参考电压发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种参考电压发生装置，涉及半导体技术领域。该参考电压发生装置包括：第一开关，连接在第一电源轨与输出节点之间；第二开关，连接在第二电源轨与输出节点之间；第一正反馈模块，用于向第一开关施加第一反馈信号，以控制第一开关的导通程度，当输出节点输出的参考电压增大时，使第一反馈信号电压增大；当参考电压减小时，使第一反馈信号电压减小；第二正反馈模块，用于向第二开关施加第二反馈信号，以控制第二开关导通程度，当输出节点输出的参考电压增大时，使第二反馈信号电压增大；当参考电压减小时，使第二反馈信号电压减小；第一开关和第二开关的耐受电压低于第一电源轨和第二电源轨两者之间提供的第一电源域电压。

Reference voltage generator

The invention discloses a reference voltage generating device, relating to the field of semiconductor technology. The reference voltage generator comprises a first switch connected between a first power rail and the output node; second switch connected between second power rail and the output node; the first positive feedback module, for applying a first feedback signal to the first switch to control the first switch, when the reference voltage output node. When the first feedback signal voltage increases; when the reference voltage is reduced, so that the first feedback signal voltage is reduced; second positive feedback module, for applying a second feedback signal to the second switch, the second switch to control the conducting degree, when the reference voltage output node increases, the second feedback signal when the reference voltage is increased; the voltage is reduced, so that the second feedback signal voltage decreases; the withstand voltage of the first switch and the second switch is lower than that of the first and second power rail The power rail provides the first power domain voltage between the two.

【技术实现步骤摘要】
参考电压发生装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种参考电压发生装置。
技术介绍
随着微电子技术的发展，高速和低功耗在集成电路中变得越来越重要。然而，在半导体器件的制造工艺中，随着器件尺寸的减小，器件的耐受电压成为限制。例如，可以通过减小栅极氧化物的厚度来提高操作速度，但是这会限制在栅极氧化物上所允许的电场强度。当操作电源电压高于栅极氧化物所允许的电压时，如果没有以预定参考电压来控制的保护器件，传统的输入输出I/O结构将不能正常工作。一种现有的参考电压发生器包括两个串联连接的电阻，参考电压的大小取决于两个电阻的阻值。为了减小静态电流，两个电阻的阻值必须足够大。但是，当参考电压连接到负载(例如，I/O结构的输出驱动器)时，负载的某些电特性(例如，等效电容等)会导致参考电压产生波动偏离期望值。并且，两个电阻的阻值越大，参考电压恢复到正常水平所消耗的时间越长。因此，需要一种参考电压发生装置，其能够在参考电压偏离时，使参考电压快速恢复到期望值。
技术实现思路
本公开的一个实施例的目的在于提供一种参考电压发生装置，其能够在参考电压偏离期望值时，使得参考电压快速恢复到期望值。根据本公开的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压发生装置，其特征在于，包括：第一开关，连接在第一电源轨与输出节点之间；第二开关，连接在第二电源轨与所述输出节点之间；第一正反馈模块，用于向所述第一开关施加第一反馈信号，以控制所述第一开关的导通程度；第二正反馈模块，用于向所述第二开关施加第二反馈信号，以控制所述第二开关导通程度；其中，当输出节点输出的参考电压增大时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压增大，从而第一开关导通程度减小，并且第二正反馈模块使所述第二反馈信号电压增大，从而第二开关导通程度增大；当输出节点输出的参考电压减小时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压减小，从而第一开关导通程度增大，并且第二正反馈模块使所述第二反馈...

【技术特征摘要】
1.一种参考电压发生装置，其特征在于，包括：第一开关，连接在第一电源轨与输出节点之间；第二开关，连接在第二电源轨与所述输出节点之间；第一正反馈模块，用于向所述第一开关施加第一反馈信号，以控制所述第一开关的导通程度；第二正反馈模块，用于向所述第二开关施加第二反馈信号，以控制所述第二开关导通程度；其中，当输出节点输出的参考电压增大时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压增大，从而第一开关导通程度减小，并且第二正反馈模块使所述第二反馈信号电压增大，从而第二开关导通程度增大；当输出节点输出的参考电压减小时，第一正反馈模块使所述第一反馈信号电压减小，从而第一开关导通程度增大，并且第二正反馈模块使所述第二反馈信号电压减小，从而第二开关导通程度减小；其中，所述第一电源轨和第二电源轨两者之间提供第一电源域电压；所述第一开关和所述第二开关的耐受电压低于所述第一电源域电压。2.根据权利要求1所述的参考电压发生装置，其特征在于，所述第一正反馈模块根据所述输出节点输出的参考电压和比较电压的比较向所述第一开关施加所述第一反馈信号；所述第二正反馈模块根据所述输出节点输出的参考电压和比较电压的比较向所述第二开关施加所述第二反馈信号。3.根据权利要求2所述的参考电压发生装置，其特征在于，所述第一正反馈模块包括第一差分放大器；所述第一差分放大器的一个输入连接至所述输出节点，另一个输入接收比较电压；所述第一差分放大器的输出端输出所述第一反馈信号。4.根据权利要求3所述的参考电压发生装置，其特征在于，所述第一差分放大器包括：左支电路部分，包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中，所述第一PMOS晶体管连接在第一节点和第二节点之间；所述第二PMOS晶体管连接在所述第一节点和所述第一电源轨之间；右支电路部分，包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管，其中，所述第三PMOS晶体管连接在所述第二节点和第三节点之间；所述第四PMOS晶体管连接在所述第三节点和所述第一电源轨之间；第一电流源，连接在所述第二节点和所述第二电源轨之间；其中，所述第一PMOS晶体管的栅极连接至所述输出节点，所述第三PMOS晶体管的栅极接收比较电压；所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第三节点，所述第四PMOS晶体管的栅极连接至所述第一节点；所述第一节点作为所述输出端输出所述第一反馈信号。5.根据权利要求4所述的参考电压发生装置，其特征在于，所述第一电流源由NMOS晶体管形成。6.根据权利要求5所述的参考电压发生装置，其特征在于，所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第三PMOS晶体管、所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恺，陈捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31