【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增强性能的具有在分开的金属层上的字线的静态随机存取存储器(SRAM)位单元以及相关方法优先权要求本申请要求于2014年12月3日提交且题为“STATICRANDOMACCESSMEMORY(SRAM)BITCELLSWITHWORDLINESONSEPARATEMETALLAYERSFORINCREASEDPERFORMANCE,ANDRELATEDMETHODS(用于增强性能的具有在分开的金属层上的字线的静态随机存取存储器(SRAM)位单元以及相关方法)”的美国专利申请S/N.14/559,205的优先权,其通过引用整体纳入于此。背景I.公开领域本公开的技术一般涉及静态随机存取存储器(SRAM)位单元,尤其涉及SRAM位单元的物理设计。II.
技术介绍
基于处理器的计算机系统包括用于数据存储的存储器。存在不同类型的存储器,每种存储器处理某些独特的特征。例如,静态随机存取存储器(SRAM)是一种可在基于处理器的计算机系统中采用的存储器类型。不同于例如动态随机存取存储器(DRAM),SRAM可以存储数据而无需周期性地刷新存储器。SRAM包含在SRAM数据阵列中按行和列组织的多个SRAM位单元(也被称为“位单元”)。对于SRAM数据阵列中的任何给定行,SRAM数据阵列的每一列包括其中存储了单个数据值或比特的SRAM位单元。对期望SRAM位单元行的访问由对应于读和写操作的字线来控制。读字线经由相应的读端口提供用于读取存储在SRAM位单元中的比特的访问。此外,写字线经由相应的写端口提供用于向SRAM位单元写入比特的访问。就此而言,SRAM位单元可被设计成具有用于读取 ...
【技术保护点】
一种静态随机存取存储器(SRAM)位单元,包括:第一金属层中采用的多条迹线;第二金属层中采用的写字线;第三金属层中采用的第一读字线;第四金属层中采用的第二读字线;布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第一读字线着陆焊盘中的每个第一读字线着陆焊盘;布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第二读字线着陆焊盘中的每个第二读字线着陆焊盘;以及布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个写字线着陆焊盘中的每个写字线着陆焊盘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.03 US 14/559,2051.一种静态随机存取存储器(SRAM)位单元,包括:第一金属层中采用的多条迹线;第二金属层中采用的写字线;第三金属层中采用的第一读字线;第四金属层中采用的第二读字线;布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第一读字线着陆焊盘中的每个第一读字线着陆焊盘;布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第二读字线着陆焊盘中的每个第二读字线着陆焊盘;以及布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个写字线着陆焊盘中的每个写字线着陆焊盘。2.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于:每个第一读字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的边界边缘上;每个第二读字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的边界边缘上;并且每个写字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的每个边界边缘内。3.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于:所述多条迹线包括十二(12)条迹线;并且所述第一金属层包括金属一(1)(M1)层。4.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述第二金属层包括金属二(2)(M2)层。5.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述第三金属层包括金属四(4)(M4)层。6.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述第四金属层包括金属六(6)(M6)层。7.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述多条迹线和所述写字线是使用自对准双图案化(SADP)来布置的。8.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述写字线包括单向写字线。9.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述第一读字线包括单向第一读字线。10.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述第二读字线包括单向第二读字线。11.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述多条迹线中的一(1)条迹线包括高电压源线。12.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述SRAM位单元被集成到集成电路(IC)中。13.如权利要求1所述的SRAM位单元,其特征在于,所述SRAM位单元被集成到选自包括以下各项的组的设备中:机顶盒;娱乐单元;导航设备;通信设备;固定位置数据单元;移动位置数据单元;移动电话;蜂窝电话;计算机;便携式计算机;台式计算机;个人数字助理(PDA);监视器;计算机监视器;电视机;调谐器;无线电;卫星无线电;音乐播放器;数字音乐播放器;便携式音乐播放器;数字视频播放器;视频播放器;数字视频碟(DVD)播放器;以及便携式数字视频播放器。14.一种静态随机存取存储器(SRAM)位单元,包括:用于布置第一金属层中采用的多条迹线的装置;用于布置第二金属层中采用的写字线的装置;用于布置第三金属层中采用的第一读字线的装置;用于布置第四金属层中采用的第二读字线的装置;用于在所述多条迹线中对应的迹线上布置多个第一读字线着陆焊盘中的每个第一读字线着陆焊盘的装置;用于在所述多条迹线中对应的迹线上布置多个第二读字线着陆焊盘中的每个第二读字线着陆焊盘的装置;以及用于在所述多条迹线中对应的迹线上布置多个写字线着陆焊盘中的每个写字线着陆焊盘的装置。15.如权利要求14所述的SRAM位单元,其特征在于:每个第一读字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单...
【专利技术属性】
技术研发人员:N·N·莫江德,S·S·宋,Z·王,K·利姆,C·F·耶普,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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