具有标识标记的半导体器件制造技术

具有标识标记的半导体器件。一种半导体器件，包括芯片、布置在芯片的正面上的接触焊盘以及布置在接触焊盘之上的标识标记。标识标记包括关于芯片的特性的信息。

Semiconductor device with identification mark

Semiconductor device with identification mark. A semiconductor device includes a chip, a contact pad disposed on the front face of the chip, and an identification flag disposed on the contact pad. The identification flag includes information about the characteristics of the chip.

【技术实现步骤摘要】
具有标识标记的半导体器件
本专利技术涉及一种具有标识标记的半导体器件。本专利技术进一步涉及用于制造这些半导体器件的方法。
技术介绍
在半导体器件的制造期间或者之后，可能需要标识半导体器件或者包含在其中的部件的特性。为此可以使用标识标记。不得不不断改进具有标识标记的半导体器件以及用于制造这些半导体器件的方法。特别地，可能期望改进半导体器件的质量并且降低用于制造半导体器件的成本。附图说明附图被包括用以提供对多个方面的进一步理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出多个方面并且与描述一起用来解释多个方面的原理。将容易领会其它方面和多个方面的许多预期的优点，因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。图1示意性地示出了根据本公开的半导体器件100的剖视图；图2A至图2B示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体器件的方法的剖视图；图3A至图3D示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体器件的方法的剖视图；图4示意性地示出了根据本公开的半导体器件400的角视图；以及图5示意性地示出了根据本公开的半导体器件500的剖视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：芯片；结构化介电层，布置在所述芯片的正面之上；接触焊盘，布置在所述结构化介电层之上，其中所述接触焊盘包括标识标记，其中所述标识标记基于所述结构化介电层；以及导电结构，其中所述接触焊盘在所述接触焊盘的主要区域处电耦合至所述导电结构并且在所述接触焊盘的侧壁处和在所述标识标记处通过所述结构化介电层与所述导电结构分离开，其中，所述标识标记包括关于所述芯片的特性的信息。

【技术特征摘要】
2012.12.14 US 13/7160041.一种半导体器件，包括：芯片；结构化介电层，布置在所述芯片的正面之上；接触焊盘，布置在所述结构化介电层之上，其中所述接触焊盘包括标识标记，其中所述标识标记基于所述结构化介电层；以及导电结构，其中所述接触焊盘在所述接触焊盘的主要区域处电耦合至所述导电结构并且在所述接触焊盘的侧壁处和在所述标识标记处通过所述结构化介电层与所述导电结构分离开，其中，所述标识标记包括关于所述芯片的特性的信息。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片的特性包括所述芯片的日期、晶片编号和/或类型。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括字母、数字、条形码、形状和/或符号。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括三维物体。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记布置在所述接触焊盘的非外围区域中。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记包括所述接触焊盘的第一区域以及所述接触焊盘的第二区域，其中所述第一区域的层级不同于所述第二区域的层级。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标识标记具有至少20微米的尺寸。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘基本上是平的。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·马滕斯，R·派希尔，B·舒德雷尔，M·沃佩尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE