用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器，所述输出放大器由衬底层、两个源漏区、三个栅介质、源漏多晶硅电极、三个磷硅玻璃层、阻挡层、金属铝层和地组成；本发明专利技术还公开了前述输出放大器的制作方法；本发明专利技术的有益技术效果是：提出了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法，该方案可有效提高帧转移可见光CCD的品质。

Output amplifier for frame transfer visible CCD and method of manufacture

The invention discloses a method for frame transfer output amplifier of visible light CCD, the output of the amplifier consists of two source substrate layer, a drain region and a three gate dielectric, source drain electrode of polysilicon, three phosphorus silicon glass layer, a barrier layer, and the aluminum layer; the invention also discloses a manufacturing method the output of the amplifier; the beneficial effect of the invention is: for a frame transfer output amplifier and a manufacturing method of visible light CCD is proposed. This scheme can effectively improve the quality of CCD visible light frame transfer.

【技术实现步骤摘要】
用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法
本专利技术涉及一种CCD技术，尤其涉及一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法。
技术介绍
帧转移可见光CCD是一种重要的CCD类型，常见的帧转移可见光CCD上的放大器一般由衬底层、两个源漏区、三个栅介质、源漏多晶硅电极、金属铝层和地组成，其结构如图2所示，现有技术在制作时，存在如下一些问题：1)现有技术一般采用热扩散掺杂工艺来形成源漏区和地，基于热扩散掺杂工艺的特性可知，热扩散掺杂工艺的纵向扩散速度和横向扩散速度几乎相同，在放大器栅长尺寸较小时，容易导致源漏穿通，使放大器失效，在制作栅长尺寸较小的放大器时，需要在放大器中设计一些防止源漏穿通的结构，大大增加了栅长尺寸较小的放大器的制作难度；2)现有技术在制作金属铝层时，一般采用湿法腐蚀工艺在金属铝层上刻蚀出电极，基于湿法腐蚀工艺的工艺特性可知，湿法腐蚀工艺的纵向腐蚀速率和横向腐蚀速率几乎相同，向下腐蚀金属铝层时，虽然横向上有光刻胶的保护，但腐蚀液也会进行横向腐蚀，使得台阶位置处的金属铝层厚度变窄，由于金属铝层一般采用蒸镀工艺形成，在器件上的台阶位置处，台阶倒角处的金属铝层下方是空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器，其特征在于：所述输出放大器由衬底层(1)、两个源漏区(2)、三个栅介质(3)、源漏多晶硅电极(4)、三个磷硅玻璃层(5)、阻挡层(6)、金属铝层(7)和地组成；所述源漏区(2)形成在衬底层(1)上侧的表层中，两个源漏区(2)之间间隔一定距离，位于左侧的源漏区(2)记为左源漏区，位于右侧的源漏区(2)记为右源漏区；所述栅介质(3)形成在衬底层(1)的上表面上；第一栅介质(3)位于左源漏区的左边，第一栅介质(3)的右端将左源漏区的左端覆盖；第二栅介质(3)位于左源漏区和右源漏区之间，第二栅介质(3)的左端将左源漏区的右端覆盖，第二栅介质(3)的右端将右源漏区...

【技术特征摘要】
1.一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器，其特征在于：所述输出放大器由衬底层(1)、两个源漏区(2)、三个栅介质(3)、源漏多晶硅电极(4)、三个磷硅玻璃层(5)、阻挡层(6)、金属铝层(7)和地组成；所述源漏区(2)形成在衬底层(1)上侧的表层中，两个源漏区(2)之间间隔一定距离，位于左侧的源漏区(2)记为左源漏区，位于右侧的源漏区(2)记为右源漏区；所述栅介质(3)形成在衬底层(1)的上表面上；第一栅介质(3)位于左源漏区的左边，第一栅介质(3)的右端将左源漏区的左端覆盖；第二栅介质(3)位于左源漏区和右源漏区之间，第二栅介质(3)的左端将左源漏区的右端覆盖，第二栅介质(3)的右端将右源漏区的左端覆盖，第一栅介质(3)和第二栅介质(3)之间留有间隔；第三栅介质(3)位于右源漏区的右边，第三栅介质(3)的左端将右源漏区的右端覆盖，第二栅介质(3)和第三栅介质(3)之间留有间隔；所述源漏多晶硅电极(4)层叠在第二栅介质(3)的上表面中部；第一磷硅玻璃层(5)层叠在第一栅介质(3)的上表面上；第二磷硅玻璃层(5)层叠在第二栅介质(3)的上表面上，第二磷硅玻璃层(5)将源漏多晶硅电极(4)包裹在内；第三磷硅玻璃层(5)层叠在第三栅介质(3)的上表面上；所述阻挡层(6)将源漏区(2)、栅介质(3)和磷硅玻璃层(5)的裸露部分覆盖；所述金属铝层(7)覆盖在阻挡层(6)的外表面上；所述地形成在衬底层(1)的外围。2.根据权利要求1所述的用于帧转移可见光CCD的输出放大器，其特征在于：所述阻挡层(6)由依次层叠的第一钛层、氮化钛层和第二钛层构成。3.一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器的制作方法，所述输出放大器由衬底层(1)、两个源漏区(2)、三个栅介质(3)、源漏多晶硅电极(4)、三个磷硅玻璃层(5)、阻挡层(6)、金属铝层(7)和地组成；所述源漏区(2)形成在衬底层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张故万，伍明娟，罗春林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50