一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元，包括数字控制中心、脉冲继电器二、脉冲继电器一、可编程控制器、触摸屏、旁路可控硅组件一、逆变可控硅组件一、逆变可控硅组件二及旁路可控硅组件二，数字控制中心与脉冲继电器二、脉冲继电器一分别连接，脉冲继电器二的输出端分别连接旁路可控硅组件二、脉冲继电器二，脉冲继电器一的输出端分别连接旁路可控硅组件一、逆变可控硅组件一，脉冲继电器二、脉冲继电器一的输入端分别连接可编程控制器的输出端，可编程控制器的输入端连接触摸屏；本实用新型专利技术可有效避开另一组逆变回路，保护逆变可控硅，解决了现有并联谐振一拖二的电源中所存在的导致可控硅发热致损坏或加速老化的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元[
]本技术涉及实型铸造
，具体地说是一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元。[
技术介绍
]随着铸造行业的飞速发展，现代化的铸造车间越来越成为主流，相关行业对中频炉的要求也越来越高，传统的的10吨以下的电炉已不能满足现代化工厂的产能要求。国家对环保标准要求越来越高和中频熔化炉的不断技术突破，也促进了中频了在钢铁行业的应用，而钢铁行业的产能要求更加迫切的需要中频熔化炉在吨位容量上和单体额定功率上不断追求上限。随着中频熔化炉单台容量的吨位不断突破上限，中频熔化炉的功率极限也在不断突破上限，也使得中频熔化炉技术在多方面得到不断的创新。在中频熔化炉电源部分，分为串联谐振电源和并联谐振电源，由于两种电源工作原理不同，在功率越做越大的前提下，额定功率超过6000KW的单台熔炼设备，国内大部分采用并联谐振一拖二电源，因此未来并联谐振电源一拖二势必成为未来熔炼设备的主流。并联谐振一拖二的电源中，两组逆变回路是串联的，因此在单台逆变运行时，另一组逆变回路也需要同时工作进行续流，在设备处于此种状态运行过程中往往会出现续流的逆变回路只有单边导通，导致单边承受电流是额定电流值的2倍，从而导致可控硅发热致损坏或加速老化。[
技术实现思路
]本技术的目的就是要解决上述的不足而提供一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元，可以有效避开另一组逆变回路，保护逆变可控硅，解决了现有并联谐振一拖二的电源中所存在的导致可控硅发热致损坏或加速老化的问题。为实现上述目的设计一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元，包括数字控制中心1、脉冲继电器二2、脉冲继电器一3、可编程控制器4、触摸屏5、旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8及旁路可控硅组件二9，所述数字控制中心1与脉冲继电器二2、脉冲继电器一3分别连接，所述脉冲继电器二2的输出端分别连接旁路可控硅组件二9、脉冲继电器二2，所述脉冲继电器一3的输出端分别连接旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7，所述脉冲继电器二2、脉冲继电器一3的输入端分别连接可编程控制器4的输出端，所述可编程控制器4的输入端连接触摸屏5。所述旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9串联连接，所述逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8串联连接，所述旁路可控硅组件一6、旁路可控硅组件二9所在的支路与逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8所在的支路之间并联设置。所述旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9之间的线路电连接逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8之间的线路。本技术同现有技术相比，通过在两个逆变回路侧面各并联一组旁路可控硅，从而当其中单组逆变回路工作时，另一组的旁路可控硅打开续流，这样可以有效地避开另一组逆变回路，保护逆变可控硅，解决了现有并联谐振一拖二的电源中所存在的导致可控硅发热致损坏或加速老化的问题；此外，本技术所述的一拖二并联谐振电源逆变控制单元，随着逐步的推广，将得到广泛推广应用。[附图说明]图1是本技术的原理框图；图中：1、数字控制中心2、脉冲继电器二3、脉冲继电器一4、可编程控制器5、触摸屏6、旁路可控硅组件一7、逆变可控硅组件一8、逆变可控硅组件二9、旁路可控硅组件二。[具体实施方式]下面结合附图对本技术作以下进一步说明：如附图1所示，本技术包括：数字控制中心1、脉冲继电器二2、脉冲继电器一3、可编程控制器4、触摸屏5、旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8及旁路可控硅组件二9，数字控制中心1与脉冲继电器二2、脉冲继电器一3分别连接，脉冲继电器二2的输出端分别连接旁路可控硅组件二9、脉冲继电器二2，脉冲继电器一3的输出端分别连接旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7，脉冲继电器二2、脉冲继电器一3的输入端分别连接可编程控制器4的输出端，可编程控制器4的输入端连接触摸屏5；其中，旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9串联连接，逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8串联连接，旁路可控硅组件一6、旁路可控硅组件二9所在的支路与逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8所在的支路之间并联设置，旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9之间的线路电连接逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8之间的线路。本技术中，并联谐振一拖二电源增加旁路可控硅后，主要改进部分包括数字控制中心(DICU)、可编程控制器(PLC)、触摸屏(HMI)、脉冲切换继电器、旁路可控硅、逆变可控硅。例：并联谐振一拖二电源分为1号炉和2号炉，当系统启动单台1号炉时，PLC得到指令后，将2号炉的脉冲切换继电器切换到2号炉的旁路可控硅控制回路上，然后DICU发一个脉冲进行线路自检，自检成功后，DICU发开炉脉冲分别到1号炉的逆变可控硅和2号炉的旁路可控硅，系统正常工作。本技术的技术关键之处在于，当开炉信号发出后，PLC系统会在开炉前进行逻辑判断，分别将脉冲继电器切换的开炉信号要求的工作状态后，然后DICU会根据切换后的线路进行脉冲自检，只有自检正常系统才会进行下一步工作，如果不正常系统会自动终止开炉要求并发出相应的报警到屏幕，此时需要对脉冲线路进行检测排查故障。其中，数字控制中心，即变频器控制板，作用是对变频装置所有可控硅发脉冲，控制整个变频装置的交直交的过程。脉冲继电器二，作用是当得到单独启动1号炉的运行指令时，可编程控制器发信号给脉冲继电器二，使其将数字控制中心发来的脉冲线路切换至旁路可控硅二上。脉冲继电器一，作用是当得到单独启动2号炉的运行指令时，可编程控制器发信号给脉冲继电器一，使其将数字控制中心发来的脉冲线路切换至旁路可控硅一上。可编程控制器，作用是将当操作人员输入操作指令后，可编程控制器根据输入指令进行逻辑判断，并发出控制脉冲继电器的信号。触摸屏，作用是当脉冲继电器切换后，数字控制中心会发一个脉冲对切换后的脉冲线路进行自检，自检失败时，数据控制中心会将故障信息传送至可编程控制器和触摸屏，进而在触摸屏上显示响应的故障信息。旁路可控硅组件一，作用是当得到单独启动2号炉的运行指令时，脉冲继电器一将数字控制中心发送的脉冲信号切换至旁路可控硅，2号炉运行时，旁路可控硅一工作，旁通了逆变回路一。逆变可控硅组件一，作用是当1号炉运行时逆变可控硅组件工作，当2号炉单独运行时，1号炉逆变可控硅组件不工作。逆变可控硅组件二，作用是当2号炉运行时逆变可控硅组件工作，当1号炉单独运行时，2号炉逆变可控硅组件不工作。旁路可控硅组件二，作用是当得到单独启动1号炉的运行指令时，脉冲继电器二将数字控制中心发送的脉冲信号切换至旁路可控硅，1号炉运行时，旁路可控硅二工作，旁通了逆变回路二。本技术所述的系统安装完成后，需要调试三种状态：(1)1号炉单独运行，脉冲继电器一线路切换到逆变可控硅组件，脉冲继电器二脉冲线路切换到2号炉旁路可控硅组件。(2)2号炉单独运行，脉冲继电器二线路切换到2号炉逆变可控硅组件，脉冲继电器一脉冲线路切换到1号炉旁路可控硅组件。(3)2号炉同时运行，脉冲继电器一线路切换到1号炉逆变可控硅组件，脉冲继电器二线路切换到2号炉逆变可控硅组件。分别在以上三种状态下满功率运行时，监测各元器件温度，低于72℃属于正常。本技术并不受上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元，其特征在于：包括数字控制中心(1)、脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)、可编程控制器(4)、触摸屏(5)、旁路可控硅组件一(6)、逆变可控硅组件一(7)、逆变可控硅组件二(8)及旁路可控硅组件二(9)，所述数字控制中心(1)与脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)分别连接，所述脉冲继电器二(2)的输出端分别连接旁路可控硅组件二(9)、脉冲继电器二(2)，所述脉冲继电器一(3)的输出端分别连接旁路可控硅组件一(6)、逆变可控硅组件一(7)，所述脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)的输入端分别连接可编程控制器(4)的输出端，所述可编程控制器(4)的输入端连接触摸屏(5)。

【技术特征摘要】
1.一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元，其特征在于：包括数字控制中心(1)、脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)、可编程控制器(4)、触摸屏(5)、旁路可控硅组件一(6)、逆变可控硅组件一(7)、逆变可控硅组件二(8)及旁路可控硅组件二(9)，所述数字控制中心(1)与脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)分别连接，所述脉冲继电器二(2)的输出端分别连接旁路可控硅组件二(9)、脉冲继电器二(2)，所述脉冲继电器一(3)的输出端分别连接旁路可控硅组件一(6)、逆变可控硅组件一(7)，所述脉冲继电器二(2)、脉冲继电器一(3)的输入端分别连接可编程控制器(4)的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜兴华，
申请(专利权)人：埃博普感应系统上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31