一种表面量子点湿度传感器芯片制造技术

本发明专利技术之目的是提供一种表面量子点湿度传感器芯片，包括由下而上的GaAs（砷化镓）衬底层、n型GaAs缓冲层、掩埋InGaAs量子点层和InGaAs表面量子点层，掩埋InGaAs量子点层左端台阶上淀积有第一二氧化硅钝化层，掩埋InGaAs量子点层右端台阶上淀积有第二二氧化硅钝化层，第二二氧化硅钝化层的右侧下部在n型GaAs缓冲层上淀积有第三二氧化硅钝化层，第三二氧化硅钝化层的上面淀积有Au/Ge/Ni合金下电极，InGaAs表面量子点层左边上面有第四二氧化硅钝化层，第四二氧化硅钝化层上沉积有Au/Ge/Ni合金上电极；本发明专利技术结构简单，生产制备方便，成本低，效果好，经济和社会效益显著。

Surface quantum dot humidity sensor chip

The purpose of the invention is to provide a quantum dot surface humidity sensor chip, including from GaAs (Shen Huajia) n type GaAs substrate layer, buffer layer, InGaAs layer and InGaAs buried quantum dots QDs surface layer deposition, buried InGaAs quantum dot layer on the first two steps left silicon oxide passivation layer, buried InGaAs quantum dots the right end of the steps layer deposited with second SiO2 passivation layer, on the right side of the lower second silica passivation layer in n GaAs buffer layer deposited on the SiO2 passivation layer third, above third SiO2 passivation layer is deposited Au/Ge/ Ni alloy electrode, the surface of InGaAs quantum dot layer left above fourth SiO2 passivation layer fourth deposited SiO2 passivation a layer of Au/Ge/Ni alloy electrode; the invention has the advantages of simple structure, convenient production, low cost, good effect, economy and society Remarkable benefit.

【技术实现步骤摘要】
一种表面量子点湿度传感器芯片
本专利技术涉及半导体电子器件，特别是一种表面量子点湿度传感器芯片。
技术介绍
量子点又称半导体纳米晶，与块体材料相比，其尺寸小、比表面积大、表面能高、表面原子比例大，当其粒径小于激子玻尔半径时，导致粒子的电子状态发生突变，从而显现出基本的小尺寸效应、表面效应、量子效应和宏观量子隧道效应；由于其独特的光电性质，如高的量子产率、长的荧光寿命、大的消光系数、强的光耐受性、窄的发射谱和较宽的激发光谱等，量子点的制备和应用引起了人们广泛的关注；尤其是在传感领域，量子点已经用于构建传感器，如离子传感器、生物传感器、荧光探针、医学成像和气敏传感器等。量子点的制备方法主要包括物理制备法和化学制备法两种，化学制备法主要用来合成CdSe、ZnS、CdS、CdTe、HgS等量子点材料，但是这些量子点材料在与目前的硅基和GaAs基等广泛使用的光电子器件集成方面存在巨大的挑战。相比而言，采用MOCVD、MBE等物理方法制备的III-V族量子点在系统集成方面具有天然的优势，如InGaAs、InP量子点等，已经广泛应用于激光器、红外探测器、太阳能电池等领域。上述量子点器件中，为了提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面量子点湿度传感器芯片，其特征是：包括由下而上的GaAs（砷化镓）衬底层（1）、n型GaAs缓冲层（2）、掩埋InGaAs量子点层（3）和InGaAs表面量子点层（4），掩埋InGaAs量子点层（3）上覆盖有一层GaAs，掩埋InGaAs量子点层（3）与n型GaAs缓冲层（2）左右两端均成台阶状结构，掩埋InGaAs量子点层（3）左端台阶上淀积有竖向的第一二氧化硅钝化层（5），且第一二氧化硅钝化层（5）与n型GaAs缓冲层（2）的端面平齐，掩埋InGaAs量子点层（3）右端台阶上淀积有垂直的第二二氧化硅钝化层（8），第二二氧化硅钝化层（8）的右侧下部在n型GaAs缓冲层（2）上淀积有横向...

【技术特征摘要】
1.一种表面量子点湿度传感器芯片，其特征是：包括由下而上的GaAs（砷化镓）衬底层（1）、n型GaAs缓冲层（2）、掩埋InGaAs量子点层（3）和InGaAs表面量子点层（4），掩埋InGaAs量子点层（3）上覆盖有一层GaAs，掩埋InGaAs量子点层（3）与n型GaAs缓冲层（2）左右两端均成台阶状结构，掩埋InGaAs量子点层（3）左端台阶上淀积有竖向的第一二氧化硅钝化层（5），且第一二氧化硅钝化层（5）与n型GaAs缓冲层（2）的端面平齐，掩埋InGaAs量子点层（3）右端台阶上淀积有垂直的第二二氧化硅钝化层（8），第二二氧化硅钝化层（8）的右侧下部在n型GaAs缓冲层（2）上淀积有横向的第三二氧化硅钝化层（7...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国东，刘小莲，徐永豪，王昊，杨莹丽，李国政，刘志刚，杨美荣，
申请(专利权)人：河南理工大学，
类型：发明
国别省市：河南,41