【技术实现步骤摘要】
电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置
本技术涉及一种电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，属于硅的纯化
技术介绍
电子束熔炼技术可去除硅材料中的挥发性杂质，其去除过程主要包括以下阶段：首先，杂质通过在硅熔池中扩散迁移运动到硅熔池的表面。然后，杂质从硅熔池表面挥发到真空环境中，挥发到真空环境中的游离态杂质被真空装置吸走。杂质被真空装置吸走后，硅熔池气-液界面处杂质的动态平衡被打破，使得杂质持续从硅熔池挥发到真空中，达到去除杂质的目的。杂质从硅液中迁移到气-液界面和杂质从气-液界面挥发到真空环境中是杂质迁移的两个重要过程，设法提升这两个过程的效率是提升电子束熔炼效率、节省能源的关键。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述缺陷，本技术提出了一种新的电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置。本技术是采用以下的技术方案实现的：一种电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，包括炉体、真空系统、充气阀、电子枪、水冷坩埚和水冷底座，所述炉体分为炉室和电子枪室，真空系统和充气阀分别与炉室和电子枪室相连，电子枪设于水冷坩埚上方，水冷坩埚固定于水冷底座上方，水冷坩埚设有第一冷却水通路，水冷底座设有第...
【技术保护点】
1.一种电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，包括炉体(2)、真空系统、充气阀、电子枪(1)、水冷坩埚(3)和水冷底座(4)，所述炉体(2)分为炉室和电子枪室，真空系统和充气阀分别与炉室和电子枪室相连，电子枪(1)设于水冷坩埚(3)上方，水冷坩埚(3)固定于水冷底座(4)上方，水冷坩埚(3)设有第一冷却水通路，水冷底座(4)设有第二冷却水通路，第一冷却水通路和第二冷却水通路连通，其特征在于，还包括超声波发生器(5)，超声波发生器(5)设于水冷底座(4)下方，水冷底座(4)设有超声传动杆安装孔，超声波发生器(5)的超声传动杆(6)穿过超声传动杆安装孔并与水冷坩埚(3)相连。
【技术特征摘要】
1.一种电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，包括炉体(2)、真空系统、充气阀、电子枪(1)、水冷坩埚(3)和水冷底座(4)，所述炉体(2)分为炉室和电子枪室，真空系统和充气阀分别与炉室和电子枪室相连，电子枪(1)设于水冷坩埚(3)上方，水冷坩埚(3)固定于水冷底座(4)上方，水冷坩埚(3)设有第一冷却水通路，水冷底座(4)设有第二冷却水通路，第一冷却水通路和第二冷却水通路连通，其特征在于，还包括超声波发生器(5)，超声波发生器(5)设于水冷底座(4)下方，水冷底座(4)设有超声传动杆安装孔，超声波发生器(5)的超声传动杆(6)穿过超声传动杆安装孔并与水冷坩埚(3)相连。2.根据权利要求1所述的电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，其特征在于，所述水冷底座(4)包括底座体和设于底座体底部且与底座体密封连接的密封盘；所述底座体为柱状底座体，底座体的顶部和底部均设有固定结构，所述固定结构将底座体分别与水冷坩埚(3)和密封盘固定连接；第二冷却水通路包括竖向开设于底座体并贯穿底座体的第一进水孔(13)和第一出水孔(14)，底座体竖向开设有贯穿底座体的第一超声传动杆安装孔(12)；所述密封盘开设第二超声传动杆安装孔(15)、第二进水孔(16)和第二出水孔(17)；第一进水孔(13)和第二进水孔(16)连通，第一出水孔(14)和第二出水孔(17)连通，第一超声传动杆安装孔(12)和第二超声传动杆安装孔(15)连通。3.根据权利要求2所述的电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置，其特征在于，所述底座体的端面开设有密封胶圈槽(18)，所述密封胶圈槽(18)为环形槽，密封胶圈槽(18)分别围绕第一超声传动杆安装孔(12)、第一进水孔(13)和第一出水孔(14)设置，密封胶圈槽(...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙雨萱，郭校亮，张磊，张思源，肖承祥，
申请(专利权)人：青岛蓝光晶科新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37
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