The invention discloses an antistatic display panel, including a thin film transistor substrate, the substrate comprises a display area; the thin film transistor substrate display common electrode zone is arranged; a ESD device; one end of the ESD device and the common electrode connected ESD devices; the other end of the earth. The invention also discloses a ground protection loop arranged on the periphery of the display area of the film transistor substrate; one end of the ESD device is connected with the common electrode; and the other end of the ESD device is connected with the protection loop. The invention can release the static electricity on the public electrode at once and avoid the problem that the driving chip can not display normally because of self-protection.
【技术实现步骤摘要】
一种防静电显示面板
本专利技术涉及液晶显示
,特别涉及一种静电防护电路。
技术介绍
近年,无论是在信息通讯设备还是普通的电器设备中都普遍采用各种显示面板。作为一种平板显示器件,液晶显示器通常包括上基板、下基板及两片基板之间的液晶层。通常,下基板集成有若干数据线和扫描线,它们垂直交错形成若干单元区域,这些单元区域被定义为像素单元。每个像素单元主要包括像素电极、存储电容和薄膜晶体管(TFT)等部件。通过驱动电路向扫描线提供驱动信号,可以控制薄膜晶体管的工作状态,从而适时地将数据线提供的驱动信号写入像素电极。此外,上基板上集成有黑色矩阵、彩色滤光膜层(CF)及公共电极层。黑色矩阵用来遮挡从下基板的非像素电极区透射出来的光线。彩色滤光膜层与下基板的像素区对应。公共电极层与像素电极及液晶层形成液晶电容。这种结构具有较大的透光率和较高的开口率等卓越的特性。但是,由于这种平板显示器具有较差的视角特性,因而,新的用来克服视角缺陷的技术使用的是平面内切换(IPS)模式中的水平电场作为液晶驱动方法。IPS模式的LCD包括上基板、下基板及两片基板之间的液晶层。下基板包括薄膜晶体管(TFT)、像素电极和公共电极。上基板包括黑色矩阵和滤色器。所述液晶层由介于公共电极和像素电极之间的水平电场驱动。在显示面板的制作过程中容易有静电的积累,若不能够很好的解决静电问题易对产品造成严重的破坏。在IPS模式的薄膜晶体管液晶显示面板设计过程中,通常在TFT侧设置用于防静电的导电盘(pad),与彩色滤光膜层(CF)上表面的透明导电膜(ITO)连接导通,当CF表面有大电流时,就会通过该pad进 ...
【技术保护点】
一种防静电显示面板,包括:薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板至少包含一显示区一级围绕显示区的非显示区;在所述非显示区,设置有围绕所述薄膜晶体管基板显示区设置的公共电极;ESD器件;所述ESD器件的一端与所述公共电极相连接;所述ESD器件的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种防静电显示面板,包括:薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板至少包含一显示区一级围绕显示区的非显示区;在所述非显示区,设置有围绕所述薄膜晶体管基板显示区设置的公共电极;ESD器件;所述ESD器件的一端与所述公共电极相连接;所述ESD器件的另一端接地。2.如权利要求1所述的防静电显示面板,其特征在于,所述ESD器件为一级、两级或多级。3.如权利要求2所述的防静电显示面板,其特征在于,所述ESD器件为一级,所述ESD器件包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有第一栅极、第一漏极和第一源极;以及第二晶体管,所述第二晶体管具有第二栅极、第二漏极和第二源极,所述第一栅极连接公共电极;所述第一漏极连接公共电极的电位,所述第一漏极与所述第二漏极连接,所述第一源极与第二源极连接,所述第二源极接地,所述第二栅极接地。4.如权利要求2所述的防静电显示面板,其特征在于,所述ESD器件为二级,所述ESD器件包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有第一栅极、第一漏极和第一源极;第二晶体管,所述第二晶体管具有第二栅极、第二漏极和第二源极;第三晶体管,所述第三晶体管具有第三栅极、第三漏极和第三源极;...
【专利技术属性】
技术研发人员:岳明彦,
申请(专利权)人:上海中航光电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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