金卤灯电极和陶瓷金卤灯制造技术

本发明专利技术公开了一种金卤灯电极和陶瓷金卤灯。该金卤灯电极包括钨电极杆和钼片，所述钨电极杆的一端与所述钼片同轴电连接，另一端部外表面缠绕有钨丝螺旋，在所述钨丝螺旋的相邻螺旋钨丝之间夹设有球形或类似球形的若干发射球；其中，所述发射球由如下重量百分比组分构成：氧化铪0.05%～0.5%、氧化镧0.5%～3%、氧化铒0.05%～10%、余量为钨。该金卤灯电极的电子逸出功低，有效降低了电极的工作温度和抑制钨金属的蒸发和生长，保证钨金属颗粒结构的稳定，使用寿命长，且发光效率高。陶瓷金卤灯是以上述金卤灯电极作为正负电极，因此，该陶瓷金卤灯环保安全，光效高，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于照明光电
，具体的说是涉及一种金卤灯电极和陶瓷金卤灯。
技术介绍
近年来陶瓷金卤灯技术发展日益成熟，性能参数大幅提升并在各方面远远超越传统的石英金卤灯，其使用开始快速推广。虽然如此，但是陶瓷金卤灯的性能尚待完善。电极作为陶瓷金卤灯的重要部件，它的构造直接影响金卤灯的性能。其中，目前对于中等功率陶瓷金卤灯的常用电极结构如图1所示，其主要包括钼片（钼箔）02、所述钼片02具有相对的两端，其一端与电极棒01(主要成分是钨和二氧化钍合金)同轴连接，另一端与电连接的引出线04（主要成分是钼），在电极棒01的与钼片02呈同轴电连接端相对的另一末端还电连接有钨丝螺旋03。其中，电极棒01作为放电电弧的起端或者末端，具有在高温下抗卤化物化学腐蚀；电极棒01中的二氧化钍作为发射材料，可以降低钨金属的功函数。这将有利于电极棒01在较低的温度下工作，有效地抑制金属钨的蒸发以及在电弧管壁的沉积，从而保证金卤灯的正常工作。虽然二氧化钍作为发射材料会提高金卤灯的光效，但是钍是放射性元素，在衰变过程中，钍除释放α、β粒子外，还会释放γ射线，因此，现有以二氧化钍作为发射材料的金卤灯在生产和使用中存在放射性污染。另外，采用二氧化钍与钨合金形成的电极棒使得陶瓷金卤灯的光效有所提高，但是在实际使用中并不太理想，还有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种无钍金卤灯电极和中功率的陶瓷金卤灯，旨在解决现有陶瓷金卤灯以二氧化钍作为发射材料而导致的在生产和使用中存在放射性污染和光效相对差的技术问题。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的技术方案如下：一种金卤灯电极，包括钨电极杆和钼片，所述钨电极杆的一端与所述钼片同轴电连接，另一端部外表面缠绕有钨丝螺旋，在所述钨丝螺旋的相邻螺旋钨丝之间夹设有球形或类似球形的若干发射球；其中，所述发射球由如下重量百分比组分构成：氧化铪  0.05%～0.5%；氧化镧  0.5%～3%；氧化铒  0.05%～10%；余量为钨。以及，一种陶瓷金卤灯，包括金卤灯电极、陶瓷袖管和与所述陶瓷袖管连通的陶瓷放电腔以及设置于所述放电腔内的发光药丸，所述金卤灯电极上述的金卤灯电极，且所述金卤灯电极的表面缠绕有钨丝螺旋的钨电极杆一端和钨丝螺旋伸入所述陶瓷放电腔内，钨电极杆的另一端和钼片密封于所述陶瓷袖管内。本专利技术金卤灯电极通过在缠绕于钨电极杆一端的钨丝螺旋中夹设无钍元素的发射球，使得该金卤灯电极无辐射，其在生产和使用中安全环保；此外，该发射球通过氧化镧、氧化铪、氧化铒和钨金属的协同作用，使得该金卤灯电极的电子逸出功低，有效降低了电极的工作温度和抑制钨金属的蒸发和生长，保证钨金属颗粒结构的稳定，使用寿命长，且发光效率高。上述陶瓷金卤灯由于采用上述金卤灯电极作为电极，因此，该陶瓷金卤灯环保安全，光效高，使用寿命长。附图说明图1为现有金卤灯电极结构示意图；图2为本专利技术实施例无钍金卤灯电极结构示意图；图3为本专利技术实施例无钍金卤灯电极中发射小球制备方法流程示意图；图4为本专利技术实施例陶瓷金卤灯结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例与附图，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供了一种无辐射、环保安全和光效高的无钍金卤灯电极1，其结构如图2所示。该金卤灯电极1包括钨电极杆11和钼片12，该钨电极杆11的一端与钼片12一端呈同轴电连接，另一端部外表面缠绕有钨丝螺旋13，在钨丝螺旋13的相邻螺旋钨丝131之间夹设有球形或类似球形的若干发射球15，在钼片12的与钨电极杆11呈同轴电连接端相对的另一端部还电连接有引出线14。具体地，在如图2所示的无钍金卤灯电极1中，钨电极杆11的一端与钼片12一端呈同轴电连接可以采用引出线14进行电连接。采用钼片12与钨电极杆11同轴连接时，该钼片12能有效实现电弧管末端优秀的气密性，以便高压气体放电的顺利进行。当然，也可以直接将钨电极杆11的一端与钼片12一端进行同轴焊接，采用直接焊接方法连接时，为了使得钨电极杆11与钼片12之间焊接牢固，还可以在钨电极杆11的一端与钼片12一端的焊接处加设以过渡钼片（无图显示）。在钼片12的与钨电极杆11呈同轴电连接端相对的另一端部还电连接有引出线14。其中，该两处的引出线14的材质主要成分是钼。缠绕在钨电极杆11的与钼片12电连接端相对的另一端部外表面的钨丝螺旋13的长度没有特别的要求，可以按照本领域钨丝螺旋常规的长度设计即可。由于在上述实施例中，在相邻两根螺旋钨丝131之间夹设有发射球15，因此，该钨丝螺旋13的钨丝直径应该满足能够夹设住发射球15即可。其中，发射球15由如下重量百分比组分构成：氧化铪  0.05%～0.5%；氧化镧  0.5%～3%；氧化铒  0.05%～10%；余量为钨。该发射球15通过氧化镧、氧化铪、氧化铒和钨金属的协同作用，使得该金卤灯电极1的电子逸出功低，有效降低了该金卤灯电极1的工作温度和抑制钨金属的蒸发和生长，保证钨金属颗粒结构的稳定，使用寿命长，且发光效率高。具体地，构成发射球15的氧化镧能有效降低钨金属的功函数，因而降低了该金卤灯电极1的电子逸出功，从而有效降低了该金卤灯电极1的工作温度和抑制钨金属的蒸发；氧化铪能与氧化镧生成稳定的混合物，有效抑制氧化镧在工作中挥发，这样当该金卤灯电极1工作时，氧化镧沿着钨颗粒表面，从发射球15内部扩散到发射球15表面的时间得到了延长，从而提高了金卤灯的寿命；氧化铒的能有效抑制钨金属颗粒的生长，并且颗粒结构可控，颗粒尺寸较小，维持了钨金属颗粒结构的稳定。在具体实施例中，上述发射球15中氧化铪的重量百分含可以是0.05%、0.1%、0.15%、0.2%、0.25%、0.30%、0.35%、0.40%、0.45%、0.50%；氧化镧的重量百分含可以是0.5%、0.8%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%；氧化铒的重量百分含可以是0.05%、0.1%、0.5%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%、5%、6%、6.5%、7%、8%、9%、10%。为了使得发射球15更好的发挥其作用，使得该金卤灯电极1的电子逸出功更低，使得金卤灯光效更高，作为本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金卤灯电极，包括钨电极杆和钼片，所述钨电极杆的一端与所述钼片同轴电连接，另一端部外表面缠绕有钨丝螺旋，在所述钨丝螺旋的相邻螺旋钨丝之间夹设有球形或类似球形的若干发射球；其中，所述发射球由如下重量百分比组分构成：氧化铪  0.05%～0.5%；氧化镧  0.5%～3%；氧化铒  0.05%～10%；余量为钨。

【技术特征摘要】
1.一种金卤灯电极，包括钨电极杆和钼片，所述钨电极杆的一端与所述
钼片同轴电连接，另一端部外表面缠绕有钨丝螺旋，在所述钨丝螺旋的相邻
螺旋钨丝之间夹设有球形或类似球形的若干发射球；其中，所述发射球由如
下重量百分比组分构成：
氧化铪  0.05%～0.5%；
氧化镧  0.5%～3%；
氧化铒  0.05%～10%；
余量为钨。
2.如权利要求1所述的金卤灯电极，其特征在于：所述发射球间隔的夹
设在钨丝螺旋的相邻螺旋钨丝之间，且同一相邻所述螺旋钨丝之间夹设的两
两相邻的所述发射球的间距为0.05mm～0.1mm。
3.如权利要求1所述的陶瓷金卤灯电极，其特征在于：所述发射球的直
径为0.1mm～0.3mm。
4.如权利要求1～3任一所述的金卤灯电极，其特征在于：所述发射球
的制备方法包括如下步骤：
将氧化铪、氧化镧、氧化铒、钨粉按所述比例混合后在真空或惰性气体
气氛中进行球磨处理，得到混合物料；
将所述混合物料模压制成球形或类似球形颗粒后置于还原气氛中于
1460℃～1480℃下烧结处理，并继续在还原气氛中冷却。
5.如权利要求4所述的金卤灯电极，其特征在于：在所述烧结处理的步
骤中，于1460℃～1480℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，段永正，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44