具有标识标记的半导体器件制造技术

具有标识标记的半导体器件。一种半导体器件，包括芯片、布置在芯片的正面上的接触焊盘以及布置在接触焊盘之上的标识标记。标识标记包括关于芯片的特性的信息。

Semiconductor device with identification mark

Semiconductor device with identification mark. A semiconductor device includes a chip, a contact pad disposed on the front face of the chip, and an identification flag disposed on the contact pad. The identification flag includes information about the characteristics of the chip.

【技术实现步骤摘要】
具有标识标记的半导体器件
本专利技术涉及一种具有标识标记的半导体器件。本专利技术进一步涉及用于制造这些半导体器件的方法。
技术介绍
在半导体器件的制造期间或者之后，可能需要标识半导体器件或者包含在其中的部件的特性。为此可以使用标识标记。不得不不断改进具有标识标记的半导体器件以及用于制造这些半导体器件的方法。特别地，可能期望改进半导体器件的质量并且降低用于制造半导体器件的成本。附图说明附图被包括用以提供对多个方面的进一步理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出多个方面并且与描述一起用来解释多个方面的原理。将容易领会其它方面和多个方面的许多预期的优点，因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。图1示意性地示出了根据本公开的半导体器件100的剖视图；图2A至图2B示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体器件的方法的剖视图；图3A至图3D示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体器件的方法的剖视图；图4示意性地示出了根据本公开的半导体器件400的角视图；以及图5示意性地示出了根据本公开的半导体器件500的剖视图。具体实施方式在下面的详细描述中，参考附图，这些附图构成了该描述的一部分，在这些图中借助图示示出了可以实施本专利技术的特定方面。在这点上，方向性的术语，例如：“顶部”、“底部”、“前”、“后”等，可以参考所描述的图的方向来使用。由于所描述的器件的部件可被定位在许多不同的方向上，因此方向性的术语可以用于说明的目的，并且决不是限制性的。应当理解可以利用其它方面，并且可以在不脱离本专利技术的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不是在限制的意义上进行的，并且本专利技术的范围将由所附权利要求来限定。应该理解的是，在此所述的各种示例性方面的特征可以相互组合，除非另外明确指出。如在该说明书中所使用的，术语“耦合”和／或“电耦合”并非意味着元件必须直接耦合在一起。可以在“耦合”或“电耦合”元件之间提供插入元件。在此所述的半导体器件可以包括可以至少部分地由半导体材料制造的一个或多个芯片。芯片无需由特定半导体材料制造，例如Si、SiC、SiGe、GaAs，并且此外可以包含并非半导体的无机和／或有机材料，诸如例如绝缘体、塑料或金属。芯片可以是不同类型的，可以通过不同技术制造，并且可以包括包含无源电子部件和／或有源电子部件的集成电路。集成电路可以设计作为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、集成无源器件等等。在此可以使用术语芯片的“正面”。术语“正面”可以特别地涉及可以包括微电子部件和集成电路的芯片的主面。可以由可以用作用于将要构建在晶片之中和之上的微电子器件的衬底的(半导体)晶片来制造芯片。可以通过掺杂、离子注入、材料沉积、光刻图形化等等来制造集成电路。通常可以在晶片的特定主表面(其也可以称作晶片的“正面”)上执行制造工艺。在从晶片分离出单个芯片之后，晶片的“正面”随后变成分离的芯片的“正面”。相反地，术语芯片的“背面”可以指的是可以布置为与芯片的正面相对的芯片的主表面。芯片的背面可以没有电子部件，即其可以由半导体材料构成。在此可以使用术语芯片的“特性”。例如，术语芯片的“特性”可以指的是或者可以包括以下至少一个：包括芯片制造的年、月、日和小时中的至少一个的日期；标识从其中已经制造出芯片的晶片的晶片编号；用于指示芯片类型和／或包含在其中的一个或多个部件的类型的信息；等等。应当注意的是芯片特性的前述列表并非是结论性的。更确切地说，术语“特性”可以涉及与芯片相关的任意特性。在此所述的芯片可以被包括在芯片级封装(CSP)中。即，在此所述的半导体器件可以包括CSP。例如，当封装的面积不大于管芯面积的1.2倍时，封装可以认作CSP。此外，认作CSP的要求可以是CSP对应于单个管芯、可直接表面安装的封装。CSP可以例如是具有小于1mm2的产品尺寸的硅封装中的二极管或晶体管。对于这种产品尺寸，可以从单个晶片制造多于50,000个并且甚至高达600,000个单元。CSP可以特别地不包括焊料凸块。可以由平的焊料焊盘来提供CSP至应用的互连，无需焊料库(solderdepot)。