静电卡盘装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静电卡盘装置，在本发明专利技术中，所述静电卡盘装置具备分割为多个的加热器，可以以简单的结构对由各加热器所加热的区域进行均匀的温度控制。本发明专利技术静电卡盘装置中，具备：静电卡盘部，在一主面上具有载置板状试料的载置面，并且具备静电吸附用电极；温度调节用基座部，相对于所述静电卡盘部而配置于与所述载置面相反的一侧，对所述静电卡盘部进行冷却；高频产生用电极，以层状配置于所述静电卡盘部与所述温度调节用基座部之间；高频电源，连接于所述高频产生用电极；第1加热元件，包括以层状配置于所述高频产生用电极与所述温度调节用基座部之间的多个主加热器；及保护电极，以层状配置于所述高频产生用电极与所述第1加热元件之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电卡盘装置
本专利技术涉及一种设置有加热元件的静电卡盘装置，并且涉及一种静电卡盘装置、静电卡盘控制装置、程序及静电卡盘控制方法。本申请基于2014年11月20日在日本申请的日本专利申请2014-235737号、2014年11月20日在日本申请的日本专利申请2014-235454号、2015年3月18日在日本申请的日本专利申请2015-054573号及2015年3月18日在日本申请的日本专利申请2015-054985号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
在等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等使用等离子体的半导体制造装置中，以往，使用静电卡盘装置作为将晶圆简单地安装并固定于试料台，且将该晶圆维持为所希望的温度的装置。在等离子体蚀刻装置中，若将等离子体照射于固定在静电卡盘装置的晶圆，则晶圆的表面温度上升。为了抑制该表面温度的上升，使水等冷却介质在静电卡盘装置的温度调节用基座部循环，从下侧冷却晶圆。然而，根据该冷却状态，在晶圆面内产生温度分布。例如，在晶圆的中心部温度变高，在边缘侧温度变低。并且，因等离子体蚀刻装置的结构、方式的不同等而等离子体的生成状态发生变化。随着该等离子体生成状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘装置，具备：静电卡盘部，在一主面上具有载置板状试料的载置面，并且具备静电吸附用电极；温度调节用基座部，相对于所述静电卡盘部而配置于与所述载置面相反的一侧，并对所述静电卡盘部进行冷却；高频产生用电极，以层状配置于所述静电卡盘部与所述温度调节用基座部之间；高频电源，连接于所述高频产生用电极；第1加热元件，包括以层状配置于所述高频产生用电极与所述温度调节用基座部之间的多个主加热器；及保护电极，以层状配置于所述高频产生用电极与所述第1加热元件之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.20 JP 2014-235454;2014.11.20 JP 2014-235731.一种静电卡盘装置，具备：静电卡盘部，在一主面上具有载置板状试料的载置面，并且具备静电吸附用电极；温度调节用基座部，相对于所述静电卡盘部而配置于与所述载置面相反的一侧，并对所述静电卡盘部进行冷却；高频产生用电极，以层状配置于所述静电卡盘部与所述温度调节用基座部之间；高频电源，连接于所述高频产生用电极；第1加热元件，包括以层状配置于所述高频产生用电极与所述温度调节用基座部之间的多个主加热器；及保护电极，以层状配置于所述高频产生用电极与所述第1加热元件之间。2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，在所述第1加热元件与所述保护电极之间或者在所述第1加热元件与所述温度调节用基座部之间，还具备包括以层状配置的多个副加热器的第2加热元件。3.根据权利要求1或2中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述保护电极具有沿其圆周方向延伸的第1传热势垒。4.根据权利要求3所述的静电卡盘装置，其中，构成所述第1加热元件的所述多个主加热器在所述圆形区域中以同心圆环状配置，所述第1传热势垒设置成与在所述圆环区域的径向上相邻的所述多个主加热器之间的区域平面地重叠。5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，构成所述第1加热元件的所述多个主加热器在所述圆形区域中以同心圆环状配置，所述高频产生用电极具有沿其圆周方向延伸的第2传热势垒，所述第2传热势垒设置成与在所述圆环区域的径向上相邻的所述多个主加热器之间的区域平面地重叠。6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述高频产生用电极的形成材料为非磁性金属材料。7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述高频产生用电极的形成材料的热膨胀率为4×10-6/K以上且10×10-6/K以下。8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述高频产生用电极的厚度为20μm以上且1000μm以下。9.