与定向耦合器相关的设备和方法技术

与定向耦合器相关的设备和方法。在一些实施方式中，耦合器可包括驱动器臂和相对于驱动器臂实施以检测RF信号的功率的耦合器臂。部分驱动器臂和部分耦合器臂可形成交迭区域，驱动器臂和耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状。交迭区域可包括在驱动器臂和耦合器臂之间的非零横向偏移。在一些实施方式中，耦合器可包括具有输入侧和输出侧的驱动器臂，以及具有输入侧和输出侧并且相对于驱动器臂实施以检测RF信号的功率的耦合器臂。耦合器还可包括相对于驱动器臂和耦合器臂中的至少一个实施以减小与耦合器相关联的功率纹波的相位差的移相特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请主张2014年6月12日提交的题为“CIRCUITSANDMETHODSRELATEDTODIRECTIONALCHAINCOUPLERS”的美国临时申请第62/011,372号的优先权，其公开内容通过在这里整体引用而明确地合并于此。
本申请总体上涉及用于射频(RF)应用的定向耦合器。
技术介绍
在一些无线设备中，功率耦合器可用于例如调整多个频带的发射信号的功率。这种功率耦合器可被菊花链式连接在一起以共用耦合线路，从而节省电路板上的空间。
技术实现思路
在一些实施方式中，本申请涉及一种用于检测射频(RF)信号的功率的耦合器。所述耦合器包括配置为路由RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施来检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，并且驱动器臂和耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状。所述交迭区域包括所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。在一些实施例中，所述非直臂形状可包括直部分和实施为所述驱动器臂的一部分的平行于所述直部分延伸的第一侧环路。所述非直臂形状还可包括平行于所述直部分延伸的第二侧环路以形成Φ形状。在一些实施例中，所述驱动器臂可包括作为所述非直臂形状的C形。所述耦合器臂可包括作为所述非直臂形状的C形。所述驱动器臂和所述耦合器臂的C形可布置成背靠背配置，使得所述各C形的直部分的一部分形成所述交迭区域。所述横向偏移可包括所述各C形的直部分被彼此远离地移动。在一些实施例中，所述驱动器臂可包括作为所述非直臂形状的7形。所述耦合器臂可包括与所述7形的直部分形成交迭区域的直部分。在一些实施例中，所述耦合器还可包括相对于所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差的移相特征。根据多个实施方式，本申请涉及一种射频(RF)模块，其包括具有多个层的封装基板，以及实施在所述封装基板上的多个功率放大器(PA)。所述RF模块还包括耦合器组件，其相对于所述封装基板实施，并且包括配置为检测由第一PA放大的RF信号的功率的第一耦合器。所述第一耦合器包括配置为路由所述RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状。所述交迭区域包括所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。在一些实施例中，所述封装基板可包括具有四个或更多层的叠层基板，层编号i从最上层开始为1。所述驱动器臂可实施在第i层之上，所述耦合器臂可实施在所述第i层下面。i的值可以大于或等于2，或者大于或等于3。在一些实施例中，所述耦合器组件还可包括用于所述耦合器臂一侧的信号路径迹线，所述信号路径迹线配置为改善所述耦合器组件的方向性性能。所述耦合器组件还可包括配置为检测由第二PA放大的RF信号的功率的第二耦合器。所述第二耦合器可包括配置为路由所述RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。所述第二耦合器的部分驱动器臂和部分耦合器臂可形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状。所述交迭区域可包括在所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。在一些实施例中，所述第一耦合器和所述第二耦合器可连接成链式配置。所述第一耦合器的信号路径迹线可以是用于所述第一耦合器和所述第二耦合器的链式配置的输入。所述耦合器组件还可包括用于所述第二耦合器的耦合器臂的输出侧的信号路径迹线，所述信号路径迹线可配置为改善所述耦合器组件的方向性性能。在一些实施例中，所述耦合器组件还可包括相对于所述第一耦合器的驱动器臂和耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差的移相特征。在一些实施例中，所述RF模块可以是前端模块。根据一些教导，本申请涉及一种射频(RF)设备，其包括配置为处理RF信号的收发机，以及与所述收发机通信的天线。所述天线配置为便于发射放大的RF信号。所述RF设备还包括连接到所述收发机的RF模块。所述RF模块配置为生成所述放大的RF信号并且将其路由到所述天线。所述RF模块包括配置为检测所述放大的RF信号的功率的耦合器，所述耦合器包括配置为路由所述放大的RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述放大的RF信号的功率的一部分的耦合器臂。部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状。所述交迭区域包括在所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。在一些实施例中，所述RF设备可以是无线设备。在多个实施方式中，本申请涉及一种用于检测射频(RF)信号的功率的耦合器。所述耦合器包括具有输入侧和输出侧并且配置为路由所述RF信号的驱动器臂。所述耦合器还包括具有输入侧和输出侧并且相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。所述耦合器还包括移相特征，其相对于所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差。在一些实施例中，与所述驱动器臂相关联的功率纹波可包括在所述驱动器臂的输出侧的功率纹波。与所述耦合器臂相关联的功率纹波可包括在所述耦合器臂的输出侧的功率纹波。在一些实施例中，所述移相特征可包括与对应的臂相关联的弯曲特征。所述弯曲特征可以是所述对应的臂的一部分。所述弯曲特征可与另一臂的至少一部分交迭。所述弯曲特征可与另一臂基本无交迭。在一些实施例中，所述弯曲特征可以是来往于所述对应的臂的连接的一部分。所述弯曲特征可包括部分环路。所述弯曲特征可包括至少一个环路。在一些实施例中，所述驱动器臂和所述耦合器臂的至少一些部分可形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个可具有非直臂形状。所述交迭区域可包括在所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。