一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路，包括：串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接，第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD‑POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD‑POWER之间的导通和隔离。本实用新型专利技术解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。

Anti burning card circuit of SIM card and SD card common slot

The utility model discloses a SIM card and SD card slot is anti burn card circuit, including: the first MOS series tube Q1 and second MOS Q2, MOS and Q1 are respectively connected with the first pipe connected by a first resistor R1 and the internal power supply terminal VIO18_PMU and SD mobile phone and SIM card plug detection pin EINT second MOS Q2 pipe are respectively connected with the power supply end of the SD card VMCH_PMU and SD card power interface SD POWER, the first and the second MOS tube Q1, Q2 according to the level of SD, SIM card plug detection EINT pin is turned on or off to control the power supply between the SD card and SD card interface terminal VMCH_PMU power SD POWER conduction and isolation. The utility model solves the problem that the SIM card burning card is caused by the interruption of the power supply of the SD card, thereby improving the user experience.

【技术实现步骤摘要】
一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路
本技术涉及移动终端卡槽电路领域，尤其涉及一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路。
技术介绍
目前市场上的移动终端设备比较流行SIM卡与SD卡共卡槽结构，且SIM卡在内，SD卡在外，由于这种卡槽结构设计，在拔插过程中，由于SD卡卡槽电路未及时下电，SIM卡碰到SD卡电源脚会有低概率烧毁SIM卡的现象。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路。本技术提出的SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路，包括：串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接，第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER之间的的导通和隔离。在一实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为高电平时，第一电阻R1连接在手机内部电源端VIO18_PMU与第一MOS管Q1的栅极之间，第一MOS管Q1的源极与所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源极连接，第二MOS管Q2的漏极与SD卡电源接口SD-POWER连接。在第二实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为低电平时，第一电阻R1的一端与手机内部电源端VIO18_PMU连接，另一端同时与第一MOS管Q1的栅极和所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的源极接地，漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极与SD卡电源接口SD-POWER连接。所述MOS管Q1为N-MOS管，MOS管Q2为P-MOS管。与现有技术相比，本技术根据所述SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。附图说明图1为本技术卡托示意图；图2为本技术实施例一的电路图；图3为本技术实施例二的电路图。具体实施方式下面结合附图和实施例对技术进行详细的说明。本技术适用于如图1所示的卡托，卡托内设置有卡槽，同时供SIM卡和SD插入，由于SIM、SD共卡槽，SIM、SD共用一个插拔状态的检测引脚EINT，所以当SIM插入时也会激活SD卡供电电路，对SD卡进行供电，且SD卡位于SIM卡的外侧，这经常导致SIM卡被烧毁，主要包括以下四种情况：1、拔出卡托的时候，SIM卡会经过SD卡供电电源端VMCH_PMU的位置，由于SD卡不能及时下电，可能会烧毁SIM卡；2、开机过程有短暂时间SD卡供电电源端VMCH_PMU默认是打开的，此时插入SIM卡可能会烧毁SIM卡；3、半插入SIM卡后按开机键，开机过程有短暂时间SD卡供电电源端VMCH_PMU默认是打开的，可能会烧毁SIM卡；4、卡托未放入SD卡(仅放入SIM卡)，插入卡托后仍会激活SD卡检测引脚EINT，系统会打开SD卡供电电源端VMCH_PMU，此时拔出卡托可能会烧毁SIM卡。综上，给SD卡供电的电源可能会导致SIM卡烧毁，本技术提供了一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路，将手机内部电源端VIO18_PMU、SD卡供电电源端VMCH_PMU与SD卡电源接口SD-POWER隔离，并根据SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。本技术提出的SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路包括：串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接，第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER之间的的导通和隔离。实施例一如图2所示，本实施例提供的SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，其中，第一电阻R1连接在手机内部电源端VIO18_PMU与第一MOS管Q1的栅极之间，第一MOS管Q1的源极与所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源极连接，第二MOS管Q2的漏极与SD卡电源接口SD-POWER连接。其中，第一MOS管Q1为NMOS管，第二MOS管为PMOS管。在本实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为高电平即1.8V，第一MOS管Q1栅极为1.8V，栅极和源极间的电压VGS=0V，小于NMOS管开启电压，第一MOS管Q1截止，SD卡供电电源端VMCH_PMU开启后，第二MOS管Q2栅极和源极间的电压VGS=0V，第二MOS管Q2截止，SD卡电源接口SD-POWER为0V，此时插入SIM卡不会导致烧卡；SIM卡插入后，检测引脚EINT与GND接触，第一MOS管Q1栅极为0V，栅极和源极间的电压VGS=1.8V，大于NMOS管的开启电压，第一MOS管Q1导通，SD卡供电电源端VMCH_PMU开启后，第二MOS管Q2导通，SD卡供电电源端VMCH_PMU经第二MOS管Q2到SD卡电源接口SD_POWER给SD卡供电；卡托拔出同时检测引脚EINT与GND分离，检测引脚EINT又变成高电平1.8V，第一MOS管Q1截止，第二MOS管Q2截止，SD卡电源接口SD_POWER与SD卡供电电源端VMCH_PMU分离，SD卡电源接口SD_POWER变为0V,即使SD卡供电电源端VMCH_PMU不能及时下电也不会导致烧卡。实施例二如图3所示，本实施例提供的SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，其中，第一电阻R1的一端与手机内部电源端VIO18_PMU连接，另一端同时与第一MOS管Q1的栅极和所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的源极接地，漏极同时与第二电阻R2的一端及第二MOS管Q2的栅极连接，第二电阻R2的另一端同时与SD卡供电电源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极与SD卡电源接口SD-POWER连接。在本实施例中，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SIM卡与SD 卡共卡槽防烧卡电路，其特征在于，包括串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接， 第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD‑POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD‑POWER之间的的导通和隔离。

【技术特征摘要】
1.一种SIM卡与SD卡共卡槽防烧卡电路，其特征在于，包括串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分别与SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT连接和通过第一电阻R1与手机内部电源端VIO18_PMU连接，第二MOS管Q2分别与SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER连接，第一、第二MOS管Q1、Q2根据SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT的电平导通或截止来控制SD卡供电电源端VMCH_PMU和SD卡电源接口SD-POWER之间的的导通和隔离。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔状态检测引脚EINT被预设置为高电平时，第一电阻R1连接在手机内部电源端VIO18_PMU与第一MOS管Q1的栅极之间，第一MOS管Q1的源极与所述检测引脚EINT连接，第一MOS管Q1的漏极同时与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子恺，李高，
申请(专利权)人：硕诺科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44