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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，所述基底包括周围区和核心区，其中在所述周围区和所述核心区上均形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；步骤S2：在所述栅极叠层的侧壁和顶部上形成缓冲层；步骤...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。