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本发明之目的是提供一种表面量子点湿度传感器芯片，包括由下而上的GaAs（砷化镓）衬底层、n型GaAs缓冲层、掩埋InGaAs量子点层和InGaAs表面量子点层，掩埋InGaAs量子点层左端台阶上淀积有第一二氧化硅钝化层，掩埋InGaAs量子...
该专利属于河南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南理工大学授权不得商用。

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