用于横截面视图薄层的背侧打薄的高吞吐量TEM制备工艺和硬件制造技术

一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB‑SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。

A high throughput TEM fabrication process and hardware for backside thinning of cross-sectional views of thin layers are presented

A method for TEM sample preparation and analysis, this method can be used for FIB SEM system, without the need to flip Taiwan thin layer or motorized heavy welding, unloading, handling user. This method allows with double beam FIB SEM system typical tilt table is used to extract the sample to form a substrate, samples will be installed to the TEM sample holder can tilt the FIB, with the sample thinning, milling and rotating the sample so that the sample surface is perpendicular to the electric Zi Zhu STEM imaging.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于横截面视图薄层的背侧打薄的高吞吐量TEM制备工艺和硬件
本专利技术涉及用于在带电粒子束系统中观察的样品的制备。
技术介绍
带电粒子束显微术（如扫描离子显微术和电子显微术）提供了比光学显微术显著更高的分辨率和更大的焦深。在扫描电子显微镜（SEM）中，初级电子束被聚焦到对有待观察的表面进行扫描的细斑点。当表面被初级电子束冲击时，从该表面发出次级电子。检测次级电子并形成图像，其中，该图像上每个点处的亮度由束冲击表面上的相应斑点时检测到的次级电子的数量来确定。扫描离子显微术（SIM）与扫描电子显微术类似，但是离子束用于扫描表面并发射次级电子。在透射电子显微镜（TEM）中，宽电子束冲击样品，并且透射穿过样品的电子被聚焦以形成样品的图像。样品必须足够薄以允许初级束中的许多电子行进穿过样品并在相反位置上射出。样品厚度通常小于100nm。在扫描透射电子显微镜（STEM）中，初级电子束被聚焦到细斑点上，并且跨样品表面对该斑点进行扫描。透射穿过工件的电子由位于样品远侧上的电子检测器收集起来，并且图像上每个点的强度对应于当初级束冲击表面上的相应点时所收集的电子的数量。因为样品必须很薄以便用透射电子显微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备样品以用于成像的方法，该样品从工件形成并具有顶侧和背侧，通过使用从该背侧引导的离子束将该样品打薄而制备该样品以用于成像，该方法包括：将探针附装至该样品的顶侧上，该探针与该样品的顶面形成第一角度；从该工件提取该样品；将该探针旋转180度，从而将该样品的顶面的定向从水平位置改变至调换位置；将该样品附装至可倾斜的样品支座上，从而使得该样品的顶面与样品支座的平面垂直；将该样品支座倾斜，从而使得该样品支座的平面被定向为相对于样品台在90度，其中，该样品的背侧背朝该样品台；将该样品台倾斜，使得该样品的顶面被定向为与FIB柱的光轴近似地垂直，其中，该样品的背侧面朝该FIB柱；通过使用该离子束从该...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.01 US 61/565506;2011.12.09 US 61/5690891.一种用于制备样品以用于成像的方法，该样品从工件形成并具有顶侧和背侧，通过使用从该背侧引导的离子束将该样品打薄而制备该样品以用于成像，该方法包括：将探针附装至该样品的顶侧上，该探针与该样品的顶面形成第一角度；从该工件提取该样品；将该探针旋转180度，从而将该样品的顶面的定向从水平位置改变至调换位置；将该样品附装至可倾斜的样品支座上，从而使得该样品的顶面与样品支座的平面垂直；将该样品支座倾斜，从而使得该样品支座的平面被定向为相对于样品台在90度，其中，该样品的背侧背朝该样品台；将该样品台倾斜，使得该样品的顶面被定向为与FIB柱的光轴近似地垂直，其中，该样品的背侧面朝该FIB柱；通过使用该离子束从该背侧铣削该样品来从该样品的第一侧将该样品打薄；将台旋转180度；以及通过使用该离子束从该背侧铣削该样品来从该样品的第二侧将该样品打薄，所述从该第二侧将该第二侧打薄产生表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：P基迪，B彼得森，G达斯，C亨利，L德沃金，J布莱克伍德，S斯通，M施米德特，
申请(专利权)人：FEI公司，
类型：发明
国别省市：美国,US