液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置制造方法及图纸

一种液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置，在形成将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔的情况下，减少有机绝缘膜上的无机绝缘膜的后退移动的量。液晶显示装置的制造方法包括：在薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用抗蚀膜对无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；以及形成与被蚀刻后的无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序。在进行干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为(腔室的容积)×(0.09～0.11)/分钟，使混合干法刻蚀气体中的氧气的比例为80％以上。

Method for manufacturing liquid crystal display device and liquid crystal display device

A method of manufacturing a liquid crystal display device and liquid crystal display device, in the form of a through hole connected with the thin film transistor pixel circuit and the pixel electrode under the condition of reducing organic insulating film on the inorganic insulating film back the amount of movement. Liquid crystal display device manufacturing method comprises: forming an organic insulating film having first holes in the top electrode of the thin film transistor process; organic insulating film formed over the inorganic insulating film process; resist film has second holes formed in the first hole in the center of the above procedure; using the resist film of inorganic insulation the film dry etching process; and the pixel electrode on the contact surface of the formation process and after etching the inorganic insulating film. In the dry etching process, the total flow rate of mixed gas dry etching of fluorine-containing gas and oxygen (for chamber volume) * (0.09 ~ 0.11) / min, the mixed gas of oxygen in the dry etching ratio of more than 80%.

