一种半圆型靶材的加工方法技术

本发明专利技术涉及硅靶材生产技术领域，特别涉及一种半圆型靶材的加工方法。该方法按照半圆型靶材成品尺寸要求预留余量切割坯料，直角边进行平面加工，将两个半圆粘接成整圆，研磨加工磨外圆，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工。本发明专利技术有效对圆靶材分解成半圆片加工，半圆片组合成圆片加工，有效的解决了半圆型靶材加工难题；通过此方案，半圆型靶材加工精度直径R±0.1mm，厚度H<0.03mm，粗糙度Ra<1.6，加工成品率可达到85％以上，有效解决了半圆生产精度和粗糙度的问题。

Method for processing semicircle target material

The invention relates to the technical field of silicon target production, in particular to a processing method of a semicircle target. The method in accordance with the requirements of the target type and size of semi finished reserved margin cutting blank, rectangular plane processing, the two half bonded into round grinding cylindrical grinding, the full circle back to dismantling the two semicircular grinding plane surface finishing. The invention of circular target is decomposed into a semicircular processing, a semicircular combined into a wafer processing, effectively solves the problem of machining semicircular target; with this scheme, the machining precision of the semicircular target diameter of R + 0.1mm, 0.03mm, H< thickness; roughness Ra< 1.6, processing rate of finished products can reach above 85%, effectively solve the production of semi precision and roughness problem.

【技术实现步骤摘要】
一种半圆型靶材的加工方法
本专利技术涉及硅靶材生产
，特别涉及一种半圆型靶材的加工方法。
技术介绍
半圆型靶材加工常采用电火花线切割或水刀切割的加工方法进行，这两种方法侧面精度和粗糙度不高，无法满足市场需求。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术提供一种半圆型靶材的加工方法。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是：一种半圆型靶材的加工方法，其特征是：按照半圆型靶材成品尺寸要求预留余量切割坯料，直角边进行平面加工，将两个半圆粘接成整圆，研磨加工磨外圆，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工。所述一种半圆型靶材的加工方法，具体包括以下步骤：第一步：按照半圆型靶材成品尺寸要求进行坯料的切割加工，预留余量切割坯料，预留尺寸直径大于5mm；第二步：将多片半圆两端用精密口钳装夹固定，将直角边平行放置于平面磨床，进行平面加工；第三步：将两个半圆在工装上进行粘接成整圆，对整圆进行固定，外沿找正，对外圆尺寸按照磨外圆的普通加工工艺进行研磨加工；第四步：加工完成后，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工；第五步：研磨完成，工件进行清洗，检验，形成半圆型靶材。所述第一步中切割使用水刀切割，预留尺寸直径大于10mm。所述第一步中切割使用电火花线切割，预留尺寸直径大于5mm。所述第三步中粘接为：采用加工好的铝制圆片，将半圆片在铝制圆片上用502胶进行粘接，将半圆组成整圆，然后用另一块铝制圆片在对面进行粘接，在机床上进行固定找正。所述最终加工出的半圆型靶材的加工精度直径±0.1mm，厚度小于0.03mm，粗糙度小于1.6。本专利技术有效对圆靶材分解成半圆片加工，半圆片组合成圆片加工，有效的解决了半圆型靶材加工难题；通过此方案，半圆型靶材加工精度直径R±0.1mm，厚度H<0.03mm，粗糙度Ra<1.6，加工成品率可达到85％以上，有效解决了半圆生产精度和粗糙度的问题。附图说明图1为本专利技术的工艺流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术做进一步说明，但本专利技术并不限于具体实施例。实施例1一种半圆型靶材的加工方法，按照半圆型靶材成品尺寸要求预留余量切割坯料，直角边进行平面加工，将两个半圆粘接成整圆，研磨加工磨外圆，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工，具体包括以下步骤：第一步：按照半圆型靶材成品尺寸要求进行坯料的切割加工，预留余量切割坯料，切割使用水刀切割，预留尺寸直径15mm；第二步：将多片半圆两端用精密口钳装夹固定，将直角边平行放置于平面磨床，进行平面加工；第三步：采用加工好的铝制圆片，将半圆片在铝制圆片上用502胶进行粘接，将半圆组成整圆，然后用另一块铝制圆片在对面进行粘接，在机床上进行固定找正，对外圆尺寸按照磨外圆的普通加工工艺进行研磨加工；第四步：加工完成后，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工；第五步：研磨完成，工件进行清洗，检验，形成半圆型靶材，最终加工出的半圆型靶材的加工精度直径±0.1mm，厚度0.02mm，粗糙度1.5。实施例2本实施例中所述的一种半圆型靶材的加工方法的各步骤均与实施例1中相同，不同的技术参数为：1)第一步中切割使用电火花线切割，预留尺寸直径6mm；2)最终加工出的半圆型靶材的加工精度直径±0.1mm，厚度0.01mm，粗糙度1.2。实施例3本实施例中所述的一种半圆型靶材的加工方法的各步骤均与实施例2中相同，不同的技术参数为：1)第一步中切割使用水刀切割，预留尺寸直径20mm；2)最终加工出的半圆型靶材的加工精度直径±0.1mm，粗糙度1.0。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征，本领域的技术人员应该了解本专利技术不受上述实施例的限制，上述的实施例和说明书描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入本专利技术要求保护的范围内，本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书和等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半圆型靶材的加工方法，其特征是：按照半圆型靶材成品尺寸要求预留余量切割坯料，直角边进行平面加工，将两个半圆粘接成整圆，研磨加工磨外圆，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工。

【技术特征摘要】
1.一种半圆型靶材的加工方法，其特征是：按照半圆型靶材成品尺寸要求预留余量切割坯料，直角边进行平面加工，将两个半圆粘接成整圆，研磨加工磨外圆，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工。2.根据权利要求1所述的一种半圆型靶材的加工方法，其特征是：所述一种半圆型靶材的加工方法，具体包括以下步骤：第一步：按照半圆型靶材成品尺寸要求进行坯料的切割加工，预留余量切割坯料，预留尺寸直径大于5mm；第二步：将多片半圆两端用精密口钳装夹固定，将直角边平行放置于平面磨床，进行平面加工；第三步：将两个半圆在工装上进行粘接成整圆，对整圆进行固定，外沿找正，对外圆尺寸按照磨外圆的普通加工工艺进行研磨加工；第四步：加工完成后，将整圆拆解回两个半圆，进行平面表面的精磨加工；第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，顾正，张晓峰，郭校亮，陈良杰，
申请(专利权)人：青岛蓝光晶科新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37