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本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从...
该专利属于丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社授权不得商用。

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