气囊式晶片粘结助压手柄制造技术

本实用新型专利技术提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本实用新型专利技术用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体晶片抛光平整装备应用领域，具体地，涉及一种用于晶片粘结后压按晶片使其粘结得平坦紧密的气囊式晶片粘结助压手柄。
技术介绍
半导体晶片是制备现代光电子器件的基底材料，它们表面的面形参数如总厚度偏差（TotalThicknessVariation,TTV）、弯曲度（Bow）、翘曲度（Warp）等直接影响到后续器件制备工序的成品率和器件的性能。半导体晶片首先由完整的晶啶切割为毛坯晶片，然后这些毛坯晶片经过表面的研磨、抛光、清洗等工序的加工，最终才能用于光电子器件的制备。通常，切割后的毛坯晶片的面形参数TTV差别明显、Bow和Warp表现显著，并且晶片表面粗糙度大、平整度差，所以必须经过研磨和抛光操作才能达到后续器件制备工序的要求。研磨和抛光操作是指通过化学机械抛光（Chemicalmechanicalpolishing,CMP）的方法对毛坯晶片的表面进行研磨和抛光操作，消除晶片的厚度和平整度的偏差，并进一步使晶片表面达到原子量级的平整度。有蜡抛光技术是半导体晶片加工的一种有效技术，特别适合尺寸大、厚度薄的样品。采用有蜡抛光技术抛光获得的晶片表面平整、损伤小。有蜡抛光工艺通常是将切割好的晶片利用石蜡粘接在载样盘上，然后将载样盘放置于CMP工作平台上。载样盘和抛光平台在机械力的带动下作相对转动，同时在抛光平台上喷洒磨料，这样载样盘上粘接的晶片在抛光平台摩擦力和磨料的作用下实现研磨和抛光的目的。在实际生产中，由于各块晶片之间的加工存在差异，它们的厚度、TTV、Bow、Warp等参数不可能完全一致，甚至厚度相互之间差别很大，而通常一个载样盘上需要粘结多片晶片。以此，晶片在载样盘上粘结得是否平整会影响到抛光的最终效果。目前使用的方式是在晶片粘接后，在石蜡未冷却凝结之前依次用软布、刷子和模块压按，挤压出背部的气泡，使晶片平整。晶片在粘结的过程中，采用软布和刷子压按虽然可以少量地调整晶片的位置和角度，然而其力度较小，通常难以使晶片完全压平，无法排除石蜡粘结部分中的气泡。而采用模块压按虽然力度较大，然而却容易使晶片压裂。同时，随着现代半导体技术的发展，大尺寸、薄厚度的晶片越来越成为趋势，常规的晶片粘结助压使用的软布、刷子和模块的使用也越来越受到限制。
技术实现思路
鉴于以上存在的问题，本技术所要解决的技术问题在于提供一种用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整的气囊式晶片粘结助压手柄。为了解决上述技术问题，本技术所提供的气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。采用本技术的气囊式晶片粘结助压手柄，可供充气用的气阀具有打开和闭合功能，通过供气单元经由通气管道对可装卸地安装于握柄的梢端处的气囊进行充气，利用充气后的气囊对晶片进行压按操作，将粘结后晶片粘结面中存在的气泡挤出，从而使晶片粘结平整、紧密。本技术可应用于半导体晶片抛光平整装备应用领域。本技术的气囊式晶片粘结助压手柄，既可以保证晶片表面受力均匀，又可以达到压平晶片所需要的力度。同时，由于气囊各向受力均匀的特性，可以最大限度的消除石蜡粘结部分中的气泡，使晶片粘结平整、紧密。又，在本技术中，也可以是，所述握柄形成为T型握柄。根据本技术，握柄形成为T型握柄，可方便操作人员握持，有利于对粘结后的晶片进行压按。又，在本技术中，也可以是，所述气囊安装于所述T型握柄的下部，所述通气管道从所述T型握柄的下部贯通至上部并从上部的任意一端向外延伸。根据本技术，可以在T型握柄内有效地布置对气囊进行充气的通气管道，便于实现利用充气后的气囊对晶片进行压按操作。又，在本技术中，也可以是，所述气阀设于从所述T型握柄延伸出的所述通气管道的部分上。根据本技术，该气阀隔断T型握柄内含的通气管道和来自供气单元的外部气体的接入，通过气阀的开、关实现气体的充、放操作。又，在本技术中，也可以是，所述气囊具备与所述握柄的梢端相连的连接部。根据本技术，通过该连接部气囊可装卸地安装于握柄的梢端，方便气囊的更换。由此，可根据需要更换不同尺寸的气囊。又，在本技术中，也可以是，所述连接部与所述梢端通过螺纹结构相连。根据本技术，通过螺纹结构使接部与梢端相连，可方便地实现气囊的拆卸更换。又，在本技术中，也可以是，所述气囊由耐高温乳胶制成。根据本技术，采用耐高温乳胶制作气囊，可以在高温环境中、不破坏晶片表面的情况下对粘结后的晶片进行平整、压按操作。根据下述具体实施方式并参考附图，将更好地理解本技术的上述内容及其它目的、特征和优点。附图说明图1示出了根据本技术一实施形态的气囊式晶片粘结助压手柄的结构示意图；图2示出了图1所示气囊式晶片粘结助压手柄在未充气状态下的气囊示意图；图3示出了图1所示气囊式晶片粘结助压手柄在充气后对粘结晶片进行压按状态的气囊示意图。附图标记：a、握柄，b、气囊，c、通气管道，d、气阀，e、粘结的晶片，f、载样盘，g、连接部。具体实施方式以下结合附图和下述实施方式进一步说明本技术，应理解，附图及下述实施方式仅用于说明本技术，而非限制本技术。针对目前晶片在粘结的过程中存在的种种缺陷，本技术提供了一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。采用本技术的气囊式晶片粘结助压手柄，在使用过程中首先打开气阀对气囊进行充气，其次关闭气阀，然后使用该气囊式晶片粘结助压手柄的握柄梢端处的气囊压按粘结的晶片表面，从而使晶片粘结紧密。本技术的气囊式晶片粘结助压手柄成本低廉、构造简洁、操作简单、便于携带，在保护晶片的基础上对晶片粘结区域中气泡挤出效果优异，可以在半导体晶片抛光平整工序中广泛使用。具体地，图1示出了根据本技术一实施形态的气囊式晶片粘结助压手柄的结构示意图；图2示出了图1所示气囊式晶片粘结助压手柄在未充气状态下的气囊示意图；图3示出了图1所示气囊式晶片粘结助压手柄在充气后对粘结晶片进行压按状态的气囊示意图。如图1所示，本实施形态的气囊式晶片粘结助压手柄，包括内置通气管道c的握柄a，和设于通气管道c上的气阀d。在本实施形态中，该握柄a形成为T型握柄。该气囊式晶片粘结助压手柄还包括能装卸地安装于握柄a的梢端的气囊b。通气管道c的一端与气囊b连通，通气管道c的另一端与图示省略的供气单元相连通。通过气阀d可隔断T型握柄a内含的通气管道c和来自供气单元的外部气体的接入，通过气阀的开、关实现气体的充、放操作。如图1所示，在本实施形态中，该气囊b位于T型握柄a的下部。并且，通气管道c从T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气囊式晶片粘结助压手柄，其特征在于，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。

【技术特征摘要】
1.一种气囊式晶片粘结助压手柄，其特征在于，包括：
内置通气管道的握柄；
能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和
设于所述通气管道上的气阀；
所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。
2.根据权利要求1所述的气囊式晶片粘结助压手柄，其特征在于，所述握柄形成为T型握柄。
3.根据权利要求2所述的气囊式晶片粘结助压手柄，其特征在于，所述气囊安装于所述T型握柄的下部，所述通气管道从所述T型握柄的下部贯通至上部并从上部...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓世异，黄维，王乐星，陈辉，庄击勇，刘学超，施尔畏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31