一种防止颗粒积累堵塞的联结结构制造技术

本发明专利技术属于半导体工艺废气处理领域，提供了一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，包括内管和外管，内管的内径小于外管的内径，外管的下部设置有与内管内径相同的圆环，内管与所述圆环连接，外管上设置有涡流发生器，内管上设置有气体降温结构。本发明专利技术具有能防止颗粒在装置内壁积累、降低处理气体温度的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种防止颗粒积累堵塞的联结结构
本专利技术涉及半导体工艺废气处理领域，特别涉及一种防止颗粒积累堵塞的联结结构。
技术介绍
联结结构即利用不同方式把机械零件联成一体的结构，机器设备由许多零部件组成，这些零部件需要通过联结来实现机器设备的职能，因而联结是构成机器设备的重要环节，一般的联结结构只起到联结零件的功能。目前，在半导体工艺废气处理装置中，由于处理的工艺气体性质的原因，往往容易造成在装置的内壁上形成颗粒积累，继而造成装置内腔被堵塞的情况，并且，废气在经过处理后，温度很高，直接排出的话将会对下一级装置造成破坏。因此，现有技术中急需一种能防止颗粒在装置内壁积累、降低处理气体温度的联结结构。
技术实现思路
本专利技术提供了一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，技术方案如下：一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，其特征在于，包括内管和外管，内管的内径小于外管的内径，内管套在外管里，外管的下部设置有与内管内径相同的圆环，该圆环起到封闭的作用，内管焊接在圆环上，起到连接内管和外管的作用，外管上设置有涡流发生器，内管上设置有气体降温结构。涡流发生器为设置在外管上的4个互成90度的管口，各管口之间的距离相等，这4个管口分别连接4根水管，水管中通入循环水。气体降温结构为设置在内管上的8个通孔，各通孔之间的距离相等，该8个通孔均垂直于内管管壁，分别连接在自来水水管上，用于对气体降温。外管上部设置有第一法兰，用于联结设备上级处理器，内管下部设置有第二法兰，用于联结设备下级处理器。内管和外管为合金材料，该合金材料耐高温、耐腐蚀。第一法兰和第二法兰为不锈钢。本专利技术的优点和积极效果在于：1、设置有涡流发生器，防止颗粒在装置内壁积累。2、用循环水形成涡流，避免水资源的浪费。3、设置有气体降温结构，通入自来水，在极短时间内使处理气体温度骤降。4、内管和外管均为合金材料，耐腐蚀、耐高温。5、8孔喷射形成的水幕大大增加了目标气体与水的接触面积，从而使得单位体积的水可溶入更多的气体，提高了水利用率，降低设备的耗水量，同时提高了设备的处理效率，使处理气体温度骤降的功能，最大程度地保证了设备的可靠性，保证了前级生产设备的生产效率，大大降低了设备的PM频率。6、结构简单，方便实用，可操作性强。附图说明下面结合附图和具体实施方式来详细说明本专利技术：图1是本专利技术一种防止颗粒积累堵塞的联结结构的结构示意图；图2是本专利技术一种防止颗粒积累堵塞的联结结构的俯视图。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，解决了在半导体工艺废气处理领域中，急需一种能防止颗粒在装置内壁积累、降低处理气体温度的联结结构的问题。为了使本专利技术技术实现的措施、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。图1是本专利技术一种防止颗粒积累堵塞的联结结构的结构示意图；如图1和图2所示，本专利技术提供了一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，包括内管1和外管2，内管1的内径小于外管2的内径，内管1套在外管2里，外管2的下部设置有与内管1内径相同的圆环3，该圆环3起到封闭的作用，内管1焊接在圆环3上，起到连接内管1和外管2的作用，外管2上设置有涡流发生器4，内管1上设置有气体降温结构5。涡流发生器4为设置在外管2上的4个互成90°的管口，各管口之间的距离相等，这4个管口分别连接4根水管，水管中通入循环水。气体降温结构5为设置在内管1上的8个通孔，各通孔之间的距离相等，该8个通孔均垂直于内管1管壁，分别连接在自来水水管上，用于对气体降温。外管2上部设置有第一法兰6，用于联结设备上级处理器，内管1下部设置有第二法兰7，用于联结设备下级处理器。内管1和外管2为合金材料，该合金材料耐高温、耐腐蚀。第一法兰6和第二法兰7为不锈钢。本专利技术工作时，第一法兰6和第二法兰7分别联结在设备上级处理器和设备下级处理器上，打开循环水龙头，系统的循环水通过外管2管壁上互成90°的四个管口进入外管2内，进入的循环水在外管2内壁形成源源不断的水膜，从而使从设备上级处理器出来的固定颗粒遇水后迅速冷却并坠入外管2内壁与内管外壁形成的沟道里，再通过水流将其带入设备下级处理器。从设备上级处理器进入的高温固体颗粒将不会在管壁积累，从而发生管道堵塞现象，在提高设备可靠性的同时，大大提高了设备的处理效率，从而保证了前道生产设备的生产效率，以提高生产效益。经过设备一级处理器处理后的气体会经过内管1进入二级处理器，内管1壁上的8个通孔外接自来水，此8孔同时喷射自来水，从而在内管1内形成水幕，进入的气体在通过水幕时，温度将从1000℃骤降至35℃，从而保证设备二级处理器的温度控制在50℃以内。8个通孔喷射形成的水幕大大增加了目标气体与水的接触面积，从而使得单位体积的水可溶入更多的气体，提高了水利用率，降低设备的耗水量，同时提高了设备的处理效率，其使处理气体温度骤降的功能，最大程度地保证了设备的可靠性，保证了前道生产设备的生产效率。本专利技术设置有涡流发生器，防止颗粒在装置内壁积累；用循环水形成涡流，避免水资源的浪费；设置有气体降温结构，通入自来水，在极短时间内使处理气体温度骤降；内管和外管均为合金材料，耐腐蚀、耐高温；8孔喷射形成的水幕大大增加了目标气体与水的接触面积，从而使得单位体积的水可溶入更多的气体，提高了水利用率，降低设备的耗水量，同时提高了设备的处理效率，使处理气体温度骤降的功能，最大程度地保证了设备的可靠性，保证了前级生产设备的生产效率，大大降低了设备的PM频率；本专利技术结构简单，方便实用，可操作性强。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术专利技术的原理，在不脱离本专利技术技术原理和范围的前提下本专利技术专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术专利技术的范围内。本专利技术专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，其特征在于，包括内管和外管，所述内管的内径小于所述外管的内径，所述外管的下部设置有与所述内管内径相同的圆环，所述内管与所述圆环连接，所述外管上设置有涡流发生器，所述内管上设置有气体降温结构。

【技术特征摘要】
1.一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，其特征在于，包括内管和外管，所述内管的内径小于所述外管的内径，所述外管的下部设置有与所述内管内径相同的圆环，所述内管与所述圆环连接，所述外管上设置有涡流发生器，所述内管上设置有气体降温结构。2.根据权利要求1所述的一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，其特征在于，所述涡流发生器为设置在外管上的4个互成90°的管口，用于连接循环水水管。3.根据权利要求1所述的一种防止颗粒积累堵塞的联结结构，其特征在于，所述气体降温结构为设置在内管上的8个通孔，用于连接自来水水管。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐雄，
申请(专利权)人：上海更日敦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31