基于热压的聚二甲基硅氧烷印章批量制备方法技术

一种基于热压的聚二甲基硅氧烷印章批量制备方法，用于微电子技术领域。通过增加热压工艺同时制备出大量聚二甲基硅氧烷印章，首先加工母板及对母板表面进行抗粘处理，然后重复用母板热压出大量聚合物模具，最后在得到的聚合物模具上旋涂或浇铸聚二甲基硅氧烷预聚体，经固化成型后揭开聚二甲基硅氧烷，同时得到大量聚二甲基硅氧烷印章。本发明专利技术通过本发明专利技术中增加的热压工艺得到的中间聚合物模具，可同时得到大量聚二甲基硅氧烷印章，相对于传统的得到聚二甲基硅氧烷印章的方法具有高效的优点，可以进行大规模地生产聚二甲基硅氧烷印章。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微纳米尺度印章制备方法，具体是一种。用于微电子

技术介绍
在微电子工艺中，通常采用光学光刻的方法来形成图案，但其成本高，而且出现了大量重要的技术难题，如分辨率及材料的选择，同时光学光刻不适合加工非平整表面、不能在表面形成特定的化学功能基团和难以形成三维结构。电子束光刻生产效率太低；X线光刻的工具相当昂贵。纳米压印技术和软刻蚀技术是针对光学光刻的不足提出的加工微米纳米结构的新方法，这两种方法都可实现廉价加工微纳米结构的目的。纳米压印采用高分辨率电子束等方法将纳米结构图案制在印章上，然后用图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。在其中的热压工艺中，结构图案通过施压转移到被加热到玻璃化温度以上的聚合物后，通过冷却到聚合物玻璃化温度以下固化；而其中的紫外压印工艺中是将石英或聚二甲基硅氧烷印章和聚合物预聚体接触并通过紫外光聚合来固化的。软刻蚀是微接触印刷、微转移模塑、复制模塑、毛细辅助模塑、溶剂辅助模塑和近场光刻蚀等技术的合称，其共同特征是用聚二甲基硅氧烷弹性印章来转移图形结构。聚二甲基硅氧烷具有优良的光学透明度、特殊的力学性能、无毒性和生物相容性，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于热压的聚二甲基硅氧烷印章批量制备方法，其特征在于，通过增加热压工艺同时制备出大量聚二甲基硅氧烷印章，首先加工母板及对母板表面进行抗粘处理，然后重复用母板热压出大量聚合物模具，最后在得到的聚合物模具上旋涂或浇铸聚二甲基硅氧烷预聚体，经固化成型后揭开聚二甲基硅氧烷，同时得到大量聚二甲基硅氧烷印章。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景全，孙洪文，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]