双面显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种双面显示装置，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种双面显示装置。
技术介绍
电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新世代电子产品的一种特色。例如，手机内部的双面显示器可以一面显示手机主功能窗口，另一面显示时间；又如在公共场合使用双面显示器让显示器两侧的人员都能看到展示的各种内容。目前的双面显示器通常是两个单面显示面板对贴而成，例如一液晶显示面板与一有机电激发光面板背靠背设置，或者是两有机电激发光面板靠背设置，或者两块液晶显示器靠背设置。此种背对设置的显示面板需要分别设置印刷电路板及集成电路来进行信号控制，同时进行双面显示时需要两个信号输入端，这不利于成本的降低和使用的便捷。背对设置的显示面板为具有较厚厚度的双层结构，这不利于电子产品的轻薄化。同时在两块显示面板相贴合而成的双面显示器中每个显示面都存在TFT等控制开关以及相关电路，TFT结构复杂、制程程序繁复，特别是在LTPS工艺中光罩更是繁多，因此面板利用率很低。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种双面显示装置，以降低成本、提升产品的轻薄化及提升面积利用率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种双面显示装置，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。其中，所述基底包括相对设置的第一基底和第二基底，所述TFT层、所述第一发光层及所述第一封装层依次层叠设置在所述第一基底上方，所述第二发光层及所述第二封装层依次层叠设置在所述第二基底下方，所述第一基底与所述第二基底之间通过导电胶电性连接，其中，若干过孔贯穿所述第一基底、所述导电胶及所述第二基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。其中，所述TFT层上设置若干第一TFT器件及若干第二TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件对应连接一第二发光器件。其中，所述TFT层上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。其中，所述基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制系统。其中，所述基底上设有第一及第二个焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制系统，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制系统。其中，所述第一基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制系统。其中，所述第一基底上设有第一及第二个焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制系统，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制系统。其中，所述基底或所述第一及第二基底为玻璃、透明金属、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)玻璃纤维增强塑料(FRP)或陶瓷中的一种或几种的组合。其中，所述TFT层包括缓冲层、设置于所述缓冲层表面的半导体层、覆盖于所述半导体层表面的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极图案、覆盖于所述栅极绝缘层表面的平坦层、设置于所述平坦层上且彼此间隔的源极图案和漏极图案，且所述源极图案和漏极图案通过所述半导体层电性连接；所述第一及第二发光器件均包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极和发光层之间设有像素限定层，以限定所述第一电极和所述发光层的形状。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的双面显示装置通过在第一显示面的TFT层上设置同时控制所述第一发光层及第二发光层的TFT器件或者在所述TFT层上分别设置控制所述第一发光层的TFT器件及控制所述第二发光层的TFT器件，并通过在所述基底上设置过孔将第二发光层连接至TFT层，以此实现提高第一及第二显示面的面积利用率，并通过设置第一及第二显示面的共用焊盘区，使得双面显示装置的集成电路、控制系统及信号输入装置共用，以利于成本降低及便于显示装置的轻薄化。附图说明图1a及图1b是本专利技术的双面显示装置的第一实施例的结构示意图；图2a是图1a的像素排布示意图；图2b是图1b的像素排布示意图；图3是图1中的TFT层及发光层的结构示意图；图4a至图4d是图1的双面显示装置连接控制系统的结构示意图；图5a至图5d是图1的双面显示装置的走线连接至焊盘区的示意图；图6是本专利技术的双面显示装置的第二实施例的结构示意图；图7是图6的像素排布示意图；图8是图6的双面显示装置连接控制系统的结构示意图；图9是本专利技术的双面显示装置的第三实施例的结构示意图；图10是图9的双面显示装置连接控制系统的结构示意图；图11是图9的像素排布示意图；图12a及图12b是本专利技术的双面显示装置的第四实施例的结构示意图；图13a及图13b是图12的像素排布示意图；图14a至图14d是图12的双面显示装置连接控制系统的结构示意图；图15a至图15d是图12的双面显示装置的走线连接至焊盘区的示意图。具体实施方式请参阅图1a及图1b及图2a及图2b，是本专利技术的双面显示装置的第一实施例的结构示意图。所述双面显示装置包括基底10、依次层叠设置在所述基底10上方的TFT层20、第一发光层30及第一封装层40、依次层叠设置在所述基底10下方的第二发光层50及第二封装层60，其中，若干过孔70贯穿所述基底10并将所述TFT层20与所述第一发光层30及所述第二发光层50电性连接。其中，所述第一及第二发光层均包括阳极、发光材料层及阴极。本专利技术中虽然将所述双面显示装置简化为基底、TFT层、发光层、封装层四个结构，然而这四个结构可以包含了显示器需求的各个部件，虽然本专利技术便于专利技术点描述只简述了所述双面显示装置的部分结构及构件，但并不限于此，所述双面显示装置的其他器件及功能与现有技术相同，在此不再赘述。所述TFT层20上设置若干第一TFT器件21及若干第二TFT器件22，所述第一发光层30上设置若干第一发光器件，所述第二发光层50上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件21对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件22对应连接一第二发光器件。其中，所述第一TFT器件21控制所述第一发光器件发光以进行第一显示面的显示，所述第二TFT(薄膜晶体管)器件22的漏极通过所述基底10上的过孔70及其内的导电物质连接至所述第二发光器件的第一电极信号(像素电极)，以控制所述第二发光器件发光来进行第二显示面的显示，同时也包括第二电极(公共电极)及其他信号。其中，过孔70内的导电物质可以为Ag胶，也可以通过焊锡焊接使之相连，也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面显示装置，其特征在于，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层；所述第一发光层与所述第二发光通过所述过孔电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种双面显示装置，其特征在于，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层；所述第一发光层与所述第二发光通过所述过孔电性连接。2.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底包括相对设置的第一基底和第二基底，所述TFT层、所述第一发光层及所述第一封装层依次层叠设置在所述第一基底上方，所述第二发光层及所述第二封装层依次层叠设置在所述第二基底下方，所述第一基底与所述第二基底之间通过导电胶电性连接，其中，若干过孔贯穿所述第一基底、所述导电胶及所述第二基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。3.根据权利要求1或2所述的双面显示装置，其特征在于，所述TFT层上设置若干第一TFT器件及若干第二TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件对应连接一第二发光器件。4.根据权利要求1或2所述的双面显示装置，其特征在于，所述TFT层上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。5.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制系统。6.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底上设有第一及第二个焊盘区，所述第一及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐岳军，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42