SiC单晶的制造方法及制造装置制造方法及图纸
Method and apparatus for manufacturing SiC single crystal
The invention relates to a method and a device for manufacturing SiC single crystals. A method for producing a SiC single crystal capable of maintaining a concave shape of a growth surface without causing inclusion to cause the growth of a SiC single crystal. Manufacturing method of SiC single crystal, which is to keep to keep the seed seed crystal substrate with axial temperature gradient decreases from inside to the surface temperature of the contact Si C solution, the manufacturing method, so that the SiC SiC single crystal crystal crystal growth, crystal axis and axis has remained at the bottom of the seed the shaft portion of the holding portion of the shaft diameter of D1 relative to the seed of the holding portion of D2 diameter ratio D1/D2 is less than 0.28.
【技术实现步骤摘要】
SiC单晶的制造方法及制造装置
本公开涉及SiC单晶的制造方法。
技术介绍
SiC单晶在热学、化学方面非常稳定、机械强度优异、耐放射线方面强，而且与Si单晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的热导率等优异的物理性质。因此，可实现Si单晶和GaAs单晶等现有半导体材料不能实现的高输出、高频、耐电压、耐环境性等，作为可进行大电力控制和节能的功率器件材料、高速大容量信息通信用器件材料、车载用高温器件材料、耐放射线器件材料等这样宽范围的新一代半导体材料的期待正在高涨。以往，作为SiC单晶的生长方法，代表性的已知有气相法、艾奇逊(Acheson)法和溶液法。在气相法中，例如在升华法中，虽然具有在所生长的单晶中易于产生被称作微管缺陷的中空贯穿状的缺陷、层叠缺陷等晶格缺陷和多晶型等的缺点，但以往，SiC块状单晶大多通过升华法制造，也进行了减少生长晶体的缺陷的尝试。在艾奇逊法中，使用硅石和焦炭作为原料并在电炉中进行加热，因此，因原料中的杂质等而不可能得到结晶性高的单晶。而且，溶液法为如下方法：在石墨坩埚中形成Si熔液或熔解了Si以外的金属的Si熔液，使C溶解到该熔液中，使SiC结晶层在...
【技术保护点】
SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种保持轴具有轴部和在所述轴部的下端的晶种保持部，所述轴部的直径D1相对于所述晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。
【技术特征摘要】
2016.01.12 JP 2016-0036341.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种保持轴具有轴部和在所述轴部的下端的晶种保持部，所述轴部的直径D1相对于所述晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种保持部的周缘部的厚度大于所述晶种保持部的中央部的厚度。3.SiC单晶的制造装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：加渡干尚，大黑宽典，楠一彦，关和明，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，新日铁住金株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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