【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺设备
，具体涉及一种质谱离子注入系统的质量分析器。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，离子注入(implantation)是半导体进行掺杂形成器件掺杂区域的重要方法，如形成场效应器件中的阱区、沟道区、源漏区等等。离子注入是将待掺杂原子(分子)电离，加速到一定能量后注入到晶片特定区域中，再经退火激活达到掺杂目的。典型的离子注入系统包括用于由可电离源材料产生正电荷离子的离子源、质量分析器、扫描系统、平行器和剂量测量系统。所述离子源产生的离子形成离子束并沿着预定的路径投向注入位置进行离子注入，在离子注入的过程中，所需的离子要求具有固定的电荷-质量比，而所述离子源产生的离子中不仅包含电荷-质量比符合要求的离子，可能还会包括电荷-质量比大于所需电荷-质量比的离子，电荷-质量比小于所需电荷质量比的离子和不需要的中性的离子。这些不符合要求和不需要的离子的存在，会对离子注入的效果产生影响，因此，在所述离子束到达注入位置之前必须将这些不需要的离子去除掉。现有技术中主要采用质量分析器用于分离不同电荷-质量比的离子，以确保到达半导体晶片或其他目标的所需要区...
【技术保护点】
一种质谱离子注入系统的质量分析器，适于分离离子束中不同电荷‑质量比的离子，其特征在于，在所述质量分析器的内壁包括覆盖于其表面的离子撞击区域和保护区域，所述保护区域包括若干凹槽，所述撞击区域嵌设于所述凹槽内。
【技术特征摘要】
1.一种质谱离子注入系统的质量分析器，适于分离离子束中不同电荷-质量比的离子，其特征在于，在所述质量分析器的内壁包括覆盖于其表面的离子撞击区域和保护区域，所述保护区域包括若干凹槽，所述撞击区域嵌设于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的质谱离子注入系统的质量分析器，其特征在于：所述保护区域为碳化硅层。3.根据权利要求1所述的质谱离子注入系统的质量...
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