一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，所述基底包括周围区和核心区，其中在所述周围区和所述核心区上均形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；步骤S2：在所述栅极叠层的侧壁和顶部上形成缓冲层；步骤S3：在所述周围区的所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：回蚀刻所述间隙壁，以去除所述间隙壁步骤S5：蚀刻去除所述栅极叠层的顶部和侧壁上部的所述缓冲层；步骤S6：沉积金属材料层，以形成自对准硅化物层；步骤S7：沉积介电材料层，以在所述核心区的所述栅极叠层之间形成均一的空气间隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，还可以通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。一般而言，闪存(flashmemory)是一种非易失性半导体存储器，其被设计用于执行可擦写可编程只读存储器的编程方法以及电可擦写可编程只读存储器的擦写方法，并且闪存通常被命名为快闪。闪存不仅可以在断电时保持以存储的信息，而且还可以自由的输入和输出信息，因此，被广泛的应用于各个领域。在非易失性半导体存储器的制备过程中，随着半导体器件尺寸的不断缩小，控制栅极之间的最小距离变得越来越重要。随着器件尺寸缩小，所述距离也不断缩小，因此存储器的循环性能下降，目前在存储器的制备过程中在形成控制栅极之后进而形成间隙壁氧化物并填充所述控制栅之间的间隙，接着回蚀刻所述氧化物以定义所要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，所述基底包括周围区和核心区，其中在所述周围区和所述核心区上均形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；步骤S2：在所述栅极叠层的侧壁和顶部上形成缓冲层，以覆盖所述栅极叠层的侧壁和顶部；步骤S3：在所述周围区的所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：回蚀刻所述间隙壁，以去除所述间隙壁，同时过蚀刻去除所述周围区的所述栅极叠层顶部的所述缓冲层；步骤S5：形成掩膜层并以所述掩膜层为掩膜蚀刻去除所述核心区的所述栅极叠层的顶部和侧壁上部的所述缓冲层，同时去除所述周围区的所述栅极叠层侧壁上部的所述缓冲层，以露出所述栅极叠层的侧壁上部；步骤S6：沉积金...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，所述基底包括周围区和核心区，其中在所述周围区和所述核心区上均形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；步骤S2：在所述栅极叠层的侧壁和顶部上形成缓冲层，以覆盖所述栅极叠层的侧壁和顶部；步骤S3：在所述周围区的所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：回蚀刻所述间隙壁，以去除所述间隙壁，同时过蚀刻去除所述周围区的所述栅极叠层顶部的所述缓冲层；步骤S5：形成掩膜层并以所述掩膜层为掩膜蚀刻去除所述核心区的所述栅极叠层的顶部和侧壁上部的所述缓冲层，同时去除所述周围区的所述栅极叠层侧壁上部的所述缓冲层，以露出所述栅极叠层的侧壁上部；步骤S6：沉积金属材料层，以覆盖所述核心区的所述栅极叠层侧壁上部以及所述周围区的所述栅极叠层的顶部和侧壁上部，并进行退火，以形成自对准硅化物层；步骤S7：沉积介电材料层，以覆盖所述基底和所述栅极叠层，并在所述核心区的所述栅极叠层之间形成均一的空气间隙。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中还进一步包括：步骤S11：在所述核心区进行源漏离子注入；步骤S12：执行退火步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31