在多个实施方式中，本申请涉及一种射频(RF)模块，其包括具有多个层的封装基板，以及实施在所述封装基板上的多个功率放大器(PA)。所述RF模块还包括耦合器组件，其相对于所述封装基板实施，并且包括配置为检测由第一PA放大的RF信号的功率的第一耦合器。所述第一耦合器包括具有输入侧和输出侧的驱动器臂，以及具有输入侧和输出侧并且相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。所述第一耦合器还包括相对于所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差的移相特征。在一些实施例中，所述封装基板可包括具有四层或更多层的叠层基板，层编号i从最上层开始为1。所述驱动器臂可实施在第i层之上，所述耦合器臂可实施在所述第i层下面。i的值可以大于或等于2，或者大于或等于3。在一些实施例中，所述耦合器组件还可包括用于所述耦合器臂的一侧的信号路径迹线，所述信号路径迹线可配置为改善所述耦合器组件的方向性性能。所述耦合器组件还可包括配置为检测由第二PA放大的RF信号的功率的第二耦合器。所述第二耦合器可包括配置为路由所述RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。所述第二耦合器还可包括相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检测射频(RF)信号的功率的耦合器，所述耦合器包括：驱动器臂，配置为路由所述RF信号；以及耦合器臂，其相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分，部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状，所述交迭区域包括所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于检测射频(RF)信号的功率的耦合器，所述耦合器包括：驱动器臂，配置为路由所述RF信号；以及耦合器臂，其相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分，部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状，所述交迭区域包括所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。2.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述非直臂形状包括直部分和实施为所述驱动器臂的一部分的平行于所述直部分延伸的第一侧环路。3.根据权利要求2所述的耦合器，其中，所述非直臂形状还包括平行于所述直部分延伸的第二侧环路以形成Φ形状。4.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述驱动器臂包括作为所述非直臂形状的C形。5.根据权利要求4所述的耦合器，其中，所述耦合器臂包括作为所述非直臂形状的C形。6.根据权利要求5所述的耦合器，其中，所述驱动器臂和所述耦合器臂的C形布置成背靠背配置，使得所述各C形的直部分的一部分形成所述交迭区域。7.根据权利要求6所述的耦合器，其中，所述横向偏移包括所述各C形的直部分被彼此远离地移动。8.根据权利要求1所述的耦合器，其中，所述驱动器臂包括作为所述非直臂形状的7形。9.根据权利要求8所述的耦合器，其中，所述耦合器臂包括与所述7形的直部分形成交迭区域的直部分。10.根据权利要求1所述的耦合器，还包括相对于所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差的移相特征。11.一种射频(RF)模块，包括：具有多个层的封装基板；多个功率放大器(PA)，实施在所述封装基板上；以及耦合器组件，相对于所述封装基板实施，并且包括配置为检测由第一PA放大的RF信号的功率的第一耦合器，所述第一耦合器包括配置为路由所述RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂，部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状，所述交迭区域包括所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。12.根据权利要求11所述的RF模块，其中，所述封装基板包括具有四个或更多层的叠层基板，层编号i从最上层开始为1。13.根据权利要求12所述的RF模块，其中，所述驱动器臂实施在第i层之上，所述耦合器臂实施在所述第i层下面。14.根据权利要求13所述的RF模块，其中，i的值大于或等于2。15.根据权利要求14所述的RF模块，其中，i的值大于或等于3。16.根据权利要求11所述的RF模块，其中，所述耦合器组件还包括用于所述耦合器臂一侧的信号路径迹线，所述信号路径迹线配置为改善所述耦合器组件的方向性性能。17.根据权利要求16所述的RF模块，其中，所述耦合器组件还包括配置为检测由第二PA放大的RF信号的功率的第二耦合器，所述第二耦合器包括配置为路由所述RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述RF信号的功率的一部分的耦合器臂。18.根据权利要求17所述的RF模块，其中，所述第二耦合器的部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状，所述交迭区域包括在所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。19.根据权利要求17所述的RF模块，其中，所述第一耦合器和所述第二耦合器连接成链式配置。20.根据权利要求19所述的RF模块，其中，所述第一耦合器的信号路径迹线是用于所述第一耦合器和所述第二耦合器的链式配置的输入。21.根据权利要求20所述的RF模块，其中，所述耦合器组件还包括用于所述第二耦合器的耦合器臂的输出侧的信号路径迹线，所述信号路径迹线配置为改善所述耦合器组件的方向性性能。22.根据权利要求11所述的RF模块，其中，所述耦合器组件还包括相对于所述第一耦合器的驱动器臂和耦合器臂中的至少一个实施以减小与所述驱动器臂和所述耦合器臂相关联的功率纹波的相位差的移相特征。23.根据权利要求11所述的RF模块，其中，所述RF模块是前端模块。24.一种射频(RF)设备，包括：收发机，配置为处理RF信号；与所述收发机通信的天线，所述天线配置为便于发射放大的RF信号；以及连接到所述收发机的RF模块，所述RF模块配置为生成所述放大的RF信号并且将其路由到所述天线，所述RF模块包括配置为检测所述放大的RF信号的功率的耦合器，所述耦合器包括配置为路由所述放大的RF信号的驱动器臂，以及相对于所述驱动器臂实施以检测所述放大的RF信号的功率的一部分的耦合器臂，部分驱动器臂和部分耦合器臂形成交迭区域，所述驱动器臂和所述耦合器臂中的至少一个具有非直臂形状，所述交迭区域包括在所述驱动器臂和所述耦合器臂之间的非零横向偏移。25.根据权利要求24所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·孙，X·穆，H·邵，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US