用于制造包括薄半导体晶圆的半导体器件的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造包括薄半导体晶圆的半导体器件的方法
本专利技术涉及功率半导体器件领域，且更特定地，涉及用于制造包括薄半导体晶圆（wafer）的半导体器件的方法，其涉及半导体晶圆的正面上的线前段（front-end-of-line）处理，以及背面处理。
技术介绍
从EP1065706A2已知有集成电路、半导体器件以及用于做出其的方法。每一个实施例示出了器件晶圆中的扩散、掺杂背面层，其是被接合（bond）到操作晶圆的氧化物。扩散层可起源在器件晶圆中、在操作晶圆中、在接合氧化物中或在另外的多晶硅或外延硅的半导体层中。所述方法使用热接合氧化物或热氧化物与沉积氧化物的组合。从WO94/23444A2已知有低温晶圆接合，其在晶圆之间使用化学反应材料，以形成接合区来将两个晶圆接合到一起。示例包含采用硅氧化接合液体的硅晶圆，该硅氧化接合液体还准许引入辐射硬化掺杂物以及电活性掺杂物来作为该接合液体的组分。硅晶圆也可以使用包含多晶硅和金属的沉积层的固态反应物来形成硅化物所接合的区。氧化剂（诸如硝酸）可被用于接合液体中，且接合液体可连同固态接合反应物被使用。硅晶圆上的介质层可在另外的硅被提供用...
【技术保护点】
一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：（i）提供具有第一主面（103）以及与所述第一主面（103）相对的第二主面（102）的半导体晶圆（101）；（ii）将第一杂质应用到所述第一主面（103）上；（iii）在所述半导体晶圆（101）的至少所述第一主面（103）上形成第一氧化物层（112），其中在所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上形成的所述第一氧化物层（112）以如下方式采用第二杂质部分地被掺杂：采用所述第二杂质掺杂的所述第一氧化物层（112）的任何第一部分被没有采用所述第二杂质掺杂的且被部署在所述第一氧化物层（112）的所述第一部分...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.15 EP 14184793.91.一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：（i）提供具有第一主面（103）以及与所述第一主面（103）相对的第二主面（102）的半导体晶圆（101）；（ii）将第一杂质应用到所述第一主面（103）上；（iii）在所述半导体晶圆（101）的至少所述第一主面（103）上形成第一氧化物层（112），其中在所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上形成的所述第一氧化物层（112）以如下方式采用第二杂质部分地被掺杂：采用所述第二杂质掺杂的所述第一氧化物层（112）的任何第一部分被没有采用所述第二杂质掺杂的且被部署在所述第一氧化物层（112）的所述第一部分和所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）之间的所述第一氧化物层（112）的第二部分来与所述半导体晶圆隔离开；（iv）将载体晶圆（115）接合到所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上的所述第一氧化物层（112）；（v）在所述接合步骤（iv）之后，在所述半导体晶圆（101）的所述第二主面（102）上进行线前段处理，其中所述第二杂质从所述第一氧化物层（112）通过在所述线前段处理期间生成的热量而从所述半导体晶圆（101）的第一主面（103）被扩散到所述半导体晶圆（101）中；（vi）在所述线前段处理步骤（v）之后，移除所述载体晶圆（115）以及所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上的所述第一氧化物层（112）；以及（vii）在所述移除步骤（vi）之后，在所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上形成背部金属化层（110），以形成到所述半导体晶圆（101）的欧姆接触。2.依据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，包括在步骤（i）之后但在所述线前段处理步骤（v）之前的薄化所述半导体晶圆（101）的步骤。3.依据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中薄化所述半导体晶圆（101）的所述步骤在所述接合步骤（iv）之后通过从所述半导体晶圆（101）的第二主面（102）对所述半导体晶圆（101）进行薄化来被执行。4.依据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中薄化所述半导体晶圆（101）的所述步骤在所述第一氧化物层形成步骤（iii）之前被执行。5.依据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：W贾尼施，A德维里伊斯，S马特蒂亚斯，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH
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