复合阻障层及其制造方法技术

一种复合阻障层及其制造方法。复合阻障层包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层。第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例。第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例。复合阻障层可具有良好的阻水能力与阻气能力。

【技术实现步骤摘要】
复合阻障层及其制造方法
本专利技术是涉及一种阻障层结构及其制造方法，且特别是涉及一种复合阻障层及其制造方法。
技术介绍
电子元件的阻水能力是影响电子元件使用寿命的重要关键。以有机发光二极管(OLED)显示器为例(如，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器)，一般OLED软性面板显示器所使用的基板为塑胶基板(如，PET与PES等)，但塑胶基板的阻水能力与阻气能力差，若以塑胶基板作为OLED软性面板显示器的基板将难以防止水与氧渗透的问题。由于显示器与发光元件中的高分子有机发光层及高活性电极材料(如Ca、Mg等)对水与氧的敏感度极高，因此当大气中的水与氧渗透塑胶基板时，会导致元件发生辉度降低、驱动电压上升、暗点及短路等问题。因此，封装技术的开发对电子元件技术而言极为重要。目前，用于电子元件的封装结构，主要是以真空溅镀法或是等离子体辅助化学气相沉积法制成的有机与无机多层复合材料作为封装结构中的阻障层，以达到阻水与阻气的效果。然而，上述阻障层的制作方法在形成有机与无机多层堆迭结构时需要使用多个不同腔体来进行制作，而使得镀制阻障层的制程时间和生产成本提高。因此，如何在形成具有良好阻水能力与阻气能力的阻障层同时，降低阻障层的制程时间与生产成本，是本领域研究人员极欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种复合阻障层，其具有良好的阻水能力与阻气能力。本专利技术提供一种复合阻障层的制造方法，其可有效地降低制程时间与生产成本。本专利技术提供一种复合阻障层，包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层。第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例。第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层中，第一阻障层中的Si-O-Si线状键结与Si-O-Si网状键结的比值例如是1.2至6。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层中，第二阻障层中的Si-O-Si网状键结与Si-O-Si线状键结的比值例如是2至20。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层中，复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结还包括Si-O-Si笼状键结。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层中，复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结与Si-(CH3)x键结的比值例如是1至15。依照本专利技术一实施例所述，上述复合阻障层可用于作为电子元件的封装材料，其中复合阻障层中的第一阻障层例如是邻接于电子元件。依照本专利技术一实施例所述，上述电子元件例如是有机发光二极管(OLED)显示器或电泳显示器(Electro-PhoreticDisplay，EPD)。依照本专利技术一实施例所述，上述电子元件的基板例如是塑胶基板。依照本专利技术一实施例所述，上述塑胶基板的材料例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)或聚碳酸酯(PC)。本专利技术提供一种复合阻障层的制造方法，包括下列步骤。以固定制程气体比例提供氧化气体与硅烷类前驱物。藉由电源所激发的等离子体使氧化气体与硅烷类前驱物形成复合阻障层，在形成复合阻障层的过程中，将电源设定为具有多个不同的工作周期(dutycycle)。复合阻障层包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层。第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例。第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，氧化气体例如是氧气(O2)或一氧化二氮(N2O)。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，硅烷类前驱物例如是六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、原硅酸四乙酯(Tetraethylorthosilicate，TEOS)或四甲基环四硅氧烷(tetramethylcyclotetrasiloxane，TMCTS)。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，氧化气体与硅烷类前驱物的固定制程气体比例例如是2至10。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，电源可采用脉冲电源。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，工作周期分别可为1％至99％。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，工作周期的调整方式可进行由小渐增的模式至少一次或进行由小渐增再渐减的模式至少一次。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，第一阻障层中的Si-O-Si线状键结与Si-O-Si网状键结的比值例如是1.2至6。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，第二阻障层中的Si-O-Si网状键结与Si-O-Si线状键结的比值例如是2至20。依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结还包括Si-O-Si笼状键结依照本专利技术一实施例所述，在上述复合阻障层的制造方法中，复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结与Si-(CH3)x键结的比值例如是1至15。基于上述，由于本专利技术提出的复合阻障层包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层，且第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例，第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例，因此复合阻障层可具有良好的阻水能力与阻气能力，且可提高元件可靠度。此外，在本专利技术提供的复合阻障层的制造方法中，以固定制程气体比例提供氧化气体与硅烷类前驱物，且藉由具有多个不同的工作周期的电源所产生的等离子体使氧化气体与硅烷类前驱物连续地形成键结结构比例不同的多层阻障层，因此可在同一腔体中完成复合阻障层的制造，进而达到降低制造时间与降低生产成本的目的。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1为本专利技术一实施例的复合阻障层的制造流程图。图2为本专利技术一实施例的复合阻障层用于电子元件封装的示意图。图3为本专利技术第一实施例的复合阻障层的剖面示意图。图4为本专利技术第二实施例的复合阻障层的剖面示意图。图5为本专利技术第三实施例的复合阻障层的剖面示意图。图6A至图6D为藉由镀钙法(Catest)对本专利技术一实验例的样本进行测试的照片图。图7A至图7C为藉由镀钙法对比较例的样本进行测试的照片图。附图标记说明：100：电子元件102：基板200、200a、200b、200c：复合阻障层202a～202e、204a～204h、206a～206e：阻障层S100、S110：步骤【具体实施方式】图1为本专利技术一实施例的复合阻障层的制造流程图。请参照图1，进行步骤S100，以固定制程气体比例提供氧化气体与硅烷类前驱物。氧化气体例如是氧气(O2)或一氧化二氮(N2O)。硅烷类前驱物例如是六甲基二硅氧烷(HMDSO)、原硅酸四乙酯(TEOS)或四甲基环四硅氧烷(TMCTS)。氧化气体与硅烷类前驱物的固定制程气体比例例如是2至10。进行步骤S110，藉由电源所激发的等离子体使氧化气体与硅烷类前驱物形成复合阻障层，在形成复合阻障层的过程中，将电源设定为具有多个不同的工作周期。电源功率范围例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合阻障层，包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层，其中所述至少一层第一阻障层中的Si‑O‑Si线状键结比例高于Si‑O‑Si网状键结比例，所述至少一层第二阻障层中的Si‑O‑Si网状键结比例高于Si‑O‑Si线状键结比例。

【技术特征摘要】
2015.12.07 TW 1041409211.一种复合阻障层，包括堆迭设置的至少一层第一阻障层与至少一层第二阻障层，其中所述至少一层第一阻障层中的Si-O-Si线状键结比例高于Si-O-Si网状键结比例，所述至少一层第二阻障层中的Si-O-Si网状键结比例高于Si-O-Si线状键结比例。2.如权利要求1所述的复合阻障层，其中所述至少一层第一阻障层中的Si-O-Si线状键结与Si-O-Si网状键结的比值为1.2至6。3.如权利要求1所述的复合阻障层，其中所述至少一层第二阻障层中的Si-O-Si网状键结与Si-O-Si线状键结的比值为2至20。4.如权利要求1所述的复合阻障层，其中所述复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结还包括Si-O-Si笼状键结。5.如权利要求1所述的复合阻障层，其中所述复合阻障层的成份中的Si-O-Si键结与Si-(CH3)x键结的比值为1至15。6.如权利要求1所述的复合阻障层，其用于作为电子元件的封装材料，其中所述复合阻障层中的所述第一阻障层邻接于所述电子元件。7.如权利要求6所述的复合阻障层，其中所述电子元件包括有机发光二极管显示器或电泳显示器。8.如权利要求6所述的复合阻障层，其中所述电子元件的基板包括塑胶基板。9.如权利要求8所述的复合阻障层，其中所述塑胶基板的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚碳酸酯。10.一种复合阻障层的制造方法，包括：以固定制程气体比例提供氧化气体与硅烷类前驱物；以及藉由电源所激发的等离子体使所述氧化气体与所述硅烷类前驱物形成复合阻障层，在形成所述复合阻障层的过程中，将所述电源设...

【专利技术属性】
技术研发人员：林东颖，林昆蔚，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71