根据权利要求2至8中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述副加热器的每单位面积的发热量设定为比所述主加热器的每单位面积的发热量小。10.一种静电卡盘装置，具备：静电卡盘部，在一主面上具有载置板状试料的载置面，并且具备静电吸附用电极；温度调节用基座部，相对于所述静电卡盘部而配置于与所述载置面相反的一侧，并对所述静电卡盘部进行冷却；高频产生用电极，以层状配置于所述静电卡盘部与所述温度调节用基座部之间，且相对于所述温度调节用基座部被绝缘；高频电源，连接于所述高频产生用电极；第1加热元件，包括以层状配置于所述静电卡盘部与所述高频产生用电极之间的多个主加热器；第2加热元件，包括配置于所述高频产生用电极与所述温度调节用基座部之间的多个副加热器；及金属板，配置于所述高频产生用电极与所述第2加热元件之间。11.根据权利要求10所述的静电卡盘装置，其中，所述温度调节用基座部将金属材料设为形成材料，所述金属板与所述温度调节用基座部被电连接。12.根据权利要求10或11中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述副加热器的每单位面积的发热量设定为比所述主加热器的每单位面积的发热量小。13.根据权利要求10至12中任一项所述的静电卡盘装置，其中，所述第1加热元件及所述第2加热元件均沿所配置的表面而配置于圆形区域，所述第1加热元件和所述第2加热元件沿它们的圆周方向或径向被分割为多个，所述第2加热元件的分割数量比所述第1加热元件的分割数量多。14.根据权利要求10至13中任一项所述的静电卡盘装置，其中，构成所述第1加热元件的所述多个主加热器在所述圆形区域中以同心状配置，所述金属板具有沿其圆周方向延伸的多个第1传热势垒。15.根据权利要求10至14中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第1加热元件及所述第2加热元件均沿所配置的表面而配置于圆形区域，所述金属板具有多个第1传热势垒，该多个第1传热势垒设置成与相邻的所述多个主加热器之间的区域及相邻的所述多个副加热器之间的区域平面地重叠。16.根据权利要求10至15中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第1加热元件及所述第2加热元件均沿所配置的表面而配置于圆形区域，所述高频产生用电极具有多个第2传热势垒，该多个第2传热势垒设置成与相邻的所述多个主加热器之间的区域及相邻的所述多个副加热器之间的区域平面地重叠。17.根据权利要求10至16中任一项所述的静电卡盘装置，其中，在所述主加热器的所述温度调节用基座部侧，测定所述主加热器的温度的温度传感器经由绝缘材料而与主加热器接触，或者设置在与主加热器设置于同一面上的测温部。18.根据权利要求10至17中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述温度传感器的一面经由绝缘材料接触，或者设置在与主加热器设置于同一面上的测温部，另一面不与所述温度调节用基座部接触。19.一种静电卡盘装置，其特征在于，具备：静电卡盘部，在一主面上具有载置板状试料的载置面，并且具备静电吸附用电极；温度调节用基座部，相对于所述静电卡盘部而配置于与所述载置面相反的一侧，并对所述静电卡盘部进行冷却；第1加热元件，包括以层状配置于所述静电卡盘部与所述温度调节用基座部之间的多个主加热器；及第2加热元件，包括以层状配置于所述温度调节用基座部与所述第1加热元件之间或者所述第1加热元件与所述静电卡盘部之间的多个副加热器，所述副加热器的每单位面积的发热量设定为比所述主加热器的每单位面积的发热量小。20.根据权利要求18所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第1加热元件及所述第2加热元件均沿所配置的表面而配置于圆形区域，所述第1加热元件和所述第2加热元件沿它们的圆周方向或径向被分割为多个，所述第2加热元件的分割数量比所述第1加热元件的分割数量多。21.根据权利要求19或20所述的静电卡盘装置，其特征在于，在所述主加热器的所述温度调节用基座部侧，测定所述主加热器的温度的温度传感器经由绝缘材料而与主加热器接触，或者设置在与主加热器设置于同一面上的测温部。22.根据权利要求19至21中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述温度传感器的一面经由绝缘材料接触，或者设置在与主加热器设置于同一面上的测温部，另一面不与所述温度调节用基座部接触。23.根据权利要求20至22中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在所述温度调节用基座部的所述静电卡盘部侧，所述第1加热元件和所述第2加热元件经由多个耐热性绝缘板而被层叠，经由设置于所述绝缘板的接触孔和设置于所述温度调节用基座部的贯穿孔而设置有与所述主加热器或所述副加热器连接的供电用端子。24.根据权利要求20至23中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在所述第2加热元件与所述温度调节用基座部之间设置有绝缘板，沿该绝缘板的所述温度调节用基座部侧的表面，形成有与所述第2加热元件连...

【专利技术属性】
技术研发人员：小坂井守，三浦幸夫，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP