氢气制造用硅原料A、氢气制造用硅原料B、氢气制造用硅原料A的制造方法、氢气制造用硅原料B的制造方法、氢气制造方法和氢气制造装置制造方法及图纸

[课题]基于硅颗粒与碱水溶液的反应的氢气制造中，适当抑制硅颗粒与碱水溶液的反应，从而连续地得到氢气。[解决手段]本发明专利技术的氢气制造用硅原料A包含硅颗粒和油分。油分为硅颗粒的0.1重量％～10重量％。本发明专利技术的氢气制造用硅原料A的制造方法包括如下工序：准备包含硅颗粒、油分和水的硅屑(108)的工序；将硅屑(108)进行离心分离或过滤，制造包含硅颗粒、油分和少量的水的固态物A(112)的工序；将固态物A(112)干燥，制造包含硅颗粒和油分的固态物B(115)的工序；在固态物B(115)中混合水(116)而得到泥浆A(117)的工序。

Silicon raw material A for producing hydrogen, silicon material B for producing hydrogen, method for manufacturing silicon material A for hydrogen production, method for manufacturing silicon material B for hydrogen production, hydrogen production method and hydrogen production device

Based on the reaction of silicon particles with alkaline solution, the reaction of silicon particles with alkaline solution is inhibited in order to obtain hydrogen continuously. The invention relates to a silicon material A for hydrogen production, which comprises a silicon particle and an oil component. The oil is divided into 0.1 wt.% to 10% by weight of the silicon particles. The invention of hydrogen manufacturing method for manufacturing silicon A silicon chip includes the following procedures: the preparation containing silicon particles, oil and water (108) process; the silicon chip (108) by centrifugation or filtration, comprising silicon particles and oil and a small amount of water the solid A (112) the process will be solid A; (112) drying, manufacturing and oil containing silicon particles of solid B (115) process; in the solid B (115) in the mixed water (116) and A (117) in the process of mud.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氢气制造用硅原料A、氢气制造用硅原料B、氢气制造用硅原料A的制造方法、氢气制造用硅原料B的制造方法、氢气制造方法和氢气制造装置。
技术介绍
目前，作为半导体装置的基板大量使用了硅晶圆。硅晶圆如下制造。首先，由熔融硅通过晶体生长来制造圆柱状的硅锭。接着，在硅锭上形成显示出晶轴方向的定位平面或切口。接着，将硅锭切割成规定的厚度而制作硅晶圆。切割利用切片机或多线切割机来进行。接着，对硅晶圆进行切削成规定厚度的抛光加工、去除加工应变的蚀刻加工、防止周边的破损的刨边加工、使表面成为镜面的镜面抛光加工等。这样的硅晶圆的制造过程中，产生大量的硅屑。以往，硅屑被废弃，但不能无视由废弃导致的成本负荷和环境负荷。另一方面，已知将硅加入到碱水溶液(例如NaOH水溶液)中并进行加热时，产生氢气。氢气的产生基于如下反应：Si+2OH-+H2O→SiO32-+2H2↑。因此，如果可以由硅废弃物效率良好地得到氢气，则在成本负荷和环境负荷的方面是非常有利的。以前进行了由硅废弃物得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氢气制造用硅原料A，其包含：硅颗粒、所述硅颗粒的0.1重量％～10重量％的油分和水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.12 JP 2013-2342721.一种氢气制造用硅原料A，其包含：硅颗粒、所述硅颗粒的0.1重量％～10重量％的油
分和水。
2.根据权利要求1所述的氢气制造用硅原料A，其中，所述油分为：
异丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、2-乙基-1-己醇、
乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丙三醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、
1,3-丁二醇、1,5-戊二醇
中的任意者，或它们的混合物。
3.根据权利要求1或2所述的氢气制造用硅原料A，其中，所述硅颗粒的平均粒径为0.1μ
m～30μm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氢气制造用硅原料A，其中，所述水的重量为所述
硅颗粒的重量的1倍～10倍。
5.一种氢气制造用硅原料B，其包含：硅颗粒、所述硅颗粒的0.1重量％～10重量％的反
应抑制物质和水。
6.根据权利要求5所述的氢气制造用硅原料B，其中，所述反应抑制物质为：
甲酸、乳酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、
十四烷酸、十六烷酸、十七烷酸、丙烯酸、油酸、苹果酸、柠檬酸、草酸、马来酸、富马酸、
乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠、聚环氧乙烷、聚乙烯酰亚胺、聚乙烯
醇、聚丙烯酰胺、聚乙二醇
中的任意者，或它们的混合物。
7.根据权利要求5或6所述的氢气制造用硅原料B，其中，所述硅颗粒的平均粒径为0.1μ
m～30μm。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的氢气制造用硅原料B，其中，所述水的重量为所述
硅颗粒的重量的1倍～10倍。
9.一种氢气制造用硅原料A的制造方法，其包括如下工序：
准备包含硅颗粒、来自冷却剂的油分和水的硅屑的工序；
将所述硅屑离心分离或过滤，制造包含所述硅颗粒、所述硅颗粒的0.1重量％～10重
量％的所述油分和少量的所述水的固态物A的工序；
将所述固态物A干燥，制造包含所述硅颗粒、所述硅颗粒的0.1重量％～10重量％的所
述油分的固态物B的工序；以及
在所述固态物B中加入水制造泥浆A的工序。
10.根据权利要求9所述的氢气制造用硅原料A的制造方法，其中，所述油分为：
异丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、2-乙基-1-己醇、
乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丙三醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、
1,3-丁二醇、1,5-戊二醇
中的任意者，或它们的混合物。
11.根据权利要求9或10所述的氢气制造用硅原料A的制造方法，其中，所述固态物A的
干燥温度为100℃～120℃。
12.一种氢气制造用硅原料B的制造方法，其包括如下工序：
准备包含硅颗粒、来自冷却剂的油分和水的硅屑的工序；
将所述硅屑离心分离或过滤，制造包含所述硅颗粒、所述油分和少量的所述水的固态
物A的工序；
将所述固态物A干燥，制造包含所述硅颗粒和所述油分的固态物B的工序；
将所述固态物B高温干燥而使所述油分蒸发，制造包含硅颗粒的固态物C的工序；以及
在所述固态物C中加入所述硅颗粒的0.1重量％～10重量％的反应抑制物质和水，制造
泥浆B的工序。
13.根据权利要求12所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：下司辰郎，池内正彦，
申请(专利权)人：株式会社TKX，
类型：发明
国别省市：日本;JP