小CSP的单元尺寸可以例如是1.0mm×0.6mm，或0.6mm×0.3mm，或0.4mm×0.2mm。在此所述的半导体器件可以包括任意数目的接触焊盘，例如焊料焊盘，其可以取决于所考虑的半导体器件的类型而被布置为任意几何形状。接触焊盘可以基本上是平的，使得半导体器件可以直接安装在应用的表面上，例如印刷电路板(表面安装)。可以配置接触焊盘以提供待制造的与包括在半导体器件中的集成电路或包括在其中的芯片的电接触。接触焊盘可以包括可以施加至芯片的半导体材料的一个或多个金属层。可以采用任何所需的几何形状以及任何所需的材料组分来制造金属层。任何所需的金属或金属合金，例如铝、钛、金、银、铜、钯、铂、镍、铬、钒、钨或钼，可以用作材料。金属层不必是同质的或者仅由一种材料制造，即在金属层中包括的各种组分和浓度的材料可以是可能的。在一个示例中，接触焊盘可以对应于简单的铝焊盘，而在另一示例中接触焊盘可以对应于NiP-Pd-Au层堆叠。在后者情形中，接触焊盘例如可以包括具有约2μm(微米)至约4μm(微米)的厚度的NiP层，具有约50纳米至约1μm(微米)的厚度的Pd层，以及具有约10纳米至约100纳米的厚度的Au层。应该理解的是所述材料和尺寸是示例性的，并且可以取决于所考虑的半导体器件或者使用半导体器件的应用而被修改。任何合适的技术可以用于制造接触焊盘或者形成接触焊盘的层。例如，可以采用无电极电镀工艺。在此所述的半导体器件可以包括标识标记。例如可能需要这些标识标记以防止不同产品类型混合，例如在编带(taping)工艺期间用于确保仅正确的产品类型放置在承载带上，或者在客户侧以确保在板件组装工艺期间仅使用正确的产品类型。标识标记可以包括关于芯片特性的包括标识标记的信息。特别地，标识标记可以布置在芯片的接触焊盘之上。例如，标识标记可以布置在接触焊盘之上非外围区域中。即，标识标记可以特别地不同于在接触焊盘的外围处布置的结构，例如限定接触焊盘的边界的侧壁。标识标记可以例如包括三维物体。例如，标识标记可以包括接触焊盘的第一区域和接触焊盘的第二区域，其中第一区域的层级不同于第二区域的层级。在一个示例中，第一区域第二区域的不同层级可以具有尖锐台阶的形式。在另一示例中，中间区域可以布置在第一区域和第二区域之间，其中中间区域的层级从第一区域朝向第二区域变化。标识标记可以具有至少20μm(微米)的尺寸，更特别地至少30μm(微米)，更特别地至少40μm(微米)，以及更特别地至少50μm(微米)。在这点上，术语“尺寸”可以指的是标识标记的最大范围。当具有上述尺寸之一时，可以通过使用常见图像数据处理工具来标识或检测标识标记，使得可以避免采用更多复杂工具，例如高性能显微镜。标识标记可以是配置成包括芯片信息的任意形状。例如，标识标记可以包括字母、数字、条形码、形状和符号中的至少一个。应该注意的是该可能的标识标记的列表并非是结论性的并且决不是限制性的。在此所述的半导体器件可以包括有源区域。特别地，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：芯片；结构化介电层，布置在所述芯片的正面之上；接触焊盘，布置在所述结构化介电层之上，其中所述接触焊盘包括标识标记，其中所述标识标记基于所述结构化介电层；以及导电结构，其中所述接触焊盘在所述接触焊盘的主要区域处电耦合至所述导电结构并且在所述接触焊盘的侧壁处和在所述标识标记处通过所述结构化介电层与所述导电结构分离开，其中，所述标识标记包括关于所述芯片的特性的信息。

【技术特征摘要】
2012.12.14 US 13/7160041.一种半导体器件，包括：芯片；结构化介电层，布置在所述芯片的正面之上；接触焊盘，布置在所述结构化介电层之上，其中所述接触焊盘包括标识标记，其中所述标识标记基于所述结构化介电层；以及导电结构，其中所述接触焊盘在所述接触焊盘的主要区域处电耦合至所述导电结构并且在所述接触焊盘的侧壁处和在所述标识标记处通过所述结构化介电层与所述导电结构分离开，其中，所述标识标记包括关于所述芯片的特性的信息。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片的特性包括所述芯片的日期、晶片编号和/或类型。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括字母、数字、条形码、形状和/或符号。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括三维物体。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记布置在所述接触焊盘的非外围区域中。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括所述接触焊盘的第一区域以及所述接触焊盘的第二区域，其中所述第一区域的层级不同于所述第二区域的层级。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记具有至少20微米的尺寸。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘基本上是平的。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·马滕斯，R·派希尔，B·舒德雷尔，M·沃佩尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE