差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法技术

本发明专利技术描述了差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法的实施例。差分驱动器电路的实施例可包括：电流导引电路，所述电流导引电路被配置成确定通过所述差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，所述两个电阻器连接在所述差分驱动器电路的所述差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，所述第一半导体电路和第二半导体电路连接到所述两个电阻器之间的点。所述第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型。所述第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到所述两个电阻器之间的所述点。

【技术实现步骤摘要】
差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法
本专利技术涉及一种驱动器电路。
技术介绍
差分通信接口可以用于高速内置集成电路(IC)通信。然而，在高速差分通信中，保持信号完整性和实现低误码率可以是具有挑战性的。例如，由于阻抗失配引起的信号反射、共模噪声和串扰可引起符号间干扰的增大并因此引起误码率的增大。主要由串扰和由于阻抗失配引起的信号反射而引起的共模噪声可产生高电磁辐射，该高电磁辐射降低了系统性能。
技术实现思路
本专利技术描述了差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法的实施例。差分驱动器电路的实施例可包括：电流导引电路，该电流导引电路被配置成确定通过差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，该两个电阻器连接在差分驱动器电路的差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，该第一半导体电路和第二半导体电路连接到两个电阻器之间的点。第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型。第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到两个电阻器之间的点。在实施例中，两个电阻器的电阻值彼此相同。在实施例中，第一半导体电路和第二半导体电路的栅极端连接到不同的偏压。在实施例中，第一半导体电路包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种差分驱动器电路，其特征在于，所述差分驱动器电路包括：电流导引电路，所述电流导引电路被配置成确定通过所述差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，所述两个电阻器连接在所述差分驱动器电路的所述差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，所述第一半导体电路和第二半导体电路连接到所述两个电阻器之间的点，其中所述第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型，并且其中所述第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到所述两个电阻器之间的所述点。

【技术特征摘要】
2015.10.05 US 14/875,5821.一种差分驱动器电路，其特征在于，所述差分驱动器电路包括：电流导引电路，所述电流导引电路被配置成确定通过所述差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，所述两个电阻器连接在所述差分驱动器电路的所述差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，所述第一半导体电路和第二半导体电路连接到所述两个电阻器之间的点，其中所述第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型，并且其中所述第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到所述两个电阻器之间的所述点。2.根据权利要求1所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述两个电阻器的电阻值彼此相同。3.根据权利要求2所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一半导体电路和第二半导体电路的栅极端连接到不同的偏压。4.根据权利要求3所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一半导体电路包括NMOS晶体管，其中所述第二半导体电路包括PMOS晶体管，其中所述NMOS晶体管的栅极端连接到第一偏压，并且其中所述PMOS晶体管的栅极端连接到第二偏压。5.根据权利要求4所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一偏压和所述第二偏压之间的差值等于所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的阈值电压的总和。6.根据权利要求5所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一偏压等于参考电压和所述NMOS晶体管的所述阈值电压的总和，并且其中所述第二偏压等于所述参考电压和所述PMOS晶体管的所述阈值电压之间的电压差。7.根据权利要求2所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一半导体电路和第二半导体电路的漏极端连接到不同的供电电压。8.根据权利要求7所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述第一半导体电路包括NMOS晶体管，其中所述第二半导体电路包括PMOS晶体管，其中所述NMOS晶体管的漏极端连接到正供电电压，并且其中所述PMOS晶体管的漏极端连接到接地。9.根据权利要求2所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述电流导引电路被配置成基于互补信号确定通过所述差分驱动器电路的所述差分输出端的所述电流方向。10.根据权利要求9所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述电流导引电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极端连接到所述互补信号，并且其中所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极端连接到所述互补信号。11.根据权利要求10所述的差分驱动器电路，其特征在于，所述差分驱动器电路的所述差分输出端包括第一差分输出端和第二差分输出端，其中所述第一差分输出端连接到所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的漏极端，并且其中所述第二差分输出端连接到所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极端。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔·钱德拉·卡桑耶尔，杰特德拉·德斯马纳，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL