【技术实现步骤摘要】
一种发射电流可控的小型化非放射性电子源
本专利技术涉及真空电子
，尤其是一种设计简单工作有效的一种发射电流可控的小型化非放射性电子源。
技术介绍
现有常用的放射性的β衰变电子源的缺点是：不能改变离子化参数，比如离子化时间、电子动能、电子电流、密度等，而且在许多应用中，放射性源的使用是不被允许的，特别是在电子聚焦方面，现有的非放射性电子源的缺点是：结构复杂，电子聚焦系统体积过大，包括一个静电透镜系统和一个磁性电子束引导装置，且两者都需要相当大的真空腔，另外，静电透镜系统工作在高电势下，需要复杂的电子设备。另外，现有的一些非放射性电子源不能达到与放射性电子源相同性能，特别是发射出的电子的动能较小。所述一种发射电流可控的小型化非放射性电子源能解决这一问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术使用在真空环境中热电子发射的方法来产生自由电子，即一个热电子发射器加热后产生受激电子，然后施加一个外电场为电子提供额外的能量使得电子最终克服功函数，电子离开固体表面发射出来；在真空下通过对钨灯丝通可控的电流来使其发热并产生自由电子，电子经过加速后穿过氮化硅膜从真空环境进入大...
【技术保护点】
一种发射电流可控的小型化非放射性电子源，主要包括加速电压源(1)、电子发射电流(2)、电流表(3)、抽取电压源(4)、灯丝加热电流源(5)、抽取栅格电流(6)、灯丝(7)、抽取栅格(8)、加速电极(9)、氮化硅膜(10)、大气环境中的电子电流(11)、真空腔(12)，所述灯丝(7)位于真空腔(12)内一端，真空腔(12)另一端为所述加速电极(9)，所述加速电极(9)中心部分有开口，所述氮化硅膜(10)覆盖并紧密贴合于真空腔(12)外的所述加速电极(9)的中心开口处，空气不会通过所述氮化硅膜(10)，不会影响所述真空腔(12)内真空环境，所述加速电压源(1)使得所述灯丝(7)...
【技术特征摘要】
1.一种发射电流可控的小型化非放射性电子源，主要包括加速电压源(1)、电子发射电流(2)、电流表(3)、抽取电压源(4)、灯丝加热电流源(5)、抽取栅格电流(6)、灯丝(7)、抽取栅格(8)、加速电极(9)、氮化硅膜(10)、大气环境中的电子电流(11)、真空腔(12)，所述灯丝(7)位于真空腔(12)内一端，真空腔(12)另一端为所述加速电极(9)，所述加速电极(9)中心部分有开口，所述氮化硅膜(10)覆盖并紧密贴合于真空腔(12)外的所述加速电极(9)的中心开口处，空气不会通过所述氮化硅膜(10)，不会影响所述真空腔(12)内真空环境，所述加速电压源(1)使得所述灯丝(7)和所述加速电极(9)之间产生电势差，使得从所述灯丝(7)发射出的电子加速并获得一定的动能，所述抽取电压源(4)使得所述灯丝(...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永建，张向平，傅晶晶，
申请(专利权)人：金华职业技术学院，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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