，所述基座用于在半导体晶片的前侧上沉积层的期间保持具有定向缺口的半导体晶片。基座具有放置表面和所述放置表面的台阶形外定界，所述放置表面用于将半导体晶片放置在半导体晶片的后侧的边缘区域中。本专利技术的主题还是一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，该基座在所述方法中被使用。
技术介绍
提及类型的基座在各种实施例中是已知的。在DE19847101C1中描述了一个实施例，其中放置表面是形成基座的环的部件。在根据EP1460679A1的实施例中，基座额外地具有底部并因此是盘的形式。放置表面由在盘边缘上的凸出部分形成。在DE102006055038A1中示出了一个实施例，其中半导体晶片位于环的凹陷部分中，并且环位于基盘上。当在半导体晶片的前侧上沉积层时，特别做出努力以生成具有均匀层厚度的层且以使该层的可用表面尽可能近地向半导体晶片的边缘延伸。当试图实现该规范时，面临的问题是平坦度问题发生在半导体晶片的定向缺口的区域中，造成问题的原因是半导体晶片的后侧上的较厚的层厚度和材料沉积。为了解决这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在半导体晶片的前侧上沉积层的期间保持具有定向缺口的所述半导体晶片的基座，包括：放置表面，用于放置所述半导体晶片的后侧的边缘区域；所述放置表面的台阶形外定界；和所述放置表面的外定界的凹口，以便将所述半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。

【技术特征摘要】
2015.10.27 DE 102015220924.51.一种用于在半导体晶片的前侧上沉积层的期间保持具有定向缺口的所述半导体晶片的基座，包括：放置表面，用于放置所述半导体晶片的后侧的边缘区域；所述放置表面的台阶形外定界；和所述放置表面的外定界的凹口，以便将所述半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。2.如权利要求1中所述的基座，其特征在于，所述放置表面的凹口用于放置所述半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域。3.如权利要求1或权利要求2中所述的基座，其中，所述放置表面水平布置。4.如权利要求1或2中所述的基座，其中，所述放置表面向内倾斜地被布置，其中，倾斜的角度不大于3°。5.如权利要求1至4中的任一项所述的基座，其中，在所述半导体晶片的放置之后，所述放置表面以其由外定界的凹口限定的区域至少延伸向内远至所述定向缺口。6.一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法，其特征在于，将所述半导体晶片放置在如权利要求1至5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·绍尔，C·哈格尔，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE