MOS管电流采样电路和推挽电路制造技术

本发明专利技术涉及MOSFET技术领域，具体而言，涉及一种MOS管电流采样电路和推挽电路。该MOS管电流采样电路包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；二极管D1的阴极通过电阻R1与二极管D2的阳极连接，二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的源极接电源地；电阻R1的阻值远大于MOS管Q1的导通电阻；二极管D1的阳极与MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；电压采集端与二极管D2的阳极连接。推挽电路，包括上述MOS管电流采样电路、MOS管Q1和MOS管Q2。本发明专利技术提供的MOS管电流采样电路和推挽电路不需要串联到MOS管网络内即可监测MOS管的电流，降低了功率损耗、提高了效率，同时，可进一步缩小器件体积，降低器件成本。

MOS tube current sampling circuit and push-pull circuit

The invention relates to the technical field of MOSFET, in particular, relates to a MOS tube current sampling circuit and a push-pull circuit. The MOS tube current sampling circuit comprises a diode D1, a diode D2, a resistor R1 and a voltage acquisition end; the cathode of the diode D1 is connected with the anode resistance R1 and the diode D2, D2 and the cathode diode need drain current sampling MOS Q1 tube, MOS tube Q1 source power source resistance; R1 the resistance is far greater than the MOS Q1 on resistance; grid anode with MOS diode D1 tube Q1 driving voltage is connected; the anode voltage and the diode D2 is connected with the collection end. The push-pull circuit includes the above MOS tube current sampling circuit, the MOS tube Q1 and the MOS tube Q2. The invention provides a MOS tube current sampling circuit and push-pull circuit does not need to be connected in series to a MOS tube current within the network can be monitored MOS tube, reduce power loss and improve the efficiency, at the same time, can further reduce the size of the device and reduce the cost of devices.

【技术实现步骤摘要】
MOS管电流采样电路和推挽电路
本专利技术涉及MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)
，具体而言，涉及一种MOS管电流采样电路和推挽电路。
技术介绍
MOSFET是电源产品中常用的开关器件，对于MOSFET中流经电流的采样是完成对电源产品的闭环控制和可靠性设计的前提条件。传统的MOSFET电流采样一般是在MOSFET网络内串联电流检测器件。例如，在图1所示电路中，在MOS管Q1、Q2的网络内串联采样电阻Rs，通过检测电阻Rs上的电压来获取Q1、Q2的电流信息。这种通过在MOSFET网络内串联电流检测器件来对MOSFET进行电流采样的方式有如下缺点：1、需要串联电流采样器件到MOSFET网络内，由于MOSFET网络流经大电流，会造成较大功率损耗，降低效率。2、由于串联的电流采样器件功耗大，因而器件体积大、成本高。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种MOS管电流采样电路和推挽电路，以解决现有的MOSFET电流采样方式功率损耗大、效率低的问题。本专利技术是这样实现的：一种MOS管电流采样电路，包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q1的导通电阻；所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述电压采集端与所述二极管D2的阳极连接。进一步地，所述MOS管电流采样电路还包括二极管D3和二极管D4；所述二极管D3的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q2的源极接所述电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q2的导通电阻；所述二极管D3的阳极与所述MOS管Q2的栅极驱动电压端连接。进一步地，所述MOS管电流采样电路还包括数字信号处理芯片，所述数字信号处理芯片与所述电压采集端连接，通过所述电压采集端接收并处理所述压降信号。一种推挽电路，包括如上所述的MOS管电流采样电路，还包括如上所述的MOS管Q1和MOS管Q2。进一步地，所述MOS管Q1的栅极串联有电阻R2，MOS管Q1的栅极通过电阻R2与MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述MOS管Q2的栅极串联有电阻R3，MOS管Q2的栅极通过电阻R3与MOS管Q2的栅极驱动电压端连接。与现有技术相比，本专利技术提供的MOS管电流采样电路不需要串联到MOS管网络内即可监测MOS管的电流，降低了功率损耗、提高了效率，同时，可进一步缩小器件体积，降低器件成本。附图说明图1：本专利技术实施例提供的推挽电路的组成结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，也可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本专利技术实施例提供了一种推挽电路，如图1所示，该推挽电路包括变压器T1、电阻R2、电阻R3、MOS管Q1和MOS管Q2，另外还包括一MOS管电流采样电路。该MOS管电流采样电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R1和电压采集端3。该推挽电路中各元件的具体连接关系如图1所示。二极管D1的阴极通过电阻R1与二极管D2的阳极连接，二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的源极接电源地。电阻R1的阻值远大于MOS管Q1的导通电阻(如大于MOS管Q1导通电阻10倍以上)。二极管D1的阳极与MOS管Q1的栅极驱动电压端1连接。电压采集端3与二极管D2的阳极连接。二极管D3的阴极通过电阻R1与二极管D4的阳极连接，二极管D4的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极接电源地。电阻R1的阻值远大于MOS管Q2的导通电阻(如大于MOS管Q2导通电阻10倍以上)。二极管D3的阳极与MOS管Q2的栅极驱动电压端2连接。MOS管电流采样电路中，二极管D2和二极管D4为同特性二极管，各参数均相同，正向导通压降均为VD。MOS管电流采样电路用于对推挽电路中的MOS管Q1和MOS管Q2的电流进行采样。由于推挽电路的对称性，MOS管Q1和MOS管Q2交替导通、对称工作，流经MOS管Q1和MOS管Q2的电流同样具有对称性，可仅分析其中一个MOS管的电流采样原理，另一个MOS管的采样原理同理。以下说明以MOS管Q1的电流采样为例。由MOS管Q1的栅极驱动电压端1输出的驱动信号为高电平时，MOS管Q1导通。设流经MOS管Q1的电流为Id，MOS管Q1的导通电阻为Rdson，则当MOS管Q1导通时(此时MOS管Q2截止)有：VDS＝Id*Rdson+VD。其中，VDS为电压采集端3采集到的电压信号，其值应当为MOS管Q1漏极和源极之间的电压和二极管D2的正向压降之和。而Id由两部分组成，一部分为主功率电流Idz，另一部分为由MOS管Q1驱动电压(即MOS管Q1的栅极驱动电压端1输出的电压)经二极管D1，电阻R1，二极管D2及MOS管Q1形成的电流Idq，其中电流Idz就是需要采样的MOS管Q1的电流。当电阻R1的阻值远大于MOS管Q1的导通电阻Rdson时(如大于Rdson10倍以上)，电流Idz将远大于电流Idq，则可以忽略Idq，使上式变为：VDS＝Idz*Rdson+VD。由于VD、Rdson已知，检测到VDS就能得到Idz的值。可见，由二极管D1、电阻R1、二极管D2和电压采集端3构成了一个MOS管电流采样电路，实现了对流经MOS管Q1的电流的采样。同理，由二极管D3、电阻R1、二极管D4和电压采集端3可构成另一个MOS管电流采样电路，实现对流经MOS管Q2的电流的采样。该推挽电路中所包含的MOS管电流采样电路实际上是上述两个MOS管电流采样电路的结合，其中电阻R1和电压采集端3为两个MOS管电流采样电路共用。此外，MOS管Q1的栅极串联有电阻R2，MOS管Q1的栅极通过电阻R2与MOS管Q1的栅极驱动电压端1连接，MOS管Q2的栅极串联有电阻R3，MOS管Q2的栅极通过电阻R3与MOS管Q2的栅极驱动电压端2连接。该推挽电路还可包括数字信号处理芯片，将数字信号处理芯片与电压采集端3连接，通过电压采集端3接收并处理压降信号，从而计算得出流经MOS管Q1或MOS管Q2的电流。最后应说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管电流采样电路，其特征在于，包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q1的导通电阻；所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述电压采集端与所述二极管D2的阳极连接。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管电流采样电路，其特征在于，包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q1的导通电阻；所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述电压采集端与所述二极管D2的阳极连接。2.如权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，还包括二极管D3和二极管D4；所述二极管D3的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q2的源极接所述电源地；所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文江，徐鹏华，
申请(专利权)人：深圳陆巡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44