一种低逸出功阴极制造技术

技术编号:15509344 阅读:62 留言:0更新日期:2017-06-04 03:15
本发明专利技术涉及电极材料领域,具体涉及一种低逸出功阴极,固定在基底上,包括阴极本体1和固定杆2,所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接,所述阴极本体1由钨构成,所述固定杆2由SiC构成;本发明专利技术结构简单,其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点,具备稳定性,同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性,使整个低逸出功阴极结构稳定。

A low escaped cathode

The present invention relates to an electrode material field, in particular to a low work function cathode, fixed on the substrate, including a cathode body 1 and a fixing rod 2, the top 2 fixed rod and the cathode body 1 is fixedly connected with the cathode body 1 made of tungsten, the fixed rod 2 made of SiC; the has the advantages of simple structure, the fixing rod has low work function, high temperature characteristics, and is not easy to have deformation stability, at the same time the body made of tungsten cathode with high temperature resistance, the low work function cathode structure stability.

【技术实现步骤摘要】
一种低逸出功阴极
本专利技术涉及电极材料领域,具体的说涉及一种低逸出功阴极。
技术介绍
热电子能量转化器对阴极有以下要求:1.耐超高温2000摄氏度以上;2.高温下弱无形变;3.低逸出功。第一个和第三个对阴极的材料选择提出了很高的要求。而第二个要求,是对阴极的刚性的要求,而这其实也是这三个要求中,最具挑战的。因为,计算发现,要使热电子能量转化器的效率提高,阴极和阳极的间距需要维持在十个微米左右。而任何材料,由于热膨胀现象,在室温和2000摄氏度的温差下,很容易变形十个微米以上,从而与阳极接触,导致短路。如何设计出抗超高温变形的阴极,是自热电子能量转化器专利技术以来,阻碍其转化效率提高的一大难题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种低逸出功阴极,能够耐高温、不易形变和低逸出功。为了达到上述目的,本专利技术提供的技术方案是:一种低逸出功阴极,固定在基底上,其特征在于,包括阴极本体和固定杆,所述固定杆顶端与阴极本体固定连接,所述阴极本体由钨构成,所述固定杆由SiC构成。进一步,所述固定杆有4个。进一步,所述固定杆均匀的固定设置在阴极本体上,所述固定杆底端为漏斗形。进一步,所述固定杆底端分别与相邻的固定杆底端固定连接。进一步,工作温度低于2600℃。本专利技术的有益效果是:本专利技术提供的一种低逸出功阴极中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点,具备稳定性。【附图说明】下面结合附图和实施例对本专利技术作出进一步的说明。图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术固定杆的结构示意图。其中,1,阴极本体,2.固定杆。【具体实施方式】在附图所示的实例中,如图1所示,一种低逸出功阴极,固定在基底上,包括阴极本体1和固定杆2,所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接,所述阴极本体1由钨构成,所述固定杆2由SiC构成。所述固定杆2有4个,所述固定杆2均匀的固定设置在阴极本体1上,如图2所示,所述固定杆2底端为漏斗形,能更好的固定阴极本体1,所述固定杆2底端分别与相邻的固定杆2底端固定连接,工作温度低于2600℃。本专利技术提供的一种低逸出功阴极中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点,具备稳定性,同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性,使整个低逸出功阴极结构稳定。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种低逸出功阴极

【技术保护点】
一种低逸出功阴极,固定在基底上,其特征在于,包括阴极本体(1)和固定杆(2),所述固定杆(2)顶端与阴极本体(1)固定连接,所述阴极本体(1)由钨构成,所述固定杆(2)由SiC构成。

【技术特征摘要】
1.一种低逸出功阴极,固定在基底上,其特征在于,包括阴极本体(1)和固定杆(2),所述固定杆(2)顶端与阴极本体(1)固定连接,所述阴极本体(1)由钨构成,所述固定杆(2)由SiC构成。2.根据权利要求1所述的低逸出功阴极,其特征在于,所述固定杆(2)有4个。3.根据权利要求2所述的低逸出功阴极,其特征在于,所述固...

【专利技术属性】
技术研发人员:常帅袁弘渊黄明柱
申请(专利权)人:武汉科技大学
类型:发明
国别省市:湖北,42

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