一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构制造技术

本实用新型专利技术属于LVDT位移传感器设计技术，涉及一种改进的LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构。包括端盖(1)、压套(2)和铜网屏蔽套(3)；其特征在于：压套(2)的上端面高出端盖(1)上端面的高度h＝3mm～6mm。本实用新型专利技术提出一种改进的LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，以便提高铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部的刚度，在多次反复弯折时避免发生断丝现象，杜绝铜网屏蔽套3整体断裂故障，保证引出线屏蔽保护结构的抗干扰能力，增强LVDT位移传感器工作的可靠性。

Shielding structure of LVDT displacement sensor outlet line

The utility model belongs to the design technique of a LVDT displacement sensor, in particular to an improved LVDT displacement sensor shielding structure for lead out lines. The utility model comprises an end cover (1), a press sleeve (2) and a copper net shielding sleeve (3). The utility model is characterized in that the upper end face of the pressing sleeve (2) is higher than the height of the upper end face of the end cover (1) H = 3mm to 6mm. The utility model provides a lead wire shielding structure of a LVDT displacement sensor is improved, so as to improve the copper shield sleeve 3 and end cover 1 on the face corresponding to the root stiffness, avoid the phenomenon of broken wire in repeated bending, eliminate copper shield 3 overall fracture failure, ensure lead shielding protection the structure of anti-interference ability, enhance the reliability of LVDT displacement sensor work.

【技术实现步骤摘要】
一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构
本技术属于LVDT位移传感器设计技术，涉及对LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构的改进。
技术介绍
目前的一种LVDT位移传感器的引出线屏蔽保护结构参见图1，包括端盖1、压套2和铜网屏蔽套3；端盖1是一个圆环，端盖1的内孔是上小下大的台阶孔；压套2是一个具有台阶轴外形的圆筒，压套2的上筒外径小于下筒外径；铜网屏蔽套3是由铜丝编织网制造的圆筒,在铜网屏蔽套3的下端有法兰；铜网屏蔽套3的下端套在压套2上筒的外面并与压套2焊接为整体，压套2的下筒位于端盖1内孔的下段孔内并保持过盈配合，铜网屏蔽套3穿过端盖1内孔的上段孔向上伸出，压套2的上端面与端盖1的上端面齐平。其缺点是：在使用过程中，铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部在LVDT位移传感器使用过程中，外力对屏蔽套进行反复弯折，多次反复弯折容易发生断丝直至铜网屏蔽套3整体断裂，导致LVDT位移传感器抗干扰能力下降。
技术实现思路
本技术的目的是：提出一种改进的LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，以便提高铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部的刚度，在多次反复弯折时避免发生断丝现象，杜绝铜网屏蔽套3整体断裂故障，保证引出线屏蔽保护结构的抗干扰能力，增强LVDT位移传感器工作的可靠性。本技术的技术方案是：一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，包括端盖1、压套2和铜网屏蔽套3；端盖1是一个圆环，端盖1的内孔是上小下大的台阶孔；压套2是一个具有台阶轴外形的圆筒，压套2的上筒外径小于下筒外径；铜网屏蔽套3是由铜丝编织网制造的圆筒；铜网屏蔽套3的下端套在压套2上筒的外面并与压套2焊接为整体，压套2的下筒位于端盖1内孔的下段孔内并保持过盈配合，铜网屏蔽套3穿过端盖1内孔的上段孔向上伸出；其特征在于：压套2的上端面高出端盖1上端面的高度h＝3mm～6mm。本技术的优点是：提出了一种改进的LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，大大提高了铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部的刚度，在多次反复弯折时避免了发生断丝现象，杜绝了铜网屏蔽套3整体断裂故障，保证了引出线屏蔽保护结构的抗干扰能力，增强了LVDT位移传感器工作的可靠性。附图说明图1是目前的一种LVDT位移传感器的引出线屏蔽保护结构示意图。图2是本技术的结构示意图。具体实施方式下面对本技术做进一步详细说明。参见图2，一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，包括端盖1、压套2和铜网屏蔽套3；端盖1是一个圆环，端盖1的内孔是上小下大的台阶孔；压套2是一个具有台阶轴外形的圆筒，压套2的上筒外径小于下筒外径；铜网屏蔽套3是由铜丝编织网制造的圆筒；铜网屏蔽套3的下端套在压套2上筒的外面并与压套2焊接为整体，压套2的下筒位于端盖1内孔的下段孔内并保持过盈配合，铜网屏蔽套3穿过端盖1内孔的上段孔向上伸出；其特征在于：压套2的上端面高出端盖1上端面的高度h＝3mm～6mm。本技术的工作原理是：由于压套2的上端面高出端盖1的上端面，在铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部，铜网屏蔽套3里面多了一个压套2的上筒，从而大大提高了铜网屏蔽套3与端盖1上端面对应的根部的刚度。实施例，压套2的上端面高出端盖1上端面的高度h＝4mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，包括端盖(1)、压套(2)和铜网屏蔽套(3)；端盖(1)是一个圆环，端盖(1)的内孔是上小下大的台阶孔；压套(2)是一个具有台阶轴外形的圆筒，压套(2)的上筒外径小于下筒外径；铜网屏蔽套(3)是由铜丝编织网制造的圆筒；铜网屏蔽套(3)的下端套在压套(2)上筒的外面并与压套(2)焊接为整体，压套(2)的下筒位于端盖(1)内孔的下段孔内并保持过盈配合，铜网屏蔽套(3)穿过端盖(1)内孔的上段孔向上伸出；其特征在于：压套(2)的上端面高出端盖(1)上端面的高度h＝3mm～6mm。

【技术特征摘要】
1.一种LVDT位移传感器引出线屏蔽保护结构，包括端盖(1)、压套(2)和铜网屏蔽套(3)；端盖(1)是一个圆环，端盖(1)的内孔是上小下大的台阶孔；压套(2)是一个具有台阶轴外形的圆筒，压套(2)的上筒外径小于下筒外径；铜网屏蔽套(3)是由铜丝编织网制造的圆筒...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵威，解晋，张卓，
申请(专利权)人：北京曙光航空电气有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11