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置。
技术介绍
在近年来的液晶显示装置中，在各像素电路所包含的薄膜晶体管的上层设有有机绝缘膜的层，而且在有机绝缘膜的上层设有保护有机绝缘膜等的无机绝缘膜。另外，薄膜晶体管的电极和像素电极利用通孔而连接。为了设置上述的液晶显示装置的通孔，按顺序进行以下工序：形成在通孔部分具有孔的有机绝缘膜的层的工序、在有机绝缘膜层的上层形成无机绝缘膜的层的工序、形成在通孔部分开有孔的抗蚀层的工序、和对无机绝缘膜进行蚀刻的工序。通过蚀刻工序，将通孔部分的无机绝缘膜除去，从而能够将之后形成的像素电极与薄膜晶体管电连接。另外，为了防止像素电极的破损，以在无机绝缘膜的端部设置正锥形的方式进行蚀刻。在专利文献1中，公开有在薄膜晶体管与像素电极之间从下方开始按顺序设置下侧的无机绝缘膜的层、有机绝缘膜的层、及上侧的无机绝缘膜的层这三层的液晶显示装置、和贯穿这些层的通孔的形成方法的一例。现有技术文献专利文献1：日本特开2011－59314号公报
技术实现思路
位于有机绝缘膜上侧的无机绝缘膜由于无法提高成膜温度所以容易变脆弱。因此，若在干法刻蚀时要在上侧的无机绝缘膜上形成正锥形，则该无机绝缘膜在平面方向上由于被蚀刻而产生的后退移动的量增多。因此，无机绝缘膜中的例如直到位于通孔外侧的部分也被除去。另一方面，在智能手机等中使用的液晶显示面板的高分辨率化不断发展，存在在像素电路内通孔和其他结构要素之间的间隔变窄的倾向。因此，若无机绝缘膜被大范围地蚀刻，则会影响到其他结构要素。例如在通孔附近的有机绝缘膜和无机绝缘膜之间形成电极的情况下，该电极和像素电极会短路，容易产生像素缺陷。本申请是鉴于上述课题而研发的，其目的在于，提供一种如下技术：在形成将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔的情况下，能够以在位于有机绝缘膜上的无机绝缘膜上形成正锥形的方式进行蚀刻，同时能够减少伴随该蚀刻的后退移动的量。简单说明本申请中公开的专利技术中的代表性内容的概要，如下所述。（1）一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成薄膜晶体管的电极的工序；在所述薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在所述有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在所述第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用所述抗蚀膜对所述无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；除去所述抗蚀膜的工序；以及形成与所述被蚀刻后的无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序，在进行所述干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为（腔室的容积）×（0.09～0.11）/分钟，使所述混合干法刻蚀气体中的所述氧气的比例为80%以上。（2）如（1）所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括在所述有机绝缘膜与所述无机绝缘膜之间形成对置电极的工序，所述对置电极的上表面与所述无机绝缘膜接触，所述对置电极的下表面与所述有机绝缘膜接触，通过在所述对置电极与所述像素电极之间产生的电场来控制液晶的偏振。（3）如（1）或（2）所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的电极是与该薄膜晶体管所包含的半导体膜的上表面电连接的金属。（4）一种液晶显示装置，其特征在于，包括：薄膜晶体管，其包含半导体膜、和位于所述半导体膜的上层且与所述半导体膜电连接的电极膜；有机绝缘膜，其位于所述电极膜的上层，且形成有在俯视观察下与该电极膜重叠的第1孔；第2无机绝缘膜，其形成于所述有机绝缘膜的上方，具有在俯视观察下位于所述第1孔的内侧的第2孔，且在第2孔处具有锥形形状；像素电极，其位于所述第2无机绝缘膜的上方，且经由所述第1及第2孔与所述电极膜连接；以及对置电极，其形成于所述有机绝缘膜与所述第2无机绝缘膜之间，通过在该对置电极与所述像素电极之间产生的电场来控制液晶的偏振。根据本专利技术，在将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔处，能够减少有机绝缘膜上的无机绝缘膜的后退移动的量。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的液晶显示装置的等效电路的一例的电路图。图2是表示本专利技术的实施方式的阵列基板上的像素电路的局部俯视图。图3是图2所示的像素电路的III－III剖面线处的剖视图。图4是图2所示的像素电路的IV－IV剖面线处的剖视图。图5A是表示抗蚀层形成后的阵列基板的剖视图。图5B是表示蚀刻工序中途的阵列基板的剖视图。图5C是表示蚀刻工序结束时的阵列基板的剖视图。图6是表示像素电路的比较例的剖视图。附图标记说明CT公共电极，DL视频信号线，GL栅极信号线，PX像素电极，TR薄膜晶体管，XDV视频信号线驱动电路，YDV栅极扫描电路，DT漏电极，GI栅极绝缘膜，GT栅电极，IN1第1层间绝缘膜，IN2第2层间绝缘膜，PAS有机绝缘膜，PS半导体膜，ST源电极，SUB玻璃基板，TH1、TH2、TH3通孔，UI基底膜，CB腔室，LE下部电极，UE上部电极，PR抗蚀层，INA、INB、INC层间绝缘膜，SH短路部。具体实施方式以下，基于附图说明本专利技术的实施方式。对所出现的构成要素中的具有同一功能的要素标注相同的附图标记，并省略其说明。以下，说明将本专利技术应用于IPS方式的液晶显示装置的情况的例子。本专利技术的实施方式的液晶显示装置构成为具有：阵列基板；与该阵列基板对置、且设有彩色滤光片的滤光片基板；在被这些基板夹持的区域中封入的液晶材料；和从阵列基板的外侧照射光的背光源。图1是表示第1实施方式的液晶显示装置的等效电路的一例的电路图。在阵列基板上配置有多个栅极信号线GL、多个视频信号线DL、多个像素电极PX、多个公共电极CT、多个薄膜晶体管TR、视频信号线驱动电路XDV、栅极扫描电路YDV等。多个栅极信号线GL在阵列基板上的显示区域内排列并沿横向延伸，多个视频信号线DL在显示区域内排列并沿纵向延伸。这些视频信号线DL的一端与视频信号线驱动电路XDV连接，栅极信号线GL的一端与栅极扫描电路YDV连接。被相邻的栅极信号线GL和相邻的视频信号线DL包围的部分是像素电路。多个像素电路排列成矩阵状。各像素电路包含薄膜晶体管TR、像素电极PX和公共电极CT。薄膜晶体管TR包含源电极ST、漏电极DT和栅电极GT。漏电极DT成为视频信号线DL的一部分，并与视频信号线驱动电路XDV电连接。源电极ST与像素电极PX连接。向公共电极CT供给公共电压。公共电压与通过各像素电路显示的亮度无关，是固定的电压，但也可以按固定时间（帧）而周期性地变化。像素电极PX和公共电极CT隔着液晶而构成电容器。薄膜晶体管TR的栅电极GT是栅极信号线GL的一部分。若从栅极扫描电路YDV供给扫描脉冲的导通电压，则薄膜晶体管TR导通，与其相配合地，视频信号线驱动电路XDV向包含在被供给导通电压的像素电路中的像素电极PX供给视频信号的电位。由此，上述的电容器存储基于视频信号的电位与公共电压的电位差。通过由该电位差产生的电场来使液晶的透过率变化，从而控制各像素电路所透过的光量。此外，薄膜晶体管TR没有极性，源电极ST和漏电极DT的名称根据电压的朝向而方便地决定，因此这些配置和接入点也可以相反。图2是表示本专利技术的实施方式的阵列基板上的像素电路的局部俯视图。图3是图2所示的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成薄膜晶体管的电极的工序；在所述薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在所述有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在所述第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用所述抗蚀膜对所述无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；除去所述抗蚀膜的工序；以及形成与被蚀刻后的所述无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序，在进行所述干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为(腔室的容积)×(0.09～0.11)/分钟，使所述混合干法刻蚀气体中的所述氧气的比例为80％以上。

【技术特征摘要】
2013.01.31 JP 2013-0167241.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成薄膜晶体管的电极的工序；在所述薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在所述有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在所述第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用所述抗蚀膜对所述无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；除去所述抗蚀膜的工序；以及形成与被蚀刻后的所述无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序，在进行所述干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村考雄，刈込修，高谷亮平，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP