一种可修复氮化硅界面复合态的方法技术

本发明专利技术公开了一种可修复氮化硅界面复合态的方法，将原先的等离子体预处理步骤更改到了中间，即沉积完一层膜后再开始等离子体预处理，将原先的步骤：等离子体预处理→沉积第一层膜→沉积第二层膜的过程改为沉积第一层膜→等离子体预处理→沉积第二层膜→沉积第三层膜。这样不仅氧化层受到了保护，提高了抗电势诱导衰减效果，同时在沉积完了第二层膜后，氮化硅的活性比较高，在界面区域容易产生复合，增加一层等离子体预处理，可以使沉积的氮化硅界面的复合得到比较好的修复，减少复合的产生，增强了晶硅电池的钝化效果，提升电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种可修复界面复合态的方法
本专利技术涉及太阳能电池生产领域，特别涉及一种可修复界面复合态的方法。
技术介绍
太阳能电池的镀膜过程是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，根据薄膜的干涉原理，在电池表面镀一层或多层薄膜，可以有效减少光的反射，这种膜属于减反射膜，氮化硅膜作为太阳能电池的减反射膜，如果将氮化硅膜设计成不同厚度的多层膜，合理匹配各层膜之间的膜厚与折射率，就可以拓展电池对光的吸收，进一步降低硅片的光反射，还可以使电池的转换效率明显提高，同时也可以提高氮化硅膜对电池的钝化效果。传统的的氮化硅膜在沉积前，有一步等离子体预处理，会对硅片表面进行吹扫，容易将抗电势诱导衰减的氧化层损伤；同时双层氮化硅减反射膜是连续沉积的，可以一定程度扩大薄膜的反射带增加光吸收，但也存在一些问题，如沉积的高活性的氮化硅薄膜的界面地方复合严重，导致钝化效果不好，短波光吸收较少等。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术提供了一种可修复界面复合态的方法，增强晶硅太阳能电池的抗电势诱导效果，同时减少电池氮化硅薄膜界面的复合，提高晶硅太阳能电池的转换效率。本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可修复界面复合态的方法，按照如下的步骤进行：步骤一，沉积一，将硅片放入镀膜炉管中，保持载舟温度为400-500℃，以2-10℃/min的速率升温至440-500℃进行沉积，按照压力1500mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间100s；步骤二、等离子体预处理，温度为455℃，按照压力1500mTor,氨气流量3000slm，氮气流量3000slm，射频功率6200瓦，最大电流30A，脉冲开6ms，脉冲关12ms的标准进行等离子体预处理，预处理时间18s；步骤三，沉积二，按照温度为455℃，压力1500mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间90s；步骤三，沉积三，按照温度为455℃，压力1600mTor,氨气流量5400slm，硅烷流量750sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间390s。本专利技术的有益效果是：将原先的等离子体预处理步骤更改到了中间，即沉积完一层膜后再开始等离子体预处理，将原先的步骤：等离子体预处理→沉积第一层膜→沉积第二层膜的过程改为沉积第一层膜→等离子体预处理→沉积第二层膜→沉积第三层膜。这样不仅氧化层受到了保护，提高了抗电势诱导衰减效果，同时在沉积完了第二层膜后，氮化硅的活性比较高，在界面区域容易产生复合，增加一层等离子体预处理，可以使沉积的氮化硅界面的复合得到比较好的修复，减少复合的产生，增强了晶硅电池的钝化效果，提升电池的转换效率。具体实施方式本专利技术在原生产工艺基础上进行了改进，但是本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。1.沉积一，将硅片放入镀膜炉管中，保持载舟温度为400-500℃，以2-10℃/min的速率升温至440-500℃进行沉积，按照压力1500mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间100s；2.等离子体预处理，温度为455℃，按照压力1500mTor,氨气流量3000slm，氮气流量3000slm，射频功率6200瓦，最大电流30A，脉冲开6ms，脉冲关12ms的标准进行等离子体预处理，预处理时间18s；3.沉积二，按照温度为455℃，压力1500mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间90s；4.沉积三，按照温度为455℃，压力1600mTor,氨气流量5400slm，硅烷流量750sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积时间390s；5.工艺结束后，降温卸载硅片。运用传统镀膜工艺与新镀膜工艺所生产的电池片效率及参数对比图表说明：从表的对比数值可以看出，镀膜工艺改进后所生产电池片效率提高约有0.10%，各项参数（开路电压与短路电流）指标也相应提高，反映了电池品质的提升。本专利通过对镀膜生产工艺的调节，通过三步沉积氮化硅薄膜，优化了镀膜工艺，对提高晶硅电池转换效率起到了明显效果。以上所述仅为本专利技术示意性的具体实施方式，并非用以限定本专利技术的范围。任何本领域的技术人员，在不脱离本专利技术的构思和原则的前提下所作的等同变化、修改与结合，均应属于本专利技术保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可修复界面复合态的方法，其特征在于：按照如下的步骤进行：步骤一，沉积一，将硅片放入镀膜炉管中，保持载舟温度为400‑500℃，以2‑10℃/min的速率升温至440‑500℃进行沉积，按照压力1500 mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间100s；步骤二、等离子体预处理，温度为455℃，按照压力1500mTor,氨气流量3000slm，氮气流量3000slm，射频功率6200瓦，最大电流30A，脉冲开6ms，脉冲关12ms的标准进行等离子体预处理，预处理时间18s；步骤三，沉积二，按照温度为455℃，压力1500 mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间90s；步骤三，沉积三，按照温度为455℃，压力1600 mTor,氨气流量5400slm，硅烷流量750sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间390s。

【技术特征摘要】
1.一种可修复界面复合态的方法，其特征在于：按照如下的步骤进行：步骤一，沉积一，将硅片放入镀膜炉管中，保持载舟温度为400-500℃，以2-10℃/min的速率升温至440-500℃进行沉积，按照压力1500mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间100s；步骤二、等离子体预处理，温度为455℃，按照压力1500mTor,氨气流量3000slm，氮气流量3000slm，射频功率6200瓦...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静，乐雄英，钞智权，邓行平，衣玉林，王学成，吴帅，王超，
申请(专利权)人：苏州润阳光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32