具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法技术

具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法。一种有机发光二极管显示器包括：基板，在该基板中限定了发光区域和非发光区域；顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层；栅极，该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上；漏极，该漏极与所述半导体层的一侧接触；第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成；以及第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有通过利用透明导电材料在发光区域中形成存储电容器而改进的开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法。另外，本专利技术涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该方法用于通过减少掩模工艺的数量来简化制造工艺。
技术介绍
近来，已经开发了与阴极射线管相比具有重量和体积减小的各种平板显示器。这种平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光装置(EL)等。EL分为无机EL和有机发光二极管显示器，并且是具有响应速度高、发光效率高以及亮度高和视角宽的优点的自发射装置。图1例示了有机发光二极管的结构。如图1所示，该有机发光二极管包括有机电致发光化合物层、阴极和阳极，所述阴极和所述阳极彼此相对并且使有机电致发光化合物层被插置于其之间。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。所述有机发光二极管根据来自通过被注入以形成阳极和阴极的空穴和电子在EML中重新结合的过程而生成的激子的能量来发射光。有机发光二极管显示器通过电控制在如图1所示的有机发光二极管的EML中生成的光的量来显示图像。利用作为电致发光装置的有机发光二极管的特性的有机发光二极管显示器(OLEDD)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。AMOLED通过利用薄膜晶体管(在下文中被称为TFT)控制流过有机发光二极管的电流来显示图像。图2是例示了有机发光二极管显示器的一个像素的结构的等效电路图，图3是有机发光二极管显示器的一个像素的结构的平面图，图4是例示了沿着图3的线I-I’截取的常规的有机发光二极管显示器的结构的截面图。参照图2和图3，AMOLED包括开关TFT(TFT)ST、连接至开关TFTST的驱动TFTDT以及接触驱动TFTDT的有机发光二极管OLED。开关TFTST形成在扫描线SL和数据线DL的交点处并用来选择像素。开关TFTST包括栅极SG、半导体层SA、源极SS和漏极SD。驱动TFTDT驱动由开关TFTST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动TFTDT包括连接至开关TFTST的漏极SD的栅极DG、半导体层DA、连接至驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱动TFTDT的漏极DD连接至有机发光二极管OLED的阳极ANO。更具体地，参照图4，开关TFTST的栅极SG和驱动TFTDT的栅极DG形成在AMOLED的基板SUB上。栅绝缘层GI形成在栅极SG和栅极DG上。半导体层SA和半导体层DA形成在栅绝缘层GI的对应于栅极SG和栅极DG的部分上。源极SS和漏极SD形成在半导体层SA上，彼此相对具有设置在源极SS与漏极SD之间的预定间隙。源极DS和漏极DD形成在半导体层DA上，彼此相对具有设置在源极DS与漏极DD之间的预定间隙。开关TFTST的漏极SD经由形成在栅绝缘层GI中的接触孔连接至驱动TFTDT的栅极DG。钝化层PAS形成在基板的整个表面上，以便覆盖具有上述结构的开关TFTST和驱动TFTDT。当半导体层SA和半导体层DA由氧化物半导体材料形成时，由于氧化物半导体的高移动性而能够在具有大充电容量的大TFT基板中实现高分辨率和快驱动速度。氧化物半导体材料层还可以包括用于保护其表面不受蚀刻剂的影响以便确保装置稳定性的蚀刻阻挡层SE和蚀刻阻挡层DE。具体地，蚀刻阻挡层SE和蚀刻阻挡层DE被形成以便防止半导体层SA和半导体层DA由于蚀刻剂接触半导体层SA和半导体层DA的已暴露表面(其对应于源极SS和源极DS与漏极SD和漏极DD之间的间隙)而被回蚀刻。滤色器CF形成在与将稍后形成的阳极ANO对应的区域中。如有可能，滤色器CF被优选地形成为占据宽区域。例如，滤色器CF被形成为使得滤色器CF叠置在包括数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的宽区域上。上面已形成有滤色器CF的基板具有不平表面和许多梯状部分，因为许多组件已形成在其上。因此，涂覆层OC形成在基板的整个表面上以便使基板的表面平整。随后，OLED的阳极ANO形成在涂覆层OC上。这里，阳极ANO经由形成在涂覆层OC和钝化层PAS中的接触孔连接至驱动TFTDT的漏极DD。用于限定像素区域的堤图案BN形成在开关TFTST、驱动TFTDT上，而互连线DL、SL和VDD形成在上面形成有阳极ANO的基板上。通过堤图案BN暴露的阳极ANO成为发光区域。有机发射层OLE和阴极层CAT依次形成在通过堤图案BN暴露的阳极ANO上。当有机发射层OLE由发射白光的有机材料形成时，有机发射层OLE根据位于有机发射层OLE下方的滤色器CF来表达分配给各个像素的颜色。具有如图4所示的结构的有机发光二极管显示器是向下发射光的底部发射显示器。在这样的底部发射有机发光二极管显示器中，存储电容器STG形成在阳极ANO叠置在驱动TFTDT的栅极DG上的空间中。有机发光二极管显示器通过驱动有机发光二极管来显示图像信息。这里，相当大量的能量是驱动有机发光二极管所必需的。因此，需要大容量存储电容器，以便正确地显示具有迅速地变化的数据值的图像信息，诸如视频。为了保证存储电容器具有足够容量，存储电容器电极需要具有足够大的面积。在底部发射有机发光二极管显示器中，发光面积(即，开口率)随着存储电容器面积增加而减小。在顶部发射有机发光二极管显示器中，存储电容器能够形成在发光区域下方，进而即使当设计大面积存储电容器时开口率也不减小。然而，在底部发射有机发光二极管显示器中，存储电容器的面积与开口率减小直接有关。为了制造这样的有机发光二极管显示器，利用光掩模(photo-mask)的光刻工艺被执行多次。各个掩模工艺包括清洗、曝光、显影、蚀刻等。当掩模工艺的数量增加时，用于制造有机发光二极管显示器的时间和成本以及缺陷生成率增加，从而减小产量。因此，有必要减少掩模工艺的数量，以便减小制造成本并提高产量和生产效率。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该方法用于在不减小开口率的情况下通过利用透明存储电容器电极在发光区域中形成存储电容器来保证存储电容器具有足够容量。本专利技术的另一目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该方法用于通过减少掩模工艺的数量来简化制造工艺。在一个方面中，一种有机发光二极管显示器包括：基板，在该基板中限定了发光区域和非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：基板，在该基板中限定了发光区域和非发光区域；顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层；栅极，该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上，使栅绝缘层被插置在所述栅极与所述半导体层之间；漏极，该漏极与所述半导体层的一侧接触，使覆盖所述栅极的层间绝缘层被插置在所述漏极与所述半导体层之间，并且所述漏极由第二透明导电层和层压在该第二透明导电层上的金属层形成；第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成；以及第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极上，使所述层间绝缘层被插置在所述第二存储电容器电极与所述第一存储电容器电极之间，并且所述第二存储电容器电极由所述第二透明导电层形成。

【技术特征摘要】
2014.11.13 KR 10-2014-01583221.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：
基板，在该基板中限定了发光区域和非发光区域；
顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层；
栅极，该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上，使栅绝缘层被插置在所述栅极
与所述半导体层之间；
漏极，该漏极与所述半导体层的一侧接触，使覆盖所述栅极的层间绝缘层被插置
在所述漏极与所述半导体层之间，并且所述漏极由第二透明导电层和层压在该第二透
明导电层上的金属层形成；
第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层
间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成；以及
第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极
上，使所述层间绝缘层被插置在所述第二存储电容器电极与所述第一存储电容器电极
之间，并且所述第二存储电容器电极由所述第二透明导电层形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器还
包括：
源极，该源极与所述半导体层的另一侧接触，使所述层间绝缘层被插置在所述源
极与所述半导体层之间，所述源极由所述第二透明导电层和层压在所述第二透明导电
层上的所述金属层形成，并且被布置在与所述漏极相距预定距离处，
涂覆层，该涂覆层布置在所述源极、所述漏极和所述第二存储电容器电极上；以
及
阳极，该阳极布置在所述涂覆层上并且与所述漏极的一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹净基，金正五，白正善，南敬真，金容玟，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR