The utility model relates to an ion drift tube assembly, an ion drift tube and an ion mobility spectrum. The ion drift tube assembly comprises an annular structure of the insulating substrate, the substrate is arranged on the outside surface of the insulation conductive material coating, through an insulating substrate and a conductive material layer is arranged on the connecting pin and electrically conductive coating layer on the outer surface of the divider resistance. The ion drift tube has the advantages of uniform electric field distribution, high resolution, strong qualitative ability, and convenient assembly and maintenance.
【技术实现步骤摘要】
离子漂移管组件、离子漂移管及离子迁移谱
本技术涉及物质分析检测仪器
,特别是涉及物质分析检测仪器中的离子漂移管组件、离子漂移管及离子迁移谱。
技术介绍
离子迁移谱(IMS)、选择离子流动管质谱(SIFT-MS)或质子转移反应质谱(PTR-MS)等现代科学分析仪器,需要使用能够形成线性匀强电场的漂移管实现离子的分离或促进离子反应。其中离子迁移谱(IMS)是在大气压条件下利用电离手段使得气体化的待检测物质电离,并在电场与反向迁移气体碰撞的共同作用下迁移。因为每个离子都具有特定的迁移率,从而根据迁移率识别每个离子所对应的物质。漂移管电场的均匀性对离子迁移谱的分辨率至关重要,漂移管电场均匀性越好,离子信号峰宽加宽程度越低,分辨率越高,定性能力越强。传统的漂移管采用较厚的金属环电极和绝缘垫片组成的离子漂移管组件依次堆叠形成漂移管。由于电极厚度较大,漂移管中产生的电场不均匀,尤其在漂移管中靠近电极边缘的地方,电场分布的不均匀性更加突出,导致位于边缘部分的离子奋力时间较长且不稳定,从而降低迁移谱的分辨率。以不锈钢为例,电极之间的距离为10mm,如果电极厚度为1mm,则边缘处电场的不均匀度约为10%,如果电极厚度减少为0.1mm,则边沿电场不均匀性降低为1%左右。但是由于材料强度和形状等因素限制,金属环电极厚度越小,加工装配难度越大,漂移管的生产成本比较高。而且,为了给金属环电极施加电压,需要从电极上引线并串联电阻,这样在装配和维护等方面也很不方便。
技术实现思路
基于此,有必要针对电场不均匀性和装配维护不方便问题,提供一种离子漂移管组件、离子漂移管及离子迁移谱。一种离子漂 ...
【技术保护点】
一种离子漂移管组件,其特征在于,包括:绝缘基片,所述绝缘基片为环状结构,所述绝缘基片端部设有贯穿通过所述绝缘基片的第一通孔;导电材料镀层,所述导电材料镀层设在所述绝缘基片外侧表面;所述导电材料镀层端部设有贯穿通过所述导电材料镀层的第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔相连通;连接插针,所述连接插针贯穿通过所述第一通孔与所述第二通孔;以及分压电阻,所述分压电阻设在所述导电材料镀层的外侧表面。
【技术特征摘要】
1.一种离子漂移管组件,其特征在于,包括:绝缘基片,所述绝缘基片为环状结构,所述绝缘基片端部设有贯穿通过所述绝缘基片的第一通孔;导电材料镀层,所述导电材料镀层设在所述绝缘基片外侧表面;所述导电材料镀层端部设有贯穿通过所述导电材料镀层的第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔相连通;连接插针,所述连接插针贯穿通过所述第一通孔与所述第二通孔;以及分压电阻,所述分压电阻设在所述导电材料镀层的外侧表面。2.根据权利要求1所述的离子漂移管组件,其特征在于,所述绝缘基片的内径为10mm~30mm,外径为50mm~70mm,厚度为5mm~15mm。3.根据权利要求1所述的离子漂移管组件,其特征在于,所述绝缘基片的材料为陶瓷,其截面为圆形。4.根据权利要求1所述的离子漂移管组件,其特征在于,所述导电材料镀层的厚度为2μm~15μm。5.根据权利要求1所述的离子漂移管...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪义,谭国斌,高伟,乔佳,喻佳俊,苏海波,刘丹,
申请(专利权)人:广州智纯科学仪器有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。