带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体、以及它们的制造方法及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种抑制进行高温下的处理时的玻璃基板(16)和无机膜(14)之间的发泡，进而无机膜(14)与玻璃基板(16)的密合性也良好的带无机膜的支撑基板(10)。本发明专利技术涉及一种带无机膜的支撑基板(10)，其特征在于，带无机膜的支撑基板(10)的无机膜(14)侧的表面的表面粗糙度Ra大于2nm，并且在负荷曲线的负荷长度率0％与10％时的峰高的差为20nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在使用玻璃基板制造液晶面板、有机EL面板等电子器件时使用的带无机膜的支撑基板、及在其上层叠有玻璃基板的玻璃层叠体、以及它们的制造方法及电子器件的制造方法。
技术介绍
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子器件(电子设备)的薄型化、轻量化正在进行。与其相对应，这些电子器件中使用的玻璃基板的薄板化正在进行。另一方面，若由于薄板化而玻璃基板的强度不足，则在电子器件的制造工序中，玻璃基板的处理性会降低。因此，最近为了应对上述问题，正在进行在用支撑基板支撑玻璃基板的状态下，在玻璃基板上制造电子器件。例如，提出了如下方法：准备在玻璃制的支撑基板上形成有无机膜(吸附膜)的带无机膜的支撑基板，得到在该支撑基板的无机膜上层叠玻璃基板并密合的层叠体，在该层叠体的玻璃基板上制造电子器件后，从该层叠体上将制造了电子器件的玻璃基板剥离(专利文献1及2)。公开了如下内容：根据这些方法，即使玻璃基板薄，也能提高处理性、实现适当的定位，并且在规定的处理后能够容易地将配置有元件的玻璃基板从层叠体上剥离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-184284号公报专利文献2：日本特开2011-201725号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，伴着电子器件的高性能化的要求，期望在电子器件的制造时实施更高温条件下(例如450℃以上)的处理。然而，对于以往的在带无机膜的支撑基板上层叠有玻璃基板的层叠体，若进行在450℃以上的高温处理、特别是500～600℃那样的高温处理，则会在玻璃基板、无机膜上产生附着物，或所含的气体被放出等，因此有在玻璃基板和无机膜之间产生大量气泡的情况。另外，对于以往的带无机膜的支撑基板，也有在无机膜的表面层叠玻璃基板时密合性差的情况。即，也有如下情况：即使将支撑基板的无机膜和玻璃基板重叠，也不会自然地密合，不仅如此，即使进行机械压制，也不密合，或者即使密合也容易剥离。本专利技术的目的在于解决这样的现有技术的问题，在于提供抑制进行高温下的处理时的玻璃基板和无机膜之间的发泡、进而无机膜与玻璃基板的密合性也良好的带无机膜的支撑基板、及在该带无机膜的支撑基板上层叠有玻璃基板的玻璃层叠体、以及该带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体的制造方法、电子器件的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了达成前述目的而进行了深入研究，结果完成了本专利技术。即，本专利技术的带无机膜的支撑基板的特征在于，具有支撑基板和形成于前述支撑基板上的无机膜，前述带无机膜的支撑基板的无机膜侧的表面的表面粗糙度Ra大于2nm，并且，在负荷曲线的负荷长度率0％与10％时的峰高的差为20nm以下。在前述带无机膜的支撑基板中，优选前述表面粗糙度Ra及前述峰高的差起因于前述无机膜的表面性状。另外，此时的前述无机膜的厚度优选为10nm以上。另外，在前述带无机膜的支撑基板中，优选前述表面粗糙度Ra及前述峰高的差起因于前述支撑基板的表面性状、或者起因于前述无机膜的表面性状及前述支撑基板的表面性状。另外，此时的前述无机膜的厚度优选为10～60nm。本专利技术的带无机膜的支撑基板中的支撑基板优选为玻璃制。另外，本专利技术的玻璃层叠体的特征在于，在前述本专利技术的带无机膜的支撑基板的无机膜上层叠玻璃基板。另外，本专利技术的带无机膜的支撑基板的制造方法的第1实施方式的特征在于，在支撑基板的表面上形成无机膜，然后，将前述无机膜的表面平坦化。另外，本专利技术的带无机膜的支撑基板的制造方法的第2实施方式的特征在于，对作为支撑基板的板状物的表面进行粗糙化处理而制作支撑基板，在前述支撑基板的表面形成无机膜。在前述带无机膜的支撑基板的制造方法的第2实施方式中，优选形成前述无机膜后，进而将前述无机膜平坦化。另外，优选在对前述板状物的表面进行粗糙化处理后，进而对经前述粗糙化处理的面进行平坦化来制作支撑基板。另外，本专利技术的玻璃层叠体的制造方法的特征在于，通过前述第1实施方式或第2实施方式制造带无机膜的支撑基板后，在前述带无机膜的支撑基板的无机膜上层叠玻璃基板。进而，本专利技术的电子器件的制造方法的特征在于，利用前述本专利技术的玻璃层叠体的制造方法。专利技术的效果通过将本专利技术的带无机膜的支撑基板用于层叠有玻璃基板的玻璃层叠体的支撑基板，在该玻璃基板上形成电子器件时，提供良好的密合性，并且在电子器件的制造中即使进行大于450℃那样的高温处理，也能够抑制在玻璃基板和无机膜之间产生气泡。附图说明图1的(A)为示意性地示出本专利技术的带无机膜的支撑基板的一例的侧面的截面图，图1的(B)为示意性地示出本专利技术的玻璃层叠体的一例的侧面的截面图。图2为示意性地示出负荷曲线的一例的图。图3的(A)～(D)为用于说明本专利技术的带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体的制造方法的一例的侧面的截面图。图4的(A)～(E)为用于说明本专利技术的带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体的制造方法的一例的侧面的截面图。图5的(A)～(E)为用于说明本专利技术的带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体的制造方法的一例的侧面的截面图。具体实施方式以下，以附带的附图所示的适当的实施例为基础，详细地对本专利技术的带无机膜的支撑基板及玻璃层叠体、以及本专利技术的带无机膜的支撑基板的制造方法、玻璃层叠体的制造方法及电子器件的制造方法进行说明。需要说明的是，在本说明书中，“重量％”与“质量％”为同义。图1(A)中示意性地示出本专利技术的带无机膜的支撑基板的一例。需要说明的是，图1(A)为带无机膜的支撑基板的侧面的截面图。对于本专利技术的带无机膜的支撑基板10，在使用玻璃基板的电子器件等的制造中，作为用于支撑玻璃基板的支撑基板而使用，基本上由支撑基板12和无机膜14构成。对于这样的带无机膜的支撑基板10，如图1的(B)示意性地所示，在无机膜14上层叠玻璃基板16并密合，从而制成本专利技术的玻璃层叠体20，并用于使用玻璃基板16的电子器件的制造。此处，在本专利技术的带无机膜的支撑基板10中，无机膜14侧的表面的表面粗糙度Ra大于2nm，并且在负荷曲线的负荷长度率0％与10％时的峰高的差为20nm以下，关于该点，在后面详细叙述。对于支撑基板12，在图1的(B)所示的玻璃层叠体20中，主要支撑玻璃基板16来防止玻璃基板16的损伤、变形。在本专利技术的带无机膜的支撑基板10中，支撑基板12可利用玻璃板、不锈钢(SUS)板等金属板等各种板材(板状物)。此处，在利用玻璃层叠体20的电子器件的制造中，具有伴有热处理的工序的情况下，支撑基板12优选由与玻璃基板16的线膨胀系数的差小的材料形成。支撑基板12优选由与玻璃基板16同样的材料形成，支撑基板12更优选为玻璃板。特别优选的是，支撑基板12为由与玻璃基板16相同的玻璃材料形成的玻璃板。支撑基板12的厚度可以比后述的玻璃基板16厚或薄。优选的是，基于玻璃基板16的厚度、无机膜14的厚度及后述的带无机膜的玻璃层叠体20的厚度来选择支撑基板12的厚度。例如，电子器件的制造工序是以对0.5mm的基板进行处理的方式进行设计的，在玻璃基板16的厚度及无机膜14的厚度的和为0.1mm的情况下，将支撑基板12的厚度设为0.4mm。支撑基板12的厚度在通常的情况下优选为0.2～5mm。需要说明的是，支撑基板12为玻璃板的情况下，从容易处理、不易破裂等理由出发，支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带无机膜的支撑基板，其特征在于，具有支撑基板和形成于所述支撑基板上的无机膜，所述带无机膜的支撑基板的无机膜侧的表面的表面粗糙度Ra大于2nm，并且在负荷曲线的负荷长度率0％与10％时的峰高的差为20nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.01 JP 2014-1575581.一种带无机膜的支撑基板，其特征在于，具有支撑基板和形成于所述支撑基板上的无机膜，所述带无机膜的支撑基板的无机膜侧的表面的表面粗糙度Ra大于2nm，并且在负荷曲线的负荷长度率0％与10％时的峰高的差为20nm以下。2.根据权利要求1所述的带无机膜的支撑基板，其中，所述表面粗糙度Ra及所述峰高的差起因于所述无机膜的表面性状。3.根据权利要求2所述的带无机膜的支撑基板，其中，所述无机膜的厚度为10nm以上。4.根据权利要求1所述的带无机膜的支撑基板，其中，所述表面粗糙度Ra及所述峰高的差起因于所述支撑基板的表面性状。5.根据权利要求1所述的带无机膜的支撑基板，其中，所述表面粗糙度Ra及所述峰高的差起因于所述无机膜的表面性状及所述支撑基板的表面性状。6.根据权利要求4或5所述的带无机膜的支撑基板，其中，所述无机膜的厚度为10～60nm。7.根据权利要求1～6中任一项所述的带无机膜的支撑基...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原晃男，龟田祐人，牛光耀，岸政洋，秋田阳介，松山祥孝，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP