一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法技术

本发明专利技术涉及电镜分析技术领域，涉及一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法。该方法包括：(1)确定待分析的单根一维纳米材料并使其长轴方向与样品杆倾转轴线方向垂直；(2)确定衍射点，得到系列倾转电子衍射谱；(3)按照倾转角度顺序排列，形成原始倒空间三维强度矩阵；进一步处理得到真实的倒空间三维衍射强度分布矩阵；(4)从所述倒空间三维衍射强度分布矩阵中提取二维强度分布信息；(5)将二维强度分布信息与理论电子衍射模拟结果结合，确定待分析的一维纳米材料截面应力分布状态。本发明专利技术能够对单个一维纳米材料的截面应力状态进行分析，弥补了X射线衍射方法对大量一维纳米材料进行统计平均分析的不足。

【技术实现步骤摘要】
一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法
本专利技术涉及电镜分析
，更具体地，涉及一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法。
技术介绍
目前对一维纳米材料的截面应力状态的判断有基于同步辐射的相干X射线衍射技术以及基于透射电子显微学的微观检测技术。相干X射线衍射技术是一种空间平均的检测方法，可以对单分散的一维纳米材料整体进行检测分析。对于单分散的一维纳米材料集合体，每个单根纳米材料直径、截面形貌、内部微观结构基本一致，这样得到的X射线衍射数据能够反映材料整体的平均信息。但是这种方法无法区别不同个体间的内应力差异，以及复杂一维纳米材料(如五次孪晶纳米线)单个个体内部不同结构单元的内应力差异。目前可以对一维纳米材料个体单独进行截面应力分析的微观检测方法是基于透射电镜的截面样品观察法。该方法需要将一维纳米材料进行切片，制备出厚度为几纳米至几十纳米截面样品，再进行透射电镜观察分析。该方法能比较直观地反映一维纳米材料截面的微观结构和应力状态，但是由于制样过程中不可避免的会引入外应力，一维纳米材料本征的截面应力状态可能会在样品制备过程中遭到破坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将一维纳米材料超声分散于定位微栅上，再将定位微栅装入透射电镜样品杆，确定待分析的单根一维纳米材料，并使待分析的单根一维纳米材料长轴方向与样品杆倾转轴线方向垂直；(2)确定衍射点，倾转样品使得该衍射点处于强激发状态，确定此时与待分析的单根一维纳米材料长轴垂直的样品杆倾转轴线的转动角度θ，在θ‑15°～θ+15°转角范围内，以固定倾转步长，沿所述样品杆倾转轴线转动待分析的单根一维纳米材料，每转一步记录其对应的倾转电子衍射谱；在θ‑15°～θ+15°转角范围，得到待分析的单根一维纳米材料的系列倾转电子衍射谱；(3)每张倾转...

【技术特征摘要】
1.一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将一维纳米材料超声分散于定位微栅上，再将定位微栅装入透射电镜样品杆，确定待分析的单根一维纳米材料，并使待分析的单根一维纳米材料长轴方向与样品杆倾转轴线方向垂直；(2)确定衍射点，倾转样品使得该衍射点处于强激发状态，确定此时与待分析的单根一维纳米材料长轴垂直的样品杆倾转轴线的转动角度θ，在θ-15°～θ+15°转角范围内，以固定倾转步长，沿所述样品杆倾转轴线转动待分析的单根一维纳米材料，每转一步记录其对应的倾转电子衍射谱；在θ-15°～θ+15°转角范围，得到待分析的单根一维纳米材料的系列倾转电子衍射谱；(3)每张倾转电子衍射谱上，通过透射斑中心，平行于样品杆倾转轴线方向的直线为系列倾转电子衍射谱的不变线；每张倾转电子衍射谱以该系列倾转不变线为基准，按照倾转角度顺序排列，形成原始倒空间三维强度矩阵；对该原始倒空间三维强度矩阵进行平移、内插，得到真实的包含特定衍射点的倒空间三维衍射强度分布矩阵；(4)从所述倒空间三维衍射强度分布矩阵中提取通过衍射点中心垂直于待分析的一维纳米材料长轴方向的二维强度分布信息；(5)将二维强度分布信息与理论电子衍射模拟结果结合，确定待分析的一维纳米材料截面应力分布状态。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：付新，杜志伟，
申请(专利权)人：国标北京检验认证有限公司，北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：